Электроника и микроэлектроника
Легостаев Н.С.
Кафедра ПрЭ
Томск-2001
№ 5
Отношение электронного дрейфового тока к дырочному дрейфовому току при Т=300 К для собственного германия:
• 2,05.
№ 6
- для кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см:
• 2,23Е9.
№ 7
Подвижность электронов в кремнии при Т=300 К, если коэффициент диффузии электронов равен 31 кв*см/c:
• 1200 кв*см/Bc.
№ 8
Диффузионная длина электронов в германии р-типа, если время жизни не основных носителей заряда 10-4 с, коэффициент диффузии 99*10-4 кв*м/c:
• 0,99 мм.
№ 9
Диффузионная длина дырок в германии n-типа, если время жизни не основных носителей заряда 10-4 с, коэффициент диффузии 47*10-4 кв*м/c:
• 0,69 мм.
№ 10
Дрейфовый ток с плотностью 0.1 А/кв*см течет через кристалл германия n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см. Время, за которое электроны пройдут расстояние 5 мкм:
• 2,5 мкс.
№ 5,6
Германиевый полупроводниковый диод, имеющий обратный ток насыщения 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0.1 В, и Т=300 К. Сопротивление диода постоянному току:
• 85 Ом.
Дифференциальное сопротивление диода:
• 21,6 Ом.
№ 7
Значение дырочного диффузионного тока при постоянных напряжении и температуре определяют физические свойства:
• n-области полупроводника.
№ 8
В идеальном р-n-переходе прямое напряжение 0.1 В вызывает определенный ток носителей заряда при Т=300 К. Чтобы ток увеличился в два раза, необходимо прямое напряжение:
• 0,118 В.
№ 12
Идеальный диод, имеющий обратный ток насыщения 10 мкА, соединен последовательно с источником напряжения 10 В и резистором с сопротивлением 1 кОм. Если диод работает при Т=300 К, прямой ток и прямое напряжение на диоде:
• I=9,82 мА, U=0,18 В.
№ 13
Для стабилизации напряжения на нагрузке используется полупроводниковый стабилитрон, напряжение стабилизации которого постоянно и равно 10 В. Если Iст max=30 мА, Iст min=1 мА, Rогр=0.5 кОм, Е=30 В, пределы изменения сопротивления резистора нагрузки:
• Rmin=256 Ом, Rmax=1000 Ом.
№ 14
Два диода включили последовательно. Обратные токи насыщения диодов равны 1 мкА и 2 мкА. Напряжения пробоя диодов одинаковы и равны 100 В. Напряжения на диодах, если подводимое напряжение равно 110 В:
• Uvd1=73,3 В; Uvd2=36,7 В.
№ 15
При последовательном включении двух диодов, каждый шунтирован сопротивлением 10 МОм. Обратные токи насыщения диодов равны 1 мкА и 2 мкА. Напряжения пробоя диодов одинаковы и равны 100 В. Если подводимое обратное напряжение равно 110 В, напряжения на диодах:
• Uvd1=57,2 В; Uvd2=52,8 В.
№ 5
Эмиттерный ток для идеального транзистора, работающего в режиме отсечки, если обратный ток коллектора, обратный ток эмиттера и коэффициент передачи тока эмиттера равны соответственно 5 мкА, 3.6 мкА, 0.96:
• 0,144 мкА.
№ 6
При обратном напряжении на эмиттерном переходе и температуре Т= 25° С ток эмиттера равен 10-12 А. Ток (теоретически) при прямом напряжении 0.7 В:
• 0,6 А.
№ 7
В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, ток коллектора равен 1 мА, ток базы 20 мкА, обратный ток коллектора Iкбо=10-8 А. Коэффициент передачи тока эмиттера:
• 0,98.
№ 8
Транзистор, работает при Т=300 К и имеет следующие параметры: ток коллектора равен 10 мкА, ток базы 20 мкА, прямой коэффициент передачи тока эмиттера 0.95, инверсный коэффициент передачи тока эмиттера 0.7. Включение прямое, сопротивлениями объемов областей коллектора и эмиттера пренебречь. Остаточное напряжение:
• 14 мВ.
№ 9
Схема для измерения обратного тока коллектора Iкбо транзистора типа n-p-n.
• 
№ 6
a=0.98, rэ=12 Ом, rб=500 Ом:
• h11э=1100 Ом.
№ 7,8,9
Транзистор, включенный в схему с общей базой, имеет следующие значения h-параметров: h11б=60 Ом, h12б= 0.5*#v(10,-3), h21б=-0.93, h22б=1 мкСм.
• Y11э=1185 мкСм; Y12э=15,1 мкСм; Y21э=155506 мкСм; Y22э=8,75 мкСм.
• Y11б=16700 мкСм; Y12б=8,33 мкСм; Y21б=15500 мкСм; Y22б=6,75 мкСм.
• Y11к=1200 мкСм; Y12к=1200 мкСм; Y21к=16690 мкСм; Y22к=16700 мкСм.
№ 10
Схема с общей базой: Z11=700 Ом, Z12=500 Ом, Z21=80 кОм, Z22=100 кОм. Собственные параметры транзистора в Т-образной схеме замещения:
• rэ=20 Ом; rб=500 Ом; rк=100000 Ом; a=0,8 Ом.
№ 4
Ток базы равен 100 мкА. Падением напряжения на эмиттерном переходе пренебречь.
Коэффициент передачи тока базы:
• 49.
№ 5
Значения параметров элементов схемы: Rэ=5.4 кОм, Rн=12 кОм, Ек=24 В, Uэб=0.6 В, a=0.98.
Напряжение Uкб для входного напряжения Uвх=6 В.
• -12,24 В.
№ 6
Еэ=10 кОм, Rэ=10 кОм, Uэб=0.6 В, a=0.98.
Ток коллектора:
• 0,92 мА.
№ 7
Е=12 В, Rб=120 кОм, Rн=2 кОм, b=20. Падением напряжения на эмиттерном переходе пренебречь.
Напряжение коллектор-эмиттер:
• 8 В.
№ 3
Е=15 В, Iкбо=10 мкА, Uкэ=6 В, b=50, Iк=1 мА.
• Rб=1,5 мОм.
№ 4
Максимально допустимая мощность, которую можно получить на коллекторе транзистора, находящегося в воздушной среде при температуре Т= 20° С, если тепловое сопротивление переход-окружающая среда Rпс=1 град/мВт, а максимально допустимая температура перехода 90° С:
• 70 мВт.
№ 5
При изменении температуры от 25 до 50 градусов Цельсия обратный ток коллектора увеличился с 10 до 74 мкА.
Если Rн=2 кОм, b=49:
• Uкэ=6,4 В.
№ 4
Причина отставания по фазе переменной составляющей тока коллектора от переменной составляющей тока эмиттера в схеме с ОБ:
• инерционность процесса перемещения носителей заряда через базу от эмиттерного перехода к коллекторному, накопления и рассасывания заряда в базе.
№ 5
На частоте 20 МГц транзистор имеет h21э =|9|. Модуль коэффициента усиления по току падает до единицы на частоте:
• 180 МГц.
№ 4,5
Полевой транзистор имеет напряжение отсечки 2 В и максимальный ток стока 1.8 мА. При напряжении источника питания Ес=20 В протекает ток стока 1 мА.
Напряжение смещения затвор-исток:
• 0,5 В.
Крутизна транзистора в рабочей точке:
• 1,35 мА/В.
№ 4
Схема включения много-эмиттерного транзистора (МЭТ) в элементе ТТЛ-типа.
Режим работы транзистора Эi-Б-К при высоком уровне Uвх:
• инверсный активный режим.
№ 5
Схема элемента ТТЛ-типа
Функция диода VD:
• надежное закрытое состояние транзистора VT2.
№ 6
Недостатки МДП ИС:
• низкое быстродействие.
• высокий уровень затрат, связанный с их проектированием.
| на главную | база по специальностям | база по дисциплинам | статьи |
Другие статьи по теме
