Электронные цепи и микросхемотехника - 2
Герасимов В.М., Скворцов В.А.
Кафедра ПрЭ
Томск-2001

Генераторы линейно-изменяющегося напряжения.

№ 1-3
Диаграмма напряжения на конденсаторе:
• .
• .
• .

№ 4
Коэффициент усиления по току транзисторов равен 50, R1 = 1 кОм, R2 = 2 кОм, Е = 20 В. Транзисторы кремниевые.

Ток разряда конденсатора С:
• 9 мА.

№ 5-48

Дано: Е, U_бэ, U_{кэ нас}, R_к, С, R₁. На вход подаются симметричные прямоугольные импульсы частотой f_вх и амплитудой U_вх. Амплитуда пилообразного напряжения на конденсаторе U_c. Коэффициент усиления по току транзистора K_I. Максимальный импульсный ток коллектора транзистора I_{к макс имп}, во время разряда конденсатора С. Коэффициент нелинейности пилообразного напряжения γ при заряде конденсатора С.

№	Е, В	Uбэ, В	Uкэ нас, В	Rк, кОм	С, мкФ	R1, кОм	fвх, Гц	Uвх, В	Uc, В
5	20	0.5	0.7	20	0.01	1	500	4	20
6	40	0.5	0.7	20	1	1	500	4	2
9	19	0.5	0.2	20	0.01	9	500	4	19
10	18	0.5	0.2	20	0.01	8	500	4	18
11	17	0.5	0.2	20	0.01	7	500	4	17
12	14	0.5	0.2	20	0.01	4	500	4	14
13	15	0.5	0.2	20	0.01	5	500	4	15
14	16	0.5	0.2	20	0.01	6	500	4	16
15	11	0.5	0.2	20	0.01	1	500	4	11
16	12	0.5	0.2	20	0.01	2	500	4	12
17	13	0.5	0.2	20	0.01	3	500	4	13
18	20	0.5	0.2	20	0.01	10	500	4	20
19	90	0.5	0.2	10	1	1	500	4	9
20	80	0.5	0.2	10	1	1	500	4	8
21	70	0.5	0.2	10	1	1	500	4	7
22	40	0.5	0.2	10	1	1	500	4	4
23	50	0.5	0.2	10	1	1	500	4	5
24	60	0.5	0.2	10	1	1	500	4	6
25	10	0.5	0.2	10	1	1	500	4	1
26	20	0.5	0.2	10	1	1	500	4	2
27	30	0.5	0.2	10	1	1	500	4	3
28	100	0.5	0.2	10	1	1	500	4	10

№	Е, В	Uбэ, В	Uкэ нас, В	Rк, кОм	С, мкФ	R1, кОм	Uвх, В	Uc, В	KI	Iк макс имп, мА
7	50	0.5	0.7	10	0.1	1	5	25	50	225
29	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	59	236
30	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	58	232
31	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	57	228
32	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	54	216
33	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	55	220
34	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	56	224
35	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	51	204
36	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	52	208
37	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	53	212
38	50	0.5	0.7	10	0.1	1	4.5	25	60	240

№	Е, В	Uбэ, В	Uкэ нас, В	Rк, кОм	С, мкФ	R1, кОм	Uвх, В	Uc, В	KI	γ, %
8	50	0.5	0.2	5	0.1	1	4	5	50	10
39	100	0.5	0.2	12	0.1	1	4	9	50	9
40	100	0.5	0.2	11	0.1	1	4	8	50	8
41	100	0.5	0.2	10	0.1	1	4	7	50	7
42	100	0.5	0.2	7	0.1	1	4	4	50	4
43	100	0.5	0.2	8	0.1	1	4	5	50	5
44	100	0.5	0.2	9	0.1	1	4	6	50	6
45	100	0.5	0.2	4	0.1	1	4	1	50	1
46	100	0.5	0.2	5	0.1	1	4	2	50	2
47	100	0.5	0.2	6	0.1	1	4	3	50	3
48	100	0.5	0.2	13	0.1	1	4	10	50	10

Цифроаналоговые преобразователи

№ 49-92

Дано: Uоп, R.
На выходе четырехразрядного ЦАП получено напряжение 1 В при замкнутом ключе К3.

№	49	50	51	52	53	54	55	56	57	58
Uоп, В	-16	-16	-16	-16	-16	-16	-16	-16	-16	-16
R, кОм	360	320	280	160	200	240	40	80	120	400
Rос, кОм	90	80	70	40	50	60	10	20	30	100

При подаче на вход двоичного кода 0111 на выходе получено напряжение 7 В.

№	59	60	61	62	63	64	65	66	67	68
R, кОм	9	8	7	4	5	6	1	2	3	10
Rос, кОм	4	4	4	4	4	4	4	4	4	4
Uоп, В	-18	-16	-14	-8	-10	-12	-2	-4	-6	-20

Uоп = 10.24 В, R = 10 кОм, Rос = 5 кОм, а на вход ЦАП подан двоичный код числа n.

№	69	70	71	72	73	74	75	76	77	78
n	9	8	7	4	5	6	1	2	3	10
Uвых, мВ	-576	-512	-448	-256	-320	-384	-64	-128	-192	-640

Uоп = 10.24 В, на вход ЦАП подан двоичный код числа n, R = 1 кОм.

№	79	80	81	82	83	84	85	86	87	88
n	9	8	7	4	5	6	1	2	3	10
Iоп, мкА	11520	10240	8960	5120	6400	7680	1280	2560	3840	12800

• Если Rос = 1 кОм, R = 1.12 кОм, 2R = 1.9 кОм, 4R = 4 кОм, 8R = 8 кОм - ЦАП немонотонный.
• При Uоп=10.24 (-10.24) В, R=2Rос - МР=-640 мВ, Uпш=-9600 (9600) мВ.

№ 93-97

• Uоп = 10.24 В, Rн = ∞, МР=640 мВ.
• Uоп = 10.24 В, Rн = 2R, максимальное Uн=6400 мВ.
• Uоп = 10.24 В, Rн = ∞, Uпш=9600 мВ.
• Uоп = 12 В, Rн = 2R, 1МР=500 мВ.
• Uоп = 10.24 В, Rн = R и подключен ключ S4, Uн=2560 мВ.

№ 98-108

• Uоп = 10.24 В, Rос = 3R, Uпш=-8960 мВ.
• Uоп = -10.24 В, R = 9 кОм, 1МР = 1, Rос= 27 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 8 кОм, 1МР = 1, Rос= 24 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 7 кОм, 1МР = 1, Rос= 21 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 4 кОм, 1МР = 1, Rос= 12 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 5 кОм, 1МР = 1, Rос= 15 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 6 кОм, 1МР = 1, Rос= 18 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 1 кОм, 1МР = 1, Rос= 3 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 2 кОм, 1МР = 1, Rос= 6 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 3 кОм, 1МР = 1, Rос= 9 кОм.
• Uоп = -10.24 В, R = 10 кОм, 1МР = 1, Rос= 30 кОм.

Аналого-цифровые преобразователи

№ 109
Функциональная схема АЦП

• последовательного счета.

№ 110

• следящего типа.

№ 111

• поразрядного уравновешивания.

№ 112-114
Генератор тактовых импульсов работает на частоте 10 кГц, а n = 10.

• Время отработки максимального сигнала: 102400 мкс.

• Время отработки Uвх от 0.5 Uпш до нуля: 51200 мкс.

• Время обработки аналогового сигнала Uвх = Uпш: 1 мкс.

№ 115
Разрядность АЦП, если требуется обработать аналоговый сигнал Uмакс = 1 В с дискретностью, не превышающей 10 мВ:
• n ≥ = 7.

№ 116
Число компараторов в параллельном 8-разрядном АЦП.
• 255.

№ 117
Преобразователь, обладающий максимальной помехозащищенностью.
• АЦП двойного интегрирования.

№ 118
Диаграмма напряжения на выходе ЦА для АЦП следящего типа.
• .

№ 119
- последовательного счета.
• .

№ 120
- поразрядного уравновешивания.
• .

Диодные ограничители

№ 121,122
Rг = 100 Ом, R = 1 кОм, среднее значение прямого сопротивления диода 100 Ом, обратного - 1 МОм, Е1 = 10 В.

Коэффициент передачи ограничителя для области ограничения:
• 0.001.
- в области пропускания:
• 0.83.

№ 123,124
Rг = 0 Ом, R = Rн = 2 кОм, Е1 = 4 В. Диод идеальный.

Значение Uвх, при котором диод открыт:
• Uвх > 2 В.
Rг = 0 Ом, R = Rн = 1 кОм, Е1 = 2 В. Диод закрыт при:
• Uвх < 1 В.

№ 125

Е1 равно половине амплитудного значения Uвх(t). Форма Uвых(t):
• .

№ 126

• .

№ 127

•

№ 128

•

№ 129,130
Цепь, по которой протекает ток, поддерживающий стабилитрон во включенном состоянии при положительной полуволне входного напряжения.

• Ro - VD1 - VD5 - VD4.
- при отрицательной полуволне.
• VD3 - VD5 - VD2 - Ro.

№ 131,132
Uст = 5 В, Uвх = 10 В, Ro = 510 Ом, Rн = 5 кОм. Прямое падение напряжения на диодах 0.5 В.

• Rн=6.
При Uвх = -10 В:
• Rн=-6.

№ 133
На входе ограничителя действует синусоидальный входной сигнал с амплитудой 10 В и периодом 3140 мкс. На диодах падает 0.1 В.

Полная длительность фронта выходного сигнала:
• 10 мкс.

№ 134,135,136
Е = 10 В, Сд = Сн = 10 пФ, Rн = 10 к, диод идеальный, Rг = 0.

Скачки выходного напряжения:
• ΔU = 5 В.
Сд = Сн = 10 пФ, Rг = 0, Rн = ∞, Rпр = 100 Ом, Rобр = 500 к.
Длительность фронта выходного сигнала:
• tф=6 нс.
Сд = Сн = 10 пФ, Rг = 0, Rн = 200 к, Rпр = 100 Ом, Rобр = 200 к, Е = 10 В.
Длительность среза выходного сигнала:
• tс=6 нс.

№ 137,138

Диод идеальный, Rн = Ro = 200 Ом, Сд = Сн = 10 пФ. Длительность фронта выходного сигнала:
• tф=1,4 нс.
Rн = 100 к, Ro = 1 к, Сд = 10 пФ, Сн = 20 пФ. Длительность среза выходного сигнала:
• tс-89 нс.

Транзисторные ключи

№ 139-148

Коэффициент насыщения S = 1.5 при Е = 12 В, Rк = 1.2 к, β = 30. Величина базового тока, обеспечивающего режим насыщения транзистора:
• 0,5 мА.

Е = 10 В, Rк = 2 к, Rб = 50 к, β = 40. Коллекторный ток:
• 5 мА.

Rк = 2 к, Е = 10 В, β = 40. Минимальная величина базового тока, обеспечивающего наcыщенный режим работы транзистора:
• 0,125 мА.

Постоянная времени, характеризующая время переключения (инерционность) транзистора, если fa = 100 МГц:
• 1,59 нс.

Ключ выполнен на высокочастотном транзисторе и постоянная времени транзистора в активном режиме пренебрежимо мала. Rк = 10 к, Сн = 20 пФ, E = 10 B. Время установления напряжения на коллекторе:
• 0,6 мкс.
• Время отпирания ключа определяется временем достижения током базы значения Iб насыщения.

Е = 10 В, Сн = 20 пФ, β = 20, Iб = 0.5 мА. Время включения ключа при отпирании:
• 20 нс.

Е = 10 В, Rк = 2 к, β = 40, Rб = 9.2 к, Uэбн = 0.8 В. Степень насыщения транзистора при отсутствиии входного сигнала:
• 8.

Е = 12 В, S = 2, β = 20, Rб = 11.2 кОм, Uэбн = 0.8 В. Сопротивление при отсутствии Uвх:
• Rк=1,2 кОм.

№ 147,149

Транзистор находится на границе насыщения при Ек = -10 В, Rк = 1 к, β = 20, Rб = 10 к, Еб = 2 В. Базовый ток:
• 0,5 мА.
Ек = -10 В, Rк = 1 к, Uвх = 10 В, β = 20, Rб = 10 к, Еб = 2 В, R = 10 к.
• Uбэ=6.

№ 150
Eк = -28 В, Rб = 15 к, Rэ = 1 к, Rк = 2 к, β = 9.

Базовый ток, соответствующий границе насыщения ключа:
• 1 мА.

№ 151
Eк = 28 В, Rб = 14.2 к, Rэ = 1 к, Rк = 2 к, Uэбн = 0.8 В, β = 9.

Транзистор будет работать в режиме насыщения при минимальном напряжении:
• Uвх=25.

№ 152,153

Величина базового тока при Eк = 6 В, Rк = 2 к, R1 = R2 = 1 к, S = 4, β_min = 24:
• 0,5 мА.
Ек = 6 В, S = 4, Rк = 2 к, Есм = -1 В, R1 = R2 = 1 к, Rсм = 0.5 к, β_min = 24, Uэбн = 0.6 В. Амплитуда прямоугольного импульса Uвх2, необходимая для отпирания ключа и насыщения транзистора, если одновременно с Uвх2 действует импульс Uвх1 = 1 В:
• 3,9.

№ 154
Элемент ТТЛ управляет ключом на транзисторе. Выходные параметры ТТЛ элемента:
U¹_вых = 2.4 В;
U⁰_вых = 0.4 В;
I_вых (при U¹_вых = 400 мкА);
I_вых (при U⁰_вых = 16 мА).

При базовом напряжении насыщения транзистора Uбэ = 0.8 В:
• Rб=4 кОм.

Транзисторно-транзисторная логика

№ 155-161
Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В, падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В.

Напряжение в точке А при подаче на входы Uвх1 и Uвх2 логических единиц:
• 1.
Напряжение между точками А и В при подаче на входы Uвх1 и Uвх2 логических единиц:
• 0,8.
Состояние VT3 и VD при подаче на входы Uвх1 и Uвх2 логических единиц:
• VT3 закрыт, VD закрыт.
Состояние VT3 и VD при подаче на один из входов Uвх1 и Uвх2 логического нуля:
• VT3 открыт, VD открыт.
Состояние VT1 и VТ2 при подаче на один из входов Uвх1 и Uвх2 логического нуля:
• VT1 закрыт, VT2 закрыт.
Напряжение между точками А и В, достаточное для отпирания и насыщения VT3:
• 1,6.
Напряжение на выходе при отсутствии нагрузки, если подать логические нули на оба входа:
• 3,4.

№ 162,163
Прямое падение напряжения на диоде 0.8 В, Uэб=0.8 В, Uкэ = 0.2 В, R3 = 1 к.

Ток коллектора VT3, если при подаче Uвх1 = Uвх2 = 0 на выходе установилось напряжение 3.1 В:
• 0,9 мА.
При R1 = 1 к. Ток базы VT3, если при Uвх1 = Uвх2 = 0 на выходе напряжение 3 В:
• 0,4 мА.

№ 164-168
Оба входа подключены к выходу аналогичного элемента. Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В, падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, Rб = 4 кОм.

Uвых = 0.2 В. Входной ток изображенного элемента ТТЛ:
• 1 мА.

Uвых = '1'. Напряжение на базе многоэмиттерного транзистора:
• 2,4 В.

Uвых = '1'. Ток через резистор Rб:
• 0,65 мА.

Uвых = '1', R1 = 1.6 кОм. Ток через резистор R1:
• 2,5 мА.

Напряжение отпирания р-n перехода считать равным 0.5 В. Минимальная величина Uвх, при которой сохраняется уровень логического нуля на выходе:
• 1,9 В.

№ 169-171

Rб = 3.6 кОм, R1 = 2 кОм, Uкэ = 0.2 В, Uбэ = Uбк = 0.7 В. Мощность, потребляемая и рассеиваемую ненагруженной схемой при Uвх1 = 0.2 В:
• 5.7 мВт.

при Uвх1 = Uвх2 = 3 В:
• 14,2 мВт.

При R1 = 3.3 кОм, Uбэ = Uбк = 0.8 В, Uд = 0.7 В, β = 30, максимальная амплитуда импульса токовой помехи по цепи питания при переключении схемы из состояния '0' в '1':
• 30 мА.

Диодно-транзисторная логика. Резистор на входе ТТЛ. Элементы с открытым коллектором. Формирователь импульсов на логическом элементе.

№ 172-174

Для получения логического нуля на выходе Uвх1 = Uвх2 должно превысить величину:
• 1,6.
На вход Uвх1 для получения логического нуля на выходе, если Uвх2 = '1', нужно подать сигнал:
• 1 (высокий, логическую единицу).
- логической единицы:
• 0 (низкий, логический ноль).

№ 175,176
Uэб = 0.8 В, Uкэ = 0.2 В.

Величина сопротивления R, необходимая для создания входного напряжения низкого уровня Uвх = 0.2 В:
• 0,2 к.
- высокого уровня Uвх = 2.4 В:
• 5,3 к.

№ 177
На резисторе R падает напряжение 0.2 В. Uэб = 0.8 В, Rб = 4 кОм.

• Rб/R=20.

№ 178

DD1 - К155ЛА8 (I_ут,вых = 250 мкА, I⁰_вых = 16 мА),
DD2 - К155ЛН1 (I¹_вх = 40 мкА, I⁰_вх = 1.6 мА, U¹_вых = 2.4 В, U⁰_вых = 0.4 В).
Максимальное сопротивление нагрузки Rн из условия обеспечения уровня логической единицы на выходе DD1:
• 3,7 кОм.

№ 179

- логического нуля:
• 575 Ом.

№ 180
Е = 5 В, R = 200 Ом, Uвх(0) = 0.42 В, Uбэм = 0.8 В, Rбм = 4 кОм.

• Uc(0)=0,6.

Мультивибратор

№ 181,182,185,186
С1 = С2 = 0.1 мкФ, период генерируемых колебаний равен Т = 1.4 мс. Транзисторы считать идеальными ключами.

• Rб=10 кОм.
С1 = 0.1 мкФ, C2 = 0.3 мкФ, Rб = 10 кОм. Частота следования импульсов Uвых:
• 357 Гц.
Rб = 10 кОм, С1 = 0.1 мкФ, Rк = 1 кОм, С2 = 0.3 мкФ. Скважность Uвых:
• 1,33.
Скважность импульсов Uвых равна 5, а период Т = 0.2 мс. Длительность импульса на коллекторе VT2:
• 160 мкс.

№ 183,184,187
Транзисторы типа КТ333А (Uкэн = 0.2 В, Uбэн = 0.8 В, β = 98). С1 = С2 = 0.1 мкФ, Rк = 1 кОм. Транзистор находится в режиме, граничащем с насыщением (S = 1).

• Rб=92 кОм.
При Rб = 20 кОм, ток открытого транзистора:
• 9,8 мА.
Rк = 1 кОм, Rб = 14 кОм, β = 30. Для получения колебаний с частотой 50 кГц:
• С1=С2=1000 пФ.

№ 188
Rк = 1 кОм, Rб = 14 кОм, β = 28.

Степень насыщения открытого транзистора:
• 2.

№ 189,190
Rк = 2 кОм, Rб = 15 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ.

Длительность импульсов Uвых:
• 1,8 мс.
Частота импульсов меньше, чем в схеме, где общая точка резисторов Rб подключена к источнику -12 В:
• в 1,6 раз.

№ 191
Rк = 1 кОм, Rб = 10 кОм, β = 50, С1 = С2 = 0.1 мкФ.

Минимальное значение напряжения Е, при котором мультивибратор сохраняет работоспособность:
• -2,4.

№ 192
Rк = 1 кОм, Rб = 20 кОм, С = 1 мкФ.

Длительность фронта выходного импульса, снимаемого с коллектора закрывшегося ключа:
• 3 мс.

№ 193,195
С = 8000 пФ, если Rк = 1 кОм, R = 20 кОм, Rб = 10 кОм.

Постоянная времени заряда конденсатора C:
• 160 мкс.
R = Rк = 10 кОм, Rб = 200 кОм, С = 0.1 мкФ. Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки при разряде конденсатора:
• 5 кОм.

№ 194
Rб = 20 кОм, R = Rк = 1 кОм, С = 1 мкФ, Сп = 1000 пФ.

Длительность фронта выходного импульса, снимаемого с коллектора запирающегося транзистора VT1:
• 3 мкс.

№ 196
R = Rк = 10 кОм, Rб = 200 кОм, С = 0.1 мкФ.

Перепад напряжения на коллекторе транзистора VT2:
• 6 (-6) В.

№ 197
R = 1 кОм, Rк = 1 кОм, Rб = 10 кОм, С = 1 мкФ.

Длительность выходных импульсов:
• 4 мс.

№ 198
Rк = 5 кОм, Rб = 20 кОм, С = 0.1 мкФ, выходное сопротивление эмиттерных повторителей - 100 Ом.

Длительность отрицательных фронтов выходного напряжения в узле Т:
• 30 мкс.

№ 199
C = 1 мкФ, R = 500 Ом, U¹_вых = 2.4 В, U⁰_вых = 0.4 В, U_пор = 1.5 В, R⁰_вых = 10 Ом, R¹_вых = 100 Ом.

Постоянная времени заряда конденсатора С:
• 600 мкс.

№ 200,201,203
Е = 5 В, С = 1 мкФ, R = 400 Ом, U¹_вых = 2.4 В, U⁰_вых = 0.4 В, U_пор = 1.5 В, R_бм = 4 кОм, U_бэм = 0.6 В (U_бэм и R_бм, относятся к многоэмиттерному транзистору ТТЛ-инвертора).

Начальное значение Uвх1:
• 0,4 В.
При R¹_вых = 200 Ом, U_пор = 1.6 В, емкости конденсаторов С для формирования сигналов с частотой f = 5 кГц:
• 0,4 мкф.
При формировании импульса U_вых2 напряжение U_вх изменяется во врем по закону: U_вх(t)=U_вх(0)-[U_вх(∞)-U_вх(0)]e^-t/τ, где τ=C(R+R¹_вых). Длительность импульса:
• t_и=C(R¹_вых+R) ln ((U¹_вых-U⁰_вых+U_R) / U_пор).

№ 202,204
С = 0.1 мкФ, R = 190 Ом, R⁰_вых = 10 Ом, Е = 5 В, R¹_вых = 100 Ом.

Постоянная времени восстановления схемы, если диоды в схему не поставлены:
• 20 мкс.
При плавном включении напряжения источника питания в схеме не возникли автоколебания (из-за жесткого режима возбуждения). Такой режим соответствует состоянию выходов:
• Uвых1 = '1', Uвых2 = '1'.

№ 205
С = 0.1 мкФ, R = 10 кОм, R1 = 20 кОм, R2 = 10 кОм. ОУ питается от источника ±15 В.

Период генерируемых колебаний:
• 1,4 мс.

Одновибратор. Ждущий мультивибратор.

№ 206-212

Rк1 = 6 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, Rб = 10 кОм, С = 2 мкФ. Транзисторы считать идеальными ключами. Длительность формируемого импульса:
• 14 мс.
VT2 насыщен базовым током 0.5 мА, на резисторе Rэ падает 3 В. Rк2 = 3 кОм.
• Rб=24 кОм.
Rк1 = 5 кОм, Rк2 = 1 кОм, Rэ = 500 Ом, Rб = 10 кОм, С = 1 мкФ. Амплитуда выходного импульса:
• 10 (-10) В.
Rк1 = 6 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rб = 10 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 2 мкФ. Постоянная времени восстановления схемы:
• 5 мс.
Условия насыщения VT2:
• β((E_к-U_э)/R_б) ≥ (E_к-U_э)/R_к2.
Rк1 = 4.5 кОм, Rк2 = 1 кОм, Rб = 20 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ. Амплитуда импульса на эмиттерном сопротивлении Rэ:
• 3,5 В.
Rк1 = 3 кОм, Rк2 = 1 кОм, Rб = 25 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, R1 = 20 кОм, R2 = 5 кОм. Величина напряжения, запирающего VT1:
• 2 В.

№ 213
Rк1 = 5 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, Rб = 10 кОм. Напряжение между базой и эмиттером VT2 при формировании выходного изменяется по закону: Uб2(t) = Uб2(∞) - [Uб2(∞) - Uб2(0)]e^-t/tразр.

• Uб2(∞)=-10 В.

№ 214

• Uб2(0)=8 В.

№ 215
Rк1 = 7 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, Rб = 10 кОм, Rк' = 2.5 кОм. Напряжение между базой и эмиттером VT2 при формировании выходного изменяется по закону: Uб2(t) = Uб2(∞) - [Uб2(∞) - Uб2(0)]e^-t/tразр.

• Uб2(∞)=-3 В.

№ 216,217

U¹_вых = 3.6 В, U_пор = 1.5 В, R = 500 Ом, R¹_вых = 100 Ом, С = 0.01 мкФ, t_{изапуска} = 1 мкс. Длительность выходного импульса:
• 4,2 мкс.
R⁰_вых = 10 Ом, R¹_вых = 200 Ом, R = 190 Ом, С = 0.1 мкФ, R_пр = 90 Ом, R_обр = 100 кОм. Отношение постоянной времени восстановления схемы после обрыва цепи VD к постоянной времени до обрыва:
• 2.

№ 218,219

R⁰_вых = 10 Ом, R¹_вых = 100 Ом, R = 990 Ом, С = 0.01 мкФ, U_пор = 1.8 В, U¹_вых = 3.6 В. Длительность выходного импульса:
• 7 мкс.
Постоянная времени цепи восстановления схемы в устойчивое состояние:
• 10,9 мкс.

№ 220

- Параметры диода: R_пр = 100 Ом, R_обр = 100 кОм.
• 1,9 мкс.

Мультивибратор на однопереходном транзисторе

№ 221

Временная диаграмма Uc при работе мультивибратора в автоколебательном режиме:
• .

№ 222
Ub1:
• .

№ 223
Ub2:
• .

№ 224
U_Rt:
• .

№ 225
U_R1:
• .

№ 226-233
VT1 - КТ117А.

Rbb = 5 к, η = 0.5, tк - 0.8% на 1° С, Iвкл = 20 мкА, Iвыкл = 9 мА, Rнас = 20 Ом, Uд = 0.5 В. Е = 20 В, t = +25 C, R1 = R2 = 0, Rt = 40 кОм, С = 1 мкФ. Порог срабатывания (Uсмах):
• 10,5 В.
Амплитуда напряжения на емкости (Uсмах) при t = +40 C:
• 10,5 В.
При Е = 21 В, R2 = 10 кОм, t = +25 C, R1 = 0:
• Ucmax=4 В.
Е = 24 В, R2 = 10 кОм, t = +50 C, R1 = 0.
• Ucmax=5 В.
Е = 21 В, R2 = 10 кОм, t = +25 C, R1 = 0, Rt = 30 кОм.
• Icmax=175 мА.
Е = 21 В, Rt = 1.5 к, R1 = 100 Ом, R2 = 0, C = 1 мкФ. Количество импульсов на R1 в течение 1 с после включения источника питания:
• 1.
Емкость конденсатора, если схема формирует однократный импульс с задержкой после включения на 0.1 с:
• 83 мкФ.
Частота следования импульсов, если С = 0.1 мкФ:
• 500 Гц.

Блокинг-генератор

№ 234-248

На вход 1 ждущего блокинг-генератора поступает сигнал.
Осциллограмма напряжения на R4:
• .
- в точке 2.
• .
- на конденсаторе С.
• .
- на R3.
• .
- базового тока VT1.
• .
Запустить генератор с точки 3 можно сигналом:
• .
- осциллограмма напряжения на обмотке w2:
• .
- на R1.
• .
- ток в цепи VD1.
• .
- коллекторного тока VТ1.
• .
- напряжения на обмотке ПОС.
• .
Е = 20 В, R4 = 100 Ом, w1 = w3, R3 = 50 Ом. Величина перенапряжения на коллекторе VT1 (п/п приборы идеальны):
• 30 В.
С = 0.1 мкФ, Е = 20 В, R4 = 500 Ом, w1 = w3, 4w2 = w1, R1 = 10к, R2 = 2к, Uбэ = 0.5 В. Минимальное время паузы между двумя импульсами:
• 3 мс.
Длительность выходного импульса (β = 50):
• 0,2 мс.
При R4 = ∞ Ом, максимальное напряжение на конденсаторе:
• 4,5 В.

№ 249

С = 0.1 мкФ, Е = 20 В, R4 = #math beskon Ом, w1 = w3, 4w2 = w1, R1 = 10к, R2 = 2к, Uбэ = 0.5 В. Частота автоколебаний блокинг-генератора:
• 5 кГц.