Физико-химические основы технологии электронных средств
для специальности 210200 (220500)
Кафедра КИБЭВС
Чикин Е.В.
Томск-2006

Классификация интегральных микросхем.

№ 1
Планарная технология:
• это технология, основанная на создании в приповерхностном слое монокристаллической полупроводниковой пластины областей с различным типом проводимости.

№ 2
Основные виды интегральных микросхем по конструктивно-технологическому исполнению:
• Полупроводниковые, гибридные и совмещенные.

№ 3
Особенности полупроводниковых интегральных микросхем:
• Полупроводниковая ИМС – это функциональный электронный узел, элементы и соединения которого конструктивно неразделимы и изготовляются одновременно в одном технологическом процессе в объеме и на поверхности общего полупроводникового кристалла.

№ 4
Структуры элементов полупроводниковых ИМС:
• - диод;
• - транзистор;
• - конденсатор;
• - резистор.

№ 5
Гибридные ИМС:
• это ИМС, в которой в качестве активных электрорадиоэлементов используются навесные дискретные полупроводниковые приборы, а в качестве пассивных элементов – пленочные резисторы, конденсаторы и другие элементы и соединяющие их пленочные проводники.

№ 6
Степень интеграции ИМС:
• показатель сложности ИМС, который определяется десятичным логарифмом из числа элементов и компонентов находящихся в одной ИМС.

№ 7
Профильно-технологическая схема:
• последовательность рисунков, показывающих, как изменяется структура полупроводникового кристалла при выполнении определенной операции.

№ 8
Методы полупроводниковой технологии - технологические операции:
а) удаление материала - травление;
б) нанесение материала - оксидирование, термовакуумное напыление;
в) изменение свойств материала - термодиффузия, ионная имплантация, эпитаксия;
г) локальная микрообработка - фотолитография.

Особенности полупроводниковых материалов.

№ 9
Основные особенности полупроводниковых материалов:
• сильная зависимость их электропроводности от температуры, воздействия света, радиоактивного излучения, а также от наличия примесей и дефектов.

№ 10
Монокристалл:
• твердое тело, в котором упорядоченность расположения частиц распространяется на весь объем тела.

№ 11
Постоянная кристаллической решетки:
• равновесное расстояние в направлении характеристических осей между центрами ближайших одинаковых частиц.

№ 12
Анизотропия полупроводниковых материалов:
• неодинаковость механических и электрофизических свойств в различных кристаллографических направлениях.

№ 13
Грани 1 и 2 в кубической элементарной ячейке, показанной на рисунке, имеют индексы Миллера:

• 1 – (010), 2 – (010).

№ 14
Кристаллическая грань:

• имеет индексы Миллера (3 2 2).

№ 15
Кристаллографические плоскости и направления 220 и 011:
•

№ 16
Координаты некоторой кристаллической грани имеют значения 1/4 1/3 1. Соответствующие индексы Миллера:
• (4 3 1).

№ 17
Отличие реальных кристаллов от идеальных:
• В реальных кристаллах имеются дефекты в кристаллической решетке, в идеальных - их нет.

№ 18
Точечные дефекты в кристаллической решетке:
• Нарушения периодической структуры кристалла, сосредоточенные в отдельных узлах или междоузлиях кристаллической решетки.

№ 19
Основные виды примесных дефектов кристаллической структуры.
• Примеси замещения и примеси внедрения в виде чужеродных атомов, заменяющих атомы в узлах решетки или занимающих междоузлия в решетке.

№ 20
• Дефект по Шоттки – это вакансия, образовавшаяся на поверхности кристалла и диффундирующая в глубь его в результате встречного движения атомов, дефект по Френкелю – это вакансия и находящийся поблизости междоузельный атом.

№ 21
• Дефекты в виде примесных атомов замещения: донорные – имеющие один или несколько избыточных электронов, акцепторные – имеющие одну или несколько положительно заряженных пустот в связях, называемых дырками.

№ 22
Линейные дислокации:
• Это линейные дефекты кристаллической решетки, нарушающие правильное чередование атомных плоскостей в решетке.
• Это нарушение правильности расположения атомов в структуре вдоль определенной линии.

№ 23
Наличие линейных и винтовых дислокаций влияет на скорость технологических процессов – травления, возгонки, диффузии:
• С увеличением концентрации дислокаций скорость процессов травления, возгонки, диффузии возрастает.

№ 24
Поверхностные дефекты:
• Это границы зерен в поликристаллах, межфазные границы и внешние поверхности кристаллов.

Поверхностные процессы и явления.

№ 25
Поверхностное натяжение:
• Часть полной поверхностной энергии, равная работе, затрачиваемой на создание поверхности.
• Сила, действующая на единицу длины контура поверхности раздела фаз и стремящаяся сократить эту поверхность до минимума.

№ 26
Поверхностное натяжение:
а) с увеличением температуры - уменьшается;
б) с введением поверхностно-активных веществ (ПАВ) - уменьшается.

№ 27
Критерий смачивания:
• Контактный угол между смачиваемой поверхностью и поверхностью жидкости по периметру смачивания.

№ 28
Адсорбция:
• Повышение концентрации газа или компонента раствора на поверхности твердого тела.

№ 29
Физическая адсорбция обусловлена:
• Силами Ван-дер-Ваальса.

№ 30
График изотермы адсорбции Лэнгмюра вид имеет:
• Гипербола, асимптотически приближающаяся к пределу, соответствующему максимальному количеству адсорбированных молекул.

№ 31
Адгезия:
• Сцепление разнородных твердых тел, соприкасающихся своими поверхностями.

№ 32
Высота подъема жидкости в капилляре при увеличении:
а) поверхностного натяжения - увеличивается;
б) радиуса капилляра - уменьшается;
в) плотности жидкости - уменьшается.

№ 33
Уравнение Фрейндлиха определяет:
• Зависимость количества адсорбированного вещества от концентрации газов или растворов.

№ 34
При адсорбции аммиака NН₃ никелевыми опилками выделяется 46 кДж/моль теплоты. При адсорбции 2,8 л аммиака теплоты выделится:
• 5,75 кДж.

Легирование полупроводников.

№ 35
Движущей силой при диффузии является:
• Градиент концентрации атомов диффундирующего вещества.

№ 36
Первый закон диффузии определяет:
• Скорость проникновения атомов одного вещества в другое при постоянстве во времени потока этих атомов и градиента их концентрации.

№ 37
Второй закон диффузии определяет:
• Характер распределения диффундирующих частиц в различных точках среды как функцию времени.
• Концентрацию вводимой в полупроводник примеси в любой момент времени, на любом расстоянии от поверхности при заданной температуре.

№ 38
Энергия активации процесса диффузии:
• Это потенциальный барьер, который преодолевает диффундирующая частица при переходе из одного устойчивого состояния в кристаллической решетке в другое.

№ 39
Основные механизмы диффузии.
• Вакансионный, кольцевой, обменный, междоузельный, комбинированный.

№ 40
Факторы, влияющие на коэффициент диффузии.
• Температура, энергия активации, концентрация примесей, постоянная решетки, наличие дефектов.

№ 41
Коэффициент диффузии:
• D = D₀*exp(-E_a/RT)$.
• D = αΩa².

№ 42
• Повышение температуры увеличивает частоту колебаний атомов и поэтому повышает коэффициент диффузии и скорость диффузии.

№ 43
• Линейные дефекты служат источником вакансий, способствующих росту коэффициента диффузии и скорости диффузии.

№ 44
Трубчатая диффузия:
• Это диффузия вдоль каналов, осями которых являются линии краевых дислокаций.

№ 45
Сущность двухстадийного процесса осуществления диффузионного легирования:
• На первой стадии на поверхности пластин создается тонкий слой – запас диффузанта (загонка примеси), на второй стадии пластины нагреваются и происходит перераспределение и диффузия примесей вглубь пластины (разгонка примесей).

Ионная имплантация.

№ 46
Ионная имплантация:
• Это введение легирующих примесей в твердое тело, осуществляемое посредством бомбардировки его ионами примесного вещества.

№ 47
Основные механизмы потерь энергии иона при его взаимодействии с веществом:
• Электронное и ядерное торможение иона.

№ 48
• С увеличением энергии ионов до десятков кэВ потери энергии за счет ядерного торможения сначала возрастают, а затем уменьшаются, а при энергии ионов до сотен кэВ возрастают потери энергии за счет электронного торможения, а затем уменьшаются.

№ 49
При взаимодействии ионов с веществом, если:
а) в качестве ионов будет использоваться сурьма Sb (ат.вес 121,7) и мышьяк As (ат.вес 75), а их энергии будут равны 100 кэВ;
б) в качестве ионов будут использоваться бор В (ат.вес 11) и фосфор Р (ат.вес 31), а их энергии будут равны 20 кэВ:
• будет преобладать торможение: а) Sb – ядерное , As – электронное; б) В – электронное, Р – ядерное.

№ 50
Глубина проникновения ионов в вещество при имплантации:
а) при увеличении энергии иона - увеличится;
б) при увеличении атомного веса иона - уменьшится.

№ 51
Каналирование ионов:
• Проникновение ионов вглубь кристаллической решетки между цепочками упорядоченно расположенных атомов с относительно незначительным рассеиванием.

№ 52
На проявление эффекта каналирования влияют факторы:
• Энергия иона, доза облучения, постоянная решетки, температура, ориентация поверхности.

№ 53
Устранение радиационных дефектов осуществляется:
• отжигом, т.е. нагревом до определенной температуры, выдержкой и охлаждением с определенной скоростью.
• за счет расплавления дефектных слоев материала при импульсном воздействии лазерного или электронного луча.

№ 54
Радиационностимулированная диффузия:
• Это термодиффузия, осуществляемая по вакансиям, образованным при предварительном ионном облучении.

Методы очистки поверхностей.

№ 55
На эффективность физических методов очистки влияет:
• Вид органического растворителя, температура, время очистки, скорость смены отработанного растворителя, использование поверхностно-активных веществ, ультразвуковая обработка, гидромеханическая отмывка.

№ 56
Поверхностно-активные вещества:
• Это высокомолекулярные органические соединения, при добавлении которых в жидкость, происходит уменьшение ее поверхностного натяжения, улучшение смачивания поверхностей и повышение эффективности очистки от загрязнений.

№ 57
Селективность химического травления:
• Это преимущественное вытравливание дефектных мест на поверхности монокристалла в форме ямок травления.

№ 58
Сущность метода очистки газовым травлением:
• Это химическое взаимодействие поверхности материала с газообразными реагентами при повышенной температуре и образование при этом легкоудаляемых летучих соединений.

№ 59
Механизм ионного травления:
• Высокоэнергетичные ионы инертного газа передают импульсы атомам решетки, которые, смещаясь из узлов решетки, передают импульсы другим атомам, в том числе, и поверхностным, способным оторваться и покинуть поверхность.

№ 60
Коэффициент ионного распыления зависит от:
а) Энергии иона - Возрастает при увеличении энергии до сотен кВ, а затем уменьшается;
б) Порядкового номера элемента иона - Изменяется периодически в соответствии с расположением элемента в периодической системе,максимально для инертных газов;
в) Порядкового номера элемента материала решетки - Изменяется согласно периодичности изменения энергии связи атомов;
г) Угла падения иона - Увеличивается при росте угла до 50-70°, а затем уменьшается;
д) Давления газа - Не меняется, но при давлении 1,33 Па резко уменьшается.

№ 61
Сущность ионно-плазменного травления:
• Положительные ионы инертного газа из газоразрядной плазмы ускоряются в направлении катода-мишени и выбивают из нее поверхностные атомы.

№ 62
Условие анизотропного ионно-плазменного травления:
• Это условие, когда средняя длина свободного пробега иона превышает протяженность области ускорения ионов.

№ 63
Селективность травления:
• Это отношение скорости травления материала подложки к скорости травления материала маски.

№ 64
Зависимость скорости ионно-плазменного травления от основных параметров газоразрядной системы:
(U – напряжение разряда, J – плотность тока, р – давление, L – расстояние катод-анод, К –постоянная, зависящая от рода газа, материала катода, коэффициента ионного распыления).
• v_тр = (K*U*J) / (p*L).

№ 65
Особенности триодной схемы ионно-плазменного травления:
• Используется несамостоятельный разряд с накаленным катодом и вводится дополнительный электрод, на котором помещается обрабатываемая подложка, и на которую подается отрицательный потенциал.

№ 66
Особенности ионно-лучевого травления:
• Ионы инертных газов генерируются в отдельной ионной пушке, а затем с помощью специальных электродов ускоряются в направлении подложки.

№ 67
Сущность плазмохимического травления (ПХТ):
• ПХТ основано на использовании химически активных частиц, получаемых в плазме газового разряда и активно взаимодействующих с материалом подложки с образованием легколетучих соединений.

№ 68
Особенности плазмохимических реакций:
• В качестве рабочих газов активно используется CF₄, CF₂Cl₂, SF₆, которые в условиях газового разряда преобразуются в химически активные ионы и свободные радикалы, активно взаимодействующие с материалом подложки.

№ 69
Особенности реактивного ионного травления (РИТ):
• В РИТ используется совместные действия физического распыления ускоренными ионами и химических реакций между образуемыми в плазме химическиактивными частицами и материалом подложки.

Механизм зарождения и роста пленок.

№ 70
Сущность механизма гомогенного образования зародышей:
• Процесс образования зародышей заключается в росте агрегатов молекул в результате последовательных бимолекулярных реакций присоединения молекул к агрегату без участия подложки в этом процессе.

№ 71
Ход зависимости свободной энергии ΔG_i от радиуса сферического зародыша при определенной температуре:
• C ростом rΔG_i сначала возрастает, а затем достигнув максимума, уменьшается.

№ 72
Зависимость критического радиуса r_кр и критического значения свободной энергии ΔG_кр (σ_s - поверхностное натяжение, ΔG_v - изменение свободной энергии при образовании объема новой фазы):
• r_кр = 2σ_s / ΔG_V; ΔG_кр = 16πσ³_s / 3ΔG²_V.

№ 73
Отличие модели гетерогенного образования зародышей от гомогенного:
• В выражение для свободной энергии ΔG_i вводится геометрический фактор f(φ), определяемый межфазными взаимодействиями в системе подложка-зародыш-пар.

№ 74,75
Размер критического радиуса зародышей увеличится, если
а) энергетические характеристики поверхности подложки (энергетический барьер при образовании зародыша) - увеличится;
б) материал (сродство осаждаемого материала к материалу подложки) - уменьшится;
в) природа осаждаемого материала (температура кипения и степень осаждения пара N↓/N↑) - уменьшится;
г) температура подложки - увеличится;
д) состояние ее поверхности (шероховатость поверхности подложки) - увеличится;
е) плотность потока осаждаемых частиц - уменьшится.

№ 76
Эпитаксия:
• Это ориентированное наращивание монокристаллических пленок на монокристаллические пластины.

№ 77
Молекулярно-лучевая эпитаксия:
• Это осаждение монокристаллических пленок из молекулярных (атомарных пучков), получаемых при испарении материалов в условиях сверхвысокого вакуума.

Методы формирования защитных диэлектрических покрытий.

№ 78
К защитным диэлектрическим пленкам предъявляются требования:
• Полная защита поверхности исходной подложки от проникновения через нее диффундирующих элементов, химическая стойкость, стабильность во времени, однородность и бездефектность, высокое удельное сопротивление и электрическая прочность, высокая механическая прочность.

№ 79
Сущность процесса формирования пленок SiO₂ методом термического окисления:
• Поток окислителя (кислород, пары воды) при повышенной температуре взаимодействуют с кремниевой подложкой, формируя слой #math#l(SiO,2).

№ 80
На скорость роста пленки SiO₂ влияют факторы:
• Температура, давление, добавление в кислород водяного пара.

№ 81
Механизм пиролитического осаждения оксидных пленок:
• Оксидные пленки получают путем реакции разложения кремнийорганических соединений при повышенной температуре.

№ 82
Сущность метода плазмохимического осаждения (ПХО) диэлектрических пленок:
• В условиях плазмы газового разряда из молекул рабочего газа образуются высокоактивные свободные радикалы, которые адсорбируются на поверхности подложек и при химических взаимодействиях образуют пленки SiO₂ и Si₃N₄.

№ 83
Сущность реактивного ионно-плазменного осаждения диэлектрических пленок:
• В условиях газового разряда кремниевая мишень-катод подвергается бомбардировке ионами из плазмы, а распыленные атомы кремния, попадая на анод, взаимодействуют с адсорбированными молекулами азота, образуя пленку Si₃N₄.

Электрохимическое осаждение металлических пленок.

№ 84
Сущность закона Фарадея:
• Закон устанавливает связь между массой преобразованного вещества m количеством электричества, прошедшего через электролит Q, атомной массой А и валентностью элемента вещества z.
• Масса выделенного (или растворенного) при электролизе металла m прямо пропорциональна количеству электричества, прошедшего через электролит Q, атомной массе металла А и обратно пропорциональна валентности металла z и постоянной Фарадея F.

№ 85
На электродах при электролизе протекают процессы:
• На аноде окисление, на катоде – восстановление.

№ 86
Явление поляризации при электролизе:
• Возникновение обратной ЭДС между электродами при прохождении электрического тока через электролитическую ванну.

№ 87
На структуру и качество электрохимически осаждаемых пленок влияют факторы:
• Структура поверхности подложки, характер анионов, примеси различных металлов, выделение на катоде водорода, наличие в растворе электролита ПАВ, плотность тока, температура, распределение тока по поверхности катода.

№ 88
Сущность метода химического осаждения металлических пленок:
• Метод основан на восстановлении ионов металла на поверхности пластин, предварительно обработанных сенсибилизаторами и активаторами.

Получение пленок термовакуумным методом.

№ 89
Сущность термовакуумного метода получения пленок:
• В испарении материала в вакууме и конденсации паров на подложке в виде пленки.

№ 90
На скорость испарения вещества в вакууме влияют факторы:
• Температура испарения, давление насыщенного пара, природа испаряемого вещества.

№ 91
На длину свободного пробега испаряемой частицы в вакууме влияет:
• Температура испарения, размер молекулы остаточного газа, давление остаточного газа.

№ 92
Закон распределения испаряемых частиц по углам вылета:
• Интенсивность излучения молекул с поверхности испарителя пропорциональна косинусу угла между направлением излучения и нормалью к поверхности.
• Закон косинуса J = J₀cosφ, где J – интенсивность излучения молекул, J₀ – интенсивность излучения молекул в направлении, нормальном к поверхности излучения, φ – угол между направлением излучения и нормалью к поверхности.

№ 93
Реиспарение атомов на подложке и что влияет на его проявление:
• Это процесс, обратный адсорбции атомов паровой фазы на подложке, усиливается с ростом температуры подложки.

№ 94
На адгезию пленок при термовакуумном напылении влияет:
• Степень очистки подложек от загрязнений, сродство осаждаемого вещества к веществу подложки, наличие адгезива.

№ 95
Достоинства термовакуумного метода напыления пленок:
• Высокая скорость роста пленок, сравнительно низкая температура подложки, высокая степень чистоты процесса.

Плазменные методы получения пленок.

№ 96
Особенности метода нанесения пленок методом физического катодного распыления:
• Ионы инертных газов из плазмы газового разряда бомбардируют катод-мишень, а поток распыляемых при этом частиц осаждается на поверхности подложки-анода.

№ 97
Средняя энергия частиц распыляемого вещества при ионном распылении:
• 12 – 16 эВ.

№ 98
Особенности механизма формирования пленок при ионном распылении:
• Относительно высокая энергия поступающих на подложку атомов обусловливает повышение температуры подложки, увеличение скорости перемещения частиц по поверхности подложки, что приводит к получению более плотных пленок.

№ 99
Особенность реактивного катодного распыления:
• Используется тлеющий разряд в смеси инертного с активным газом, частицы распыляемого вещества взаимодействуют с активным газом, образуя на подложке пленку химического соединения.

№ 100
Особенности получения пленок в триодной схеме ионно-плазменного распыления:
• В триодных схемах распыления используется газовый разряд с накаленным катодом в условиях пониженного давления рабочего газа (до 10^-2 Па), а функции катода и мишени, анода и подложки – разделены.

№ 101
Скорость напыления в триодной схеме ионно-плазменного распыления выше, чем в диодной:
• Применение термокатода в триодной схеме позволяет повысить плотность тока разряда и, следовательно, увеличить плотность плазмы при более низком давлении газа, а подача на мишень высокого отрицательного потенциала позволяет повысить плотность потока ионов на мишень и, следовательно, скорость напыления.

№ 102
Напыление диэлектрических материалов возможно:
• В схеме высокочастотного распыления, в магнетронных распылительных системах.

№ 103
Обязательным для ионно-плазменного напыления диэлектрических материалов является:
• Использование высокочастотного разряда.

№ 104
Характерная особенность магнетронной распылительной системы:
• Использование аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.

№ 105
Траектория электронов, эмиттированных с катода в магнетронной распылительной системе:
• Циклоидальная.

№ 106
Основные достоинства магнетронных распылительных систем.
• Высокая скорость осаждения пленок, высокая чистота и хорошая адгезия пленок к подложке, универсальность процесса, позволяющая получать пленки из самых различных материалов и сплавов.

№ 107
Особенности осаждения пленок термоионным методом:
• Испарение вещества в катоде-тигле, ионизация паров в разряде на основе скрещенных электрическом и магнитном полей, ускорение полученных ионов к подложке и осаждение их на подложке в виде пленки.

№ 108
Особенности осаждения пленок ионно-кластерным методом:
• Испаряемое вещество из тигля в форме квазизамкнутого объема формируется в виде потока кластеров, который ионизируется электронным пучком, а затем уже в виде потока ионов ускоряются в направлении подложки, где частично или полностью распадаются и формируют пленку.

№ 109
Какой из методов обладает максимальными скоростями осаждения пленок:

Методы осаждения пленок	Варианты (скорость осаждения, нм/с)
	1	2	3	4
1) Физическое катодное распыление (диодная схема)	0,5	1	0,5	0,5
2) Ионно-плазменное распыление (триодная схема)	10	10	10	10
3) Высокочастотное распыление	10	10	30	10
4) Магнетронное распыление системы	100	45	50	45
5) Термоионное осаждение пленок	10	100	80	100
6) Ионно-кластерное осаждение пленок	10	100	100	1

• (4)

Основы фотолитографических процессов.

№ 110
Сущность литографического процесса:
• Это процесс воспроизведения конфигурации и взаимного расположения элементов изделий на подложке путем формирования на его поверхности защитного рельефного покрытия.
• Это процесс создания защитной маски, необходимой для локальной обработки при формировании структуры ИМС.

№ 111
Этапы проведения фотолитографии.
• Нанесение резистивного покрытия, экспонирование света через фотошаблон, формирование рельефного защитного резистивного покрытия, травление подложки и формирование контактной маски.

№ 112
Фотохимические реакции, протекающие в органических соединениях фоторезистов.
• Фотолиз, фотоприсоединение, фотоперегруппировка, фотоперенос, фотосенсибилизация.

№ 113
• Негативные фоторезисты – это органические соединения, образующие под действием света нерастворимые участки пленки за счет фотополимеризации или фотоконденсации, а позитивные – наоборот образуют под действием света растворимые за счет фотораспада участки.

№ 114
Параметры фоторезистов.
• Светочувствительность, контрастность, разрешающая способность, стойкость к воздействию агрессивных факторов.

№ 115
Разрешающая способность:
• Это свойство светочувствительного слоя передавать мелкие детали изображения раздельно. Она определяется максимальным числом линий одинаковой толщины, формируемых в слое на 1 мм поверхности.
• Это минимальная ширина раздельно воспроизводимой линии или расстояние между линиями равной толщины.

№ 116
Ограничивают разрешающую способность:
• Зернистость фоторезиста, шероховатость поверхности подложки, образование клина травления, дифракция света, аберрации.

№ 117
Фотолитография обеспечивает предельно возможную разрешающую способность:
• 0,8 – 1,0 мкм.

Элионные методы литографии.

№ 118
Особенности элионных методов литографии:
• В качестве экспонирующего используются излучения с меньшей длиной волны, чем у видимого света – облучение электронами, ионами, рентгеновскими лучами.

№ 119
Сущность сканирующей электронно-лучевой литографии:
• Сформированный узкий электронный луч фокусируется на поверхности подложки со слоем электронорезиста и перемещается (сканирует) по только определенным местам поверхности, обеспечивая экспонирование слоя резиста определенной конфигурации.
• Сформированный электронный луч сканирует по всей поверхности покрытого слоем электронорезиста подложки, включаясь в нужных местах и обеспечивая экспонирование.

№ 120
Разрешающую способность сканирующей электронно-лучевой литографии ограничивает:
• Диаметр электронного пучка, рассеивающая способность слоя электронорезиста, вторичная электронная эмиссия и отражение электронов от подложки, энергия электронов.

№ 121
Сущность механизма рентгенолитографии:
• Необходимое изображение на подложку, покрытую рентгенорезистом, переносится с рентгеношаблона посредством расходящегося широкого потока мягкого рентгеновского излучения с длиной волны 0,5 – 2 нм.

№ 122
Отличие синхротронного излучения от рентгеновского:
• Синхротронное излучение обладает значительно большей интенсивностью, высокой плотностью потока и малым углом расходимости.

№ 123
Преимущество ионной литографии перед другими видами литографии:
• Ионы, обладая большой массой, имеют малую длину волны, большее разрешение, в меньшей степени подвержены рассеянию в слое резиста, требуют меньшей дозы облучения.

№ 124
Значение разрешающей способности для различных видов литографии, мкм:
Фотолитография - 0,8-1,0;
Электронолитография - 0,3-0,5;
Ренгенолитография - 0,2-0,3;
Ионно-лучевая литография - 0,1-0,2.