№ 1
Отличие кристаллических тел от аморфных:
• у кристаллических тел есть ближний и дальний порядок в расположении атомов.
№ 2
Дефекты, существующие в кристаллах:
• точечные, линейные, объемные.
№ 3
Основные выводы зонной теории о распределении по энергетическим уровням электронов в твердых телах:
• энергия электронов в твердом теле может соответствовать энергетическим уровням в разрешенной зоне.
№ 4
Эффективная масса электрона:
• коэффициент пропорциональности между внешней силой и ускорением, приобретаемым электроном или дыркой в кристалле.
№ 5
По зонной теории твердые тела на проводники, полупроводники и диэлектрики подразделяются:
• по ширине запрещенной зоны.
№ 6
Ширина запрещенной зоны:
• интервал энергий между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости.
№ 7
Зона проводимости :
• почти пустая разрешенная зона, расположенная выше валентной.
№ 8
Валентная зона:
• разрешенная зона энергий, расположенная ниже уровня Ферми.
№ 9
Эффективная масса электрона:
• не имеет физического смысла.
№ 10
Функция Ферми (Ф - функция Ферми, Еf - уровень Ферми, Е – энергия, к – постоянная Больцмана, Т - температура):
• Ф=1/(ехр((Е - Еf)/кТ)+1).
№ 11
Энергия активации примесных атомов:
• энергетический зазор между примесным уровнем и ближайшей разрешенной зоной.
№ 12
Доноры в кремнии:
• атомы, которые при внедрении в кристаллическую решетку вносят разрешенный уровень, занятый электроном и локализованный вблизи зоны проводимости в запрещенной зоне.
№ 13
Акцепторы в кремнии:
• атомы, которые при внедрении в кристаллическую решетку вносят свободный энергетический уровень в запрещенную зону, локализованный вблизи валентной зоны.
№ 14
Дырочный полупроводник:
• полупроводник, в котором концентрация дырок больше собственной концентрации носителей заряда.
№ 15
Электронный полупроводник:
• полупроводник, в котором основными носителями заряда являются электроны.
№ 16
Собственный полупроводник:
• полупроводник, в котором концентрация собственных носителей заряда много больше концентрации примесей.
№ 17
Ширина запрещенной зоны полупроводника определяется:
• по наклону зависимости натурального логарифма концентрации носителей заряда от 1/Т в области высоких температур.
№ 18
Основными называются те носители заряда,
• которых в полупроводнике больше.
№ 19
Уровень Ферми:
• параметр, характеризующий распределение электронов по энергетическим уровням и соответствующий наполовину заполненному энергетическому уровню.
№ 20
Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике:
• в середине запрещенной зоны.
№ 21
Подвижность носителей заряда:
• дрейфовая скорость носителей заряда в направлении единичного электрического поля.
№ 22
Время жизни неравновесных носителей заряда:
• среднее время существования неравновесных носителей заряда в свободном состоянии.
№ 23
Неравновесными называются носители заряда,
• концентрация которых является избыточной по сравнению с равновесной.
№ 24
Дрейфовая скорость:
• скорость направленного перемещения в электрическом поле.
№ 25
Подвижность носителей заряда при рассеянии на ионах примеси при увеличении температуры:
• увеличивается пропорционально Т3/2.
№ 26
Температурная зависимость концентрации электронов в полупроводнике n-типа проводимости:
• .
№ 27
Температурная зависимость подвижности носителей заряда:
• .
№ 28
Удельная проводимость металлов при увеличении температуры:
• уменьшается в области комнатных температур вследствие уменьшения подвижности электронов.
№ 29
Температурная зависимость электропроводности полупроводников
• .
№ 30
Температура истощения доноров зависит:
• от энергии ионизации и концентрации примеси.
№ 31
Уравнение дрейфового тока в полупроводнике (E напряженность электрического поля):
• j=q*μn*nn*E.
№ 32
Уравнение диффузионного тока в полупроводнике:
• j=q*Dn(dn/dx).
№ 33
Генерация носителей заряда в полупроводнике:
• любой переход электронов из валентной зоны в зону проводимости.
№ 34
Рекомбинация носителей заряда в полупроводнике:
• любой переход электронов из зоны проводимости в валентную зону.
№ 35
Определить коэффициент диффузии электронов, зная их подвижность можно:
• по соотношению Эйнштейна.
№ 36
В сильных электрических полях наблюдается:
• увеличение концентрации и уменьшение подвижности электронов.
№ 37
Электростатический домен в диоде Ганна:
• двойной слой противоположных по знаку зарядов, возникающий в некоторых полупроводниках вследствие междолинного рассеяния электронов.
№ 38
Требования к полупроводниковому материалу для диода Ганна:
• зона проводимости должна состоять из двух подзон, и эффективная масса электронов в верхней подзоне значительно больше, чем в нижней.
№ 39
Эффект Ганна заключается:
• в возникновении сверхвысокочастотных колебаний тока при напряжении выше порогового.
№ 40
Ток через диод Ганна максимален:
• когда отсутствует домен.
№ 41
Запорный слой при контакте дырочного полупроводника с металлом образуется:
• при работе выхода электронов из полупроводника больше, чем из металла.
№ 42
Сплавной p-n переход:
• переход, получаемый вплавлением в полупроводник сплава, содержащего примесь противоположного исходному полупроводнику типа.
№ 43
Контактная разность потенциалов Фk в резком p-n переходе:
• определяется выражением
№ 44
Направление электрического поля в р-n переходе:
• от n- к р-типу.
№ 45
Соотношение между зарядами, накопленными в области объемного заряда p-n перехода в р- и n-типе:
• заряды равны.
№ 46
Распределения потенциала в резком и плавном p-n переходах отличаются:
• из-за различного распределения плотности объемного заряда.
№ 47
Распределения электрического поля в резком и плавном p-n переходах отличаются:
• т.к. отличается распределение плотности объемного заряда.
№ 48
Распределение плотности объемного заряда в резком p-n переходе:
• .
№ 49
Зонная диаграмма p-n перехода соответствует U=0:
• .
№ 50
Зонная диаграмма p-n-перехода соответствует положительному смещению:
• .
№ 51
Зависимость зарядной емкости резкого p-n перехода от напряжения (U):
• 1 / (Фk-U)1/2.
№ 52
- плавного p-n перехода:
• 1 / (Фk-U)1/3.
№ 53
Диффузионная емкость (I-ток через диод, Io - обратный ток диода, τ - время жизни носителей заряда):
• С = q*τ(I+I0) / (k*T).
№ 54
Зависимость обратного тока р-n перехода от концентрации примесей:
• ток уменьшается при увеличении концентрации примеси.
№ 55
Обратный ток p-n-перехода при увеличении температуры:
• увеличивается пропорционально e-ΔE/(k*T).
№ 56
Электронно-дырочный переход:
• двойной слой объемных зарядов ионов доноров и акцепторов, возникающий на границе раздела двух полупроводников противоположного типа проводимости.
№ 57
Дрейфовый ток p-n перехода от приложенного напряжения:
• не зависит.
№ 58
Зависимость диффузионного тока p-n-перехода от приложенного напряжения:
• изменяется пропорционально exp(±qU/(kT)).
№ 59
Ток насыщения p-n-перехода определяется:
• концентрацией неосновных носителей заряда.
№ 60
Природа зарядной емкости p-n-перехода:
• зарядная емкость обусловлена изменением заряда ионов примеси и ширины p-n-перехода при изменении напряжения.
№ 61
Транзистор называется биполярным, т.к.:
• в создании тока участвуют носители заряда двух знаков.
№ 62
Биполярные транзисторы в зависимости от механизма переноса неосновных носителей заряда через базу делят на типы:
• дрейфовые и бездрейфовые.
№ 63
Коэффициент передачи тока эмиттера:
• отношение приращения тока в цепи коллектора к вызвавшему его приращению тока в цепи эмиттера.
№ 64
Эффективность эмиттера для p-n-p-транзистора:
• отношение дырочной составляющей тока эмиттера к полному току через эмиттерный переход.
№ 65
Коэффициент переноса носителей через базу для n-p-n-транзистора:
• отношение электронной составляющей тока коллектора к электронной составляющей тока эмиттера.
№ 66
Причиной температурной нестабильности схем на транзисторах является:
• экспоненциальное увеличение обратного тока коллектора при увеличении температуры.
№ 67
Обратный ток p-n-перехода коллектор-база p-n-p-транзистора создается:
• электронами коллектора и дырками базы.
№ 68
Входной вольтамперной характеристикой (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с общей базой является:
• зависимость тока эмиттера от напряжения на переходе эмиттер-база при постоянном напряжении на коллекторе.
№ 69
Ток через транзисторную структуру при токе базы равном нулю:
• Iэ=Iк.
№ 70
Связь коэффициентов передачи токов эмиттера и базы транзистора:
• β=α/(1-α).
№ 71
Форма канала в МДП-транзисторе.
• .
№ 72
Поверхностные состояния:
• разрешенные энергетические уровни в запрещенной зоне поверхностного слоя полупроводника.
№ 73
Быстрыми называются:
• поверхностные состояния, имеющие время обмена носителями заряда с разрешенными зонами менее 10-7 с.
№ 74
Выходная характеристика МДП-транзистора со встроенным p-каналом в схеме с общим истоком (U0 – пороговое напряжение).
• .
№ 75
- с встроенным n-каналом в схеме с общим истоком.
• .
№ 76
- с индуцированным p-каналом в схеме с общим истоком.
• .
№ 77
- с индуцированным n-каналом в схеме с общим истоком.
• .
№ 78
Инверсия проводимости:
• изменение типа проводимости.
№ 79
Эффект поля:
• изменение поверхностной проводимости полупроводника под действием поперечного электрического поля.
№ 80
Величина входного сопротивления полевого транзистора:
• несколько мегаОм.
№ 81
Гальваномагнитными называются:
• явления в веществе, наблюдаемые при совместном воздействии электрического и магнитного полей.
№ 82
Термомагнитными:
• явления в магнитном поле при наличии градиента температуры.
№ 83
Термоэлектрические явления:
• явления в кристаллах, связанные с переносом носителей заряда при градиенте температуры.
№ 84
Эффект Холла относится:
• к гальваномагнитным эффектам.
№ 85
Эффект Зеебека заключается:
• в возникновении термоэлектродвижущей силы.
№ 86
Постоянная Холла (Rx) связана с концентрацией носителей заряда в полупроводнике n-типа проводимости (А – коэффициент, зависящий от механизма рассеяния; Е – энергия электрона;):
• Rx=-A/(q*nn).
№ 87
Определить тип проводимости полупроводника можно по измерениям:
• эффекта Холла.
№ 88
Произведением постоянной Холла и удельной электропроводности определяется:
• подвижность основных носителей заряда полупроводникового материала.
№ 89
Сила Лоренца:
• не зависит от знака носителей заряда.
№ 90
Практическое применение постоянной Холла:
• для расчета концентрации носителей заряда.
№ 91
Фотоэлектрическими явлениями называются:
• изменения электрических свойств твердого тела (электропроводности, диэлектрической проницаемости, появление фото-э.д.с. и др.) под действием электромагнитного излучения.
№ 92
Фотопроводимость полупроводников:
• добавочная неравновесная проводимость, возникающая под действием света.
№ 93
Условие, определяющее “красную” границу фототока в полупроводниках.
• энергия фотона равна ширине запрещенной зоны.
№ 94
Фотодиод работает в фотодиодном режиме при сочетании тока(I) и напряжения(U):
• U < 0; I < 0.
№ 95
В процессе поглощения света должны выполняться:
• законы сохранения энергии и импульса.
№ 96
Электропроводность полупроводника при низких температурах увеличивается:
• при собственном и примесном поглощении электромагнитного излучения.
№ 97
Фототок во внешней цепи фотодиода:
• направлен от n- к p-типу, возникает в результате разделения неравновесных носителей заряда контактным электрическим полем p-n-перехода.
№ 98
Темновая проводимость фоторезистора:
• проводимость полупроводника, обусловленная равновесными носителями заряда.
№ 99
Коэффициент поглощения:
• коэффициент пропорциональности, численно равный количеству поглощенной энергии из пучка единичной интенсивности в слое единичной толщины.
№ 100
Глубина залегания p-n-перехода:
• должна быть много меньше диффузионной длины.
на главную | база по специальностям | база по дисциплинам | статьи |
Другие статьи по теме