Электроника
Часть 1
Денисов Н.П.
Кафедра КСУП
Томск-2000
| № п/п | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Точка | A | B | С | D |
| R, Ом | 33,3 | ∞ | - 50 | ∞ |
| № п/п | 5 | 6 | 7 |
| Точка | A | С | D |
| R, Ом | 33,3 | 100 | 300 |
№ 8
Сопротивление нелинейного элемента по постоянному току в точке A:
• 133 Ом.
№ 9
- дифференциальное сопротивление:
• 33,3 Ом.
№ 10
К источнику ЭДС Е=1В подключена цепь состоящая из последовательно соединенных линейного резистора R=100 Ом и нелинейного элемента с ВАХ представленной выше на рисунке.
Напряжение на нелинейном элементе в стационарном режиме:
• 0,7 В.
№ 1
Полупроводник n-типа:
• полупроводник с донорными примесями; в котором основными носителями заряда являются электроны.
№ 2
Полупроводник p-типа:
• полупроводник с акцепторными примесями; в котором основными носителями заряда являются дырки.
№ 6
Обратный ток германиевого диода Д226 при комнатной температуре (20 °C) равен 50 мкА. Если температура перехода возрастет до 74 °С, этот ток станет:
• 3,2 мА.
№ 7
- кремниевого диода КД221. (Предполагается, что температура удвоения теплового тока для кремния равна 6 °С):
• 25,6 мА.
№ 8
Обратный ток полупроводникового диода существенно превышает тепловой ток:
• Во время рассасывания зарядов в p-n-переходе при воздействии на него импульсных сигналов.
• При лавинном пробое p-n-перехода.
№ 9
Элемент, УГО которого изображено на рисунке, может использоваться для:
• Выпрямления токов и напряжений.
• Настройки в резонанс колебательных контуров.
№ 10
• Выпрямления токов и напряжений.
• Настройки в резонанс колебательных контуров.
• Стабилизации постоянных напряжений.
№ 11,12
p-n-переход смещен в прямом направлении:
• В объектах 2, 3.
- в обратном направлении:
• 1, 4.
№ 13
Выходное напряжение параметрического стабилизатора, если изменение входного напряжения ΔUвх=1 B, Rд=100 Ом, Rдиф=10 Ом, Uст=8 В.
• изменится на 0,09 В.
№ 1-4
Транзистор, работающий в инверсном режиме.
• 4.
- в активном режиме.
• 1, 3.
- в режиме отсечки.
• 2.
- в режиме насыщения.
• 1, 3.
№ 5
При использовании в усилителе транзистор должен работать:
• В активном режиме.
№ 6-8
Ток базы транзистора в схеме с двухполярным питанием, полагая, что напряжение между базой и эмиттером открытого транзистора равно 0,5 В, а коэффициент усиления транзистора по току β=100:
• 20 мкА.
- ток коллектора:
• 2 мА.
- напряжение на коллекторе (относительно корпуса):
• 3 В.
№ 9
Соотношения для токов биполярного транзистора.
• IК=αIЭ;
• IК=βIБ;
• IЭ=IК+IБ.
№ 10
При работе транзистора в активном режиме схема включения с общей базой (ОБ) по сравнению с другими схемами включения характеризуется:
• Большим выходным сопротивлением;
• Малым входным сопротивлением.
№ 1
• Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа.
№ 2
• с изолированным затвором с встроенным каналом p-типа.
№ 3
• с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа.
№ 4
• с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа.
№ 5
Если между затвором и истоком транзистора приложить напряжение Uзи=0, будут открыты полевые транзисторы:
• с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа;
• с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа;
• с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа;
• с изолированным затвором с встроенным каналом p-типа.
№ 6
- будут закрыты:
• с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа;
• с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа.
№ 7
На полевой транзистор с крутизной характеристики в рабочей точке S=10 мА/В подан гармонический сигнал U(t)=0,1cosωt (B). Изменение тока стока:
• 2 мА.
№ 8
Возможные способы выключения динистора:
• прервать ток в цепи;
• понизить напряжение на динисторе до нуля;
• изменить полярность напряжения на динисторе;
• понизить ток в цепи до уровня менее #math #l(I,выкл).
№ 9
Способы выключения тринистора:
• прервать ток в цепи;
• понизить напряжение на тринисторе до нуля;
• изменить полярность напряжения на тринисторе.
№ 10
Способы включения тринистора:
• увеличить напряжение на управляющем электроде;
• увеличить напряжение на аноде тринистора.
№ 1-4
В схеме ключа на биполярном транзисторе, ВАХ которого приведены на рисунке,
ЕК=20 В, RК=4 кОм. Для насыщения транзистора необходим базовый ток:
• 40 мкА.
ЕК=20 В. Базовая цепь обеспечивает ток базы IБ=40 мкА. Для того, чтобы обеспечить насыщение транзистора, сопротивление RК в коллекторной цепи должно быть:
• RК>3 кОм.
ЕК=20 В, RК=2 кОм. Сопротивление в базе транзистора, обеспечивающего ток базы, достаточный для насыщения транзистора, если уровень логической единицы входного сигнала U1вх=20 В:
• 333 кОм.
ЕК=20 В, IБ=40 мкА. Сопротивление RК в коллекторной цепи для того, чтобы обеспечить степень насыщения транзистора N=2, должно быть:
• RК>6 кОм.
№ 5
В ключевой КМОП схеме применяются полевые транзисторы:
• с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа;
• с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа.
№ 6,7
В ключевой схеме использован транзистор ГТ311, имеющий β=200 и обратный ток коллекторного перехода IКБО=5 мкА при температуре 25 °С. Для питания коллекторной цепи используется источник ЕК=5 В, сопротивление нагрузки в коллекторной цепи RК=1 кОм.
Определите напряжение на коллекторе транзистора в случае обрыва базового вывода транзистора при температуре 25 °С.
• 4 В.
Определите напряжение на коллекторе транзистора в случае обрыва базового вывода транзистора при температуре 43 °С, если температура удвоения теплового тока для германия 9 °.
• 1 В.
№ 8,9
В схеме ключа на биполярном транзисторе, ВАХ которого приведены на рисунке,
ЕК=20 В, RК=4 кОм, базовый ток 50 мкА. Выходное сопротивление ключа в этом режиме:
• 200 Ом.
- при базовом токе 100 мкА:
• 200 Ом.
№ 10
В ключевой схеме использован кремниевый транзистор КТ315Б, имеющий β=100 и обратный ток коллекторного перехода IКБО=1 мкА при температуре 25 °С. Максимально допустимое сопротивление RБ, при котором транзистор будет надежно закрыт, если схема должна работать в диапазоне температур -60 ÷ + 60 °С, а температура удвоения теплового тока для кремния 5 °:
• 6 кОм.
№ 1-3
Условное графическое обозначение ИМС
• 2 - с открытым коллектором.
• 3 - с третьим состоянием выхода.
• 1, 4 - с повышенной нагрузочной способностью.
№ 4
ИМС с третьим состоянием характеризуется:
• отключением выходов ИМС от последующих каскадов в третьем состоянии.
№ 5
ИМС с открытым коллектором:
• возможностью непосредственного объединения выходов ИМС;
• возможностью дополнительной монтажной логики;
• повышенной нагрузочной способностью.
№ 6
Для схемы с открытым коллектором
,
• временная диаграмма выходного напряжения, если заданы входные сигналы U1 и U2.
№ 7,8
ИМС, которая при выполнении одной и той же логической функции потребляет меньше энергии от источника питания и имеет наибольшее входное сопротивление:
• КМОП.
№ 9
Логические уровни
лог. '0' - Uвых ≤ 0,5 В
лог. '1' - Uвых ≥ 2,5 В
соответствуют стандартным уровням ИМС:
• ТТЛ;
• ТТЛШ.
№ 10
Для логического ТТЛ элемента
,
• вариант временной диаграммы выходного напряжения, если заданы входные сигналы U1 и U2.
№ 1
Таблица истинности.
| X1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| X2 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| X3 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| Y | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 |
№ 2
| X1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| X2 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| X3 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| Y | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 |
№ 3
| X1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| X2 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| X3 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| Y | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 |
№ 4
| X1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| X2 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| X3 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| Y | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 |
№ 5-8
Карте Карно
• соответствует логическая функцию Y=X1*X2+X2*X3.
№ 6
• Y=X1*X3+X2*X3.
№ 7
• Y=X1*X3+X2*X3.
№ 8
• Y=X1*X3+X2*X3.
№ 9
Карты Карно.
• 1, 3 - с допустимым для них чередованием аргументов.
• 2, 4 - с недопустимым.
№ 1,2
• 1; 2; 5 - объекты относящиеся к логическому элементу И-НЕ.
• 3; 4 - к логическому элементу И.
№ 3
• 1, 2, 4 - к логическому элементу ИЛИ.
• 3, 5 - к логическому элементу 'ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ'.
№ 5
• 1, 2, 3, 6 - к логическому элементу 'ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ'.
№ 6
• 1, 2, 3 - к логическому элементу 'ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ.
№ 7
№ 8
.
№ 9
№ 10
№ 1,8
Т-триггеры:
• 
№ 2
Входы синхронного RS-триггера.
• 
№ 3,4
Таблица истинности комбинированного RSD-триггера.
- положительный перепад импульса,
- отрицательный перепад импульса,
Q* - хранение информации.
• 
№ 5
Модуль счета счетчика.
• 7.
№ 6
• 6.
№ 7
• 5.
№ 9
Входы синхронного RS-триггера.
• 
№ 10
Динамические триггеры управляемые задним (отрицательным) фронтом импульса.
• 
№ 1
Минимальное значение частоты дискретизации для возможности последующего неискаженного восстановления сигналов в системах телефонной связи с импульсно-кодовой модуляцией (ИКМ). Стандарт требует неискаженной передачи сигналов в диапазоне от 400 Гц до 4 кГц.
• 8,0 кГц.
№ 2
- при цифровой записи и воспроизведении музыкальных программ. Предполагается, что необходимо воспроизвести без искажения диапазон частот от 10 Гц до 20 кГц.
• 40 кГц.
№ 3
- при цифровой записи и воспроизведении телевизионных программ (диапазон частот без искажения от 0 до 6.0 МГц).
• 12 МГц.
№ 4
Если необходимо оцифровать напряжение от 0 до 10 В с погрешностью ΔU ≤ 0,1 В, разрядность АЦП должна быть:
• m ≥ 7.
№ 5
- с погрешностью ΔU ≤ 0,01 В:
• m ≥ 10.
№ 6
- с погрешностью ΔU ≤ 0,001 В:
• m ≥ 12.
№ 7
Частота тактового генератора в восьмиразрядном АЦП последовательного счета при оцифровке телефонного сигнала с полосой частот от 400 Гц до 4 кГц.
• f0 ≥ 2048 кГц.
№ 8
- в восьмиразрядном АЦП последовательного приближения при оцифровке телефонного сигнала с полосой частот от 400 Гц до 4 кГц.
• f0 ≥ 64 кГц.
№ 9
- в восьмиразрядном параллельном АЦП при оцифровке телефонного сигнала с полосой частот от 400 Гц до 4 кГц.
• f0 ≥ 8 кГц.
№ 10
- в десятиразрядном АЦП последовательного приближения при оцифровке музыкальных программ с диапазоном воспроизводимых частот от 10 Гц до 20 кГц.
• f0 ≥ 400 кГц.
| на главную | база по специальностям | база по дисциплинам | статьи |
Другие статьи по теме
