дипломы,диссертации,курсовые,контрольные,рефераты,отчеты на заказ

Материалы и элементы электронной техники и твердотельная электроника
Капилевич Р.М.
Кафедра ФЭ
Томск-2007

Указаны только правильные ответы, другие варианты можно узнать скачав файл из архива → М_ээтехн.ФЭ.

 
дипломы,курсовые,рефераты,контрольные,диссертации,отчеты на заказ

№ 1
Принцип Паули гласит:
• на одном энергетическом уровне может находиться не более двух электронов.

№ 2
В чем отличие энергетических диаграмм зонной теории твердого тела для проводников от энергетических диаграмм для диэлектриков?
• Отсутствует запрещенная зона.

№ 3
Материал, имеющий при комнатной температуре удельное сопротивление более 107 Ом*м относится к классу:
• диэлектриков.

№ 4
Материал, имеющий при комнатной температуре удельное сопротивление более 10-7 Ом*м относится к классу:
• проводников.

№ 5
При увеличении температуры концентрация электронов в чистых металлах:
• не зависит от температуры.

№ 6
Удельное сопротивление металла в основном зависит от:
• длины свободного пробега электронов.

№ 7
Сопротивление сплавов по сравнению с сопротивлением чистых металлов:
• всегда выше.

№ 8
Самое малое удельное сопротивление имеет:
• серебро.

№ 9
Общее сопротивление проводника при увеличении частоты приложенного напряжения с 50 Гц до 50 КГц:
• увеличивается.

№ 10
При температуре близкой к абсолютному нулю удельное сопротивление металлов:
• в зависимости от состава и структуры стремится к нулю или к некоторому постоянному значению.

№ 11
Материал для изготовления прецизионного резистора.
• Манганин.

№ 12
Материал для изготовления нагревательного элемента для обогрева помещения.
• Нихром.

№ 13
Материалы для изготовления термопары.
• Алюмель - хромель.

№ 14
Материал для изготовления высокоомного резистора.
• Кермет.

№ 15
Удельное сопротивление металлов увеличивается с ростом температуры,:
• так как уменьшается длина свободного пробега электронов.

№ 16
Резистор предназначен:
• для создания в электрической цепи заданной величины активного сопротивления.

№ 17
Номинальная мощность рассеивания резистора - это: • максимально допустимая мощность, которую резистор может рассеивать при непрерывной работе в заданных условиях эксплуатации без изменения параметров R и δR.

№ 18
Физический смысл температурного коэффициента сопротивления (ТКС) - это: • относительное изменение сопротивления при изменении температуры на один градуc.

№ 19
Электрический ток в диэлектриках обеспечивается:
• электронами и ионами.

№ 20
Электропроводность диэлектриков при увеличении температуры:
• экспоненциально возрастает.

№ 21
При постоянном напряжении в диэлектрике:
• преобладает ток сквозной проводимости.

№ 22
Какой состав неорганического стекла характеризуется максимальным значением удельного объемного сопротивления?
• 100% SiO2.

№ 23
Выберите диэлектрик, имеющий низкие потери на высоких частотах.
• Неполярный.

№ 24
Какой вид электрического пробоя преобладает в конденсаторных диэлектриках?
• Вид пробоя определяется конкретными условиями пробоя.

№ 25
Мощность диэлектрических потерь на электропроводность при увеличении частоты приложенного напряжения:
• не зависит от частоты.

№ 26
Окись индия:
• является проводящим окислом и используется как прозрачный электрод.

№ 27
В качестве материала для подложки, на которой формируется гибридная микросхема широко используется:
• ситалл.

№ 28
Выберите керамический материал, имеющий наиболее высокую диэлектрическую проницаемость.
• Сегнетокерамика.

№ 29
Наиболее температуростойким полимером является:
• фторопласт-4.

№ 30
В неполярном диэлектрике есть потери:
• на электропроводность.

№ 31
В полярном диэлектрике есть потери:
• на электропроводность + релаксационные.

№ 32
Что такое угол диэлектрических потерь?
• Угол, дополняющий угол сдвига между током и напряжением в реальном диэлектрике до 90 градусов.

№ 33
Диэлектрическая проницаемость показывает:
• способность диэлектрика поляризоваться.

№ 34
tg δ неполярных диэлектриков с ростом температуры:
• растет по экспоненте.

№ 35
Конденсатор предназначен:
• для накопления электрической энергии.

№ 36
Номинальная емкость конденсатора - это:
• значение емкости, которое должно обеспечиваться при оговоренных в ТУ условиях эксплуатации.

№ 37
Физический смысл температурного коэффициента емкости (ТКЕ):
• относительное изменение емкости при изменении температуры на один градуc.

№ 38
Номинальное напряжение - это:
• максимальное напряжение, при котором конденсатор может работать в заданном диапазоне температур в течение гарантированного срока службы.

№ 39
Что такое “допуск”?
• Это предельно допустимая величина относительного отклонения емкости от номинального значения в нормальных условиях.

№ 40
Постоянная времени саморазряда конденсатора:
• время, за которое напряжение на конденсаторе после отключения его от источника постоянного тока уменьшается в e раз.

№ 41
По каким характеристикам диэлектрика определяется постоянная времени саморазряда конденсатора?
• По удельному сопротивлению и диэлектрической проницаемости.

№ 42
Какие конденсаторы нормируются по ТКЕ?
• Слюдяные, керамические, стеклянные.

№ 43
Диамагнетики слабо намагничиваются, так как магнитные моменты атомов:
• равны нулю.

№ 44
Парамагнетики слабо намагничиваются, так как магнитные моменты атомов:
• направлены хаотически.

№ 45
Антиферромагнетики слабо намагничиваются, так как магнитные моменты атомов:
• направлены в противоположные стороны.

№ 46
Намагниченность ферромагнетиков:
• много больше, чем напряженность магнитного поля.

№ 47
Магнитная проницаемость вещества при увеличении напряженности магнитного поля:
• возрастает, затем уменьшается.

№ 48
При увеличении частоты перемагничивающего поля мощность потерь на вихревые токи:
• возрастает.

№ 49
Потери на вихревые токи:
• в ферромагнитных материалах больше, чем в ферримагнитных.

№ 50
Потери на гистерезис:
• в магнитотвердых больше, чем в магнитомягких.

№ 51
Материал для сердечника трансформатора, работающего на частоте 3 КГц.
• Феррит.

№ 52
Удельное сопротивление чистой меди при температурах T1 и T2 равно соответственно ρ1 и ρ2.
T1, °C 20
T2, °C 100
ρ1, мкОм*м 0.017
ρ2, мкОм*м 0.023
T3, °C 0
Определить удельное сопротивление ρ3 при T3.
• 0.015 мкОм*м

№ 53
Удельное сопротивление чистой меди при температурах T1 и T2 равно соответственно ρ1 и ρ2.
T1, °C 20
T2, °C 100
ρ1, мкОм*м 0.017
ρ2, мкОм*м 0.023
T3, °C 200
Определить удельное сопротивление ρ3 при T3.
• 0.03 мкОм*м

№ 54
Один спай термопары помещен в печь с температурой T1, другой находится при температуре T2. Вольтметр показывает при этом термоЭДС - UT. Чему будет равна термоЭДС, если температура в печи изменится до T3?
T1, °C 120
T2, °C 20
UT, мВ 3
T3, °C 200
• 5.4 мВ

№ 55
Один спай термопары помещен в печь с температурой T1, другой находится при температуре T2. Вольтметр показывает при этом термоЭДС - UT. Чему будет равна термоЭДС, если температура в печи изменится до T3?
T1, °C 340
T2, °C 100
UT, мВ 5,2
T3, °C 220
• 2.6 мВ

№ 56
Вычислите падение напряжения на полностью включенном реостате, изготовленном из константановой проволоки длиной 10 м при плотности тока 5 А/м². Удельное сопротивление константана 0.5 мкОм*м.
• 25 В.

№ 57
Электрическая лампочка с вольфрамовой нитью рассчитана на 220 В и потребляет мощность 40 Вт. Определите длину нити этой лампочки, если диаметр нити d=0.01 мм. Температура нити при горении лампы 2700К. Удельное сопротивление вольфрама при 0°С равно 5*10-8 Ом*м, ТК ρ=5*10-3 К-1.
• 14.46 см

№ 58
Удельное сопротивление Al при #math 20°С равно ρ=0.027 мкОм*м, ТК ρ=4.1*10-3 К-1.
Определить длину этого провода при 100°С, если при этой температуре сопротивление равно 1.2 Ом. Сечение провода 6 мм².
• 200.8 м

№ 60
Диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε. Частота приложенного напряжения f. Тангенс угла диэлектрических потерь tg δ. Определить удельное сопротивление диэлектрика, если известно, что потери энергии обусловлены его электропроводностью.
ε 2.5
f, кГц 1
tg δ 5*1010
• 1.4*1010 Ом*м.

№ 61
Диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε. Частота приложенного напряжения f. Тангенс угла диэлектрических потерь tg δ. Определить удельное сопротивление диэлектрика, если известно, что потери энергии обусловлены его электропроводностью.
ε 3
f, кГц 1
tg δ 10-3
• 6*109 Ом*м.

№ 62
Диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε. Частота приложенного напряжения f. Тангенс угла диэлектрических потерь #math tg$delta. Определить удельное сопротивление диэлектрика, если известно, что потери энергии обусловлены его электропроводностью.
ε 2,2
f, кГц 2
tg δ 10-4
• 4.1*1010 Ом*м.

№ 63
Определить толщину диэлектрика в конденсаторе (в метрах), рабочее напряжение которого Uраб. Электрическая прочность диэлектрика Епр. Коэффициент запаса по электрической прочности К.
Uраб, B 450
E, B/м 107
K 2
• 9*10-5 м.

№ 64
Определить толщину диэлектрика в конденсаторе (в метрах), рабочее напряжение которого Uраб. Электрическая прочность диэлектрика Епр. Коэффициент запаса по электрической прочности К.
Uраб, B 600
E, B/м 107
K 4
• 2.4*10-4 м.

№ 65
На поверхности диэлектрика параллельно друг другу на расстоянии l=12 мм расположены два узких электрода длиной b=20 мм. Определить удельное поверхностное сопротивление диэлектрика ρS, если сопротивление между электродами R = 5 МОм.
• 8.3 MOм

№ 66
У конденсатора емкость 0.18 мкФ, постоянная времени саморазрядки равна τ=72 минуты. Определите сопротивление изоляции.
• R=2.4*1010 Ом.

№ 67
Определить тангенс угла диэлектрических потерь в неполярном диэлектрике на частоте 1.5 кГц, если удельное сопротивление материала равно 3*1014 Ом*м, а диэлектрическая проницаемость ε=2.4.
• tg δ=1.66*10-8.

№ 68
Постоянная времени саморазрядки слюдяного конденсатора равна 177 минут. Диэлектрическая проницаемость слюды ε=6. Найти удельное объемное сопротивление слюды.
• ρ=2*104 Ом*м.

№ 69
В плоском конденсаторе емкостью С=39 пФ используется неорганическое стекло, имеющее диэлектрическую проницаемость ε=6 и пробивную напряженность Епр=100 МВ/м. Какими следует выбрать толщину диэлектрика d и площадь обкладок S, если конденсатор должен работать при напряжении 16 кВ при четырехкратном запасе по электрической прочности? Возможность поверхностного пробоя при расчете не учитывать.
• d=6.4*10-4, S=4.69*10-4 м².

№ 70
Электрическая прочность диэлектрика составляет 3*107 В/м, ε=12.4. Определить толщину диэлектрика d в конденсаторе с параметрами: С=150 пФ, рабочее напряжение 150 В. Запас по электрической прочности равен 3.
• d=1.5*10-5 м.

№ 71
На цилиндрическом образце диаметром 10 мм, длиной 15.7 мм на всю поверхность торцов нанесены электроды. Если напряжение U=1000 В, а ρ=5*1012 Ом, чему равен ток утечки по поверхности цилиндра?
• I=4*10-10 A.

№ 72
Цилиндрический стержень диаметром D=20 мм и длиной h=50 мм из фенопласта с ρV=1011 Ом*м, и ρS=5*1012 Ом, зажат между двумя металлическими электродами, между которыми приложено напряжение 100 В постоянного тока. Определите ток через стержень.
• I=3*10-10 A.

№ 73
При напряженности магнитного поля H=104 A/м магнитная индукция в материале B=1.26 Тл. Определить магнитную проницаемость материала.
• (100)

№ 74
При напряженности магнитного поля H=2*103 A/м магнитная индукция в материале B=2.52 Тл. Определить магнитную проницаемость материала.
• (1000)

№ 75
Определить, сколько витков необходимо намотать на магнитный сердечник длиной l и диаметром d, чтобы получить индуктивность L. Магнитная проницаемость сердечника μ.
l, мм 60
d, мм 5
L, мГн 25
μ 8000
• (87)

№ 76
Определить, сколько витков необходимо намотать на магнитный сердечник длиной l и диаметром d, чтобы получить индуктивность L. Магнитная проницаемость сердечника μ.
l, мм 200
d, мм 30
L, мГн 40
μ 6000
• (39)

№ 77
Что такое полупроводник?
• Bещество, являющееся по своей удельной проводимости промежуточным между проводником и диэлектриком.

№ 78
Какой полупроводник называется собственным?
• Полупроводник, не содержащий донорных и акцепторных примесей.

№ 79
Собственные полупроводники отличаются от примесных:
• отсутствием в кристаллической решетке атомов другой валентности.

№ 80
Где располагается уровень Ферми в собственном полупроводнике?
• Bблизи середины запрещенной зоны.

№ 81
Введение примесей в электронный полупроводник:
• сдвигает уровень Ферми относительно середины запрещенной зоны вверх.

№ 82
От чего зависит проводимость примесных полупроводников при постоянной температуре?
• Oт концентрации примесей.

№ 83
Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников p-типа?
• C валентностью меньшей, чем у исходного материала.

№ 84
Где располагается уровень Ферми у примесных полупроводников n- типа?
• Bблизи зоны проводимости.

№ 85
Ток диффузии обусловлен:
• направленным движением электронов и дырок за счет градиента концентрации.

№ 86
Дрейфовый ток обусловлен:
• направленным движением электронов и дырок за счет сил электрического поля.

№ 87
Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике р-типа?
• Дырки.

№ 88
Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике n-типа?
• Электроны.

№ 89
Что такое p-n переход?
• Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n- типа, а другая p-типа.

№ 90
Чем объясняется наличие потенциального барьера в переходном слое между двумя областями полупроводника с разной структурой?
• Наличием двойного электрического слоя, образующегося за счет диффузии носителей и появления нескомпенсированного объемного заряда в переходе.

№ 91
Какими процессами определяется наличие барьерной емкости p-n перехода?
• Изменением объемного заряда в p-n переходе при изменении напряжения.

№ 92
Какими процессами определяется наличие диффузионной емкости у p-n структуры?
• Перераспределением зарядов в областях, прилегающих к p-n переходу за счет инжекции и экстракции подвижных носителей.

№ 93
Что называется пробоем p-n перехода?
• Резкое увеличение дифференциальной проводимости при увеличении (по абсолютной величине) обратного напряжения.

№ 94
Какой пробой p-n перехода называется лавинным?
• Пробой, вызванный образованием лавины носителей под действием сильного электрического поля.

№ 95
Какой пробой p-n перехода называется туннельным?
• Пробой, вызванный туннельным эффектом.

№ 96
Какой пробой p-n перехода называется тепловым?
• Пробой, возникающий вследствие нарушения равновесия между рассеиваемым теплом и теплом, выделяемым в p-n переходе.

№ 97
Что такое выпрямляющий контакт?
• Контакт, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.

№ 98
Что такое невыпрямляющий контакт?
• Контакт, электрическое сопротивление которого не зависит от направления и величины тока.

№ 99
Какие причины приводят к резкому возрастанию обратного тока при большом обратном напряжении на диоде?
• Возникновение пробоя перехода.

№ 100
Полупроводниковый диод - это:
• полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий два вывода.

№ 101
Является ли наличие выпрямляющего перехода обязательным в полупроводниковом диоде?
• Наличие одного выпрямляющего перехода обязательно.

№ 102
Что такое выпрямительный диод?
• Диод, предназначенный для использования в устройствах преобразования переменного тока в постоянный.

№ 103
Какой вид электрического пробоя типичен для германиевых диодов?
• Тепловой пробой.

№ 104
Какой вид электрического пробоя типичен для кремниевых диодов?
• Лавинный пробой.

№ 105
Какие диоды (германиевые или кремниевые) могут работать при высоких температурах?
• Кремниевые.

№ 106
Что такое варикап?
• Диод, в котором используется зависимость барьерной емкости перехода от значения обратного напряжения.

№ 107
Что называется эмиттером?
• Область транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей.

№ 108
Что называется коллектором?
• Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей.

№ 109
Напряжение насыщения в полевом транзисторе - это напряжение:
• при котором канал у стока полностью перекрывается.

№ 110
Ширина запрещенной зоны - это:
• энергетический зазор между дном зоны проводимости Ес и потолком валентной зоны Ev.

№ 111
Удельное сопротивление примесного полупроводника:
• ниже, чем у собственного.

№ 112
При повышении температуры подвижность носителей в примесном полупроводнике:
• снижается.

№ 113
В собственном полупроводнике:
• концентрация электронов равна концентрации дырок.

№ 114
В донорном полупроводнике примесные уровни расположены в запрещенной зоне:
• вблизи дна зоны проводимости.

№ 115
Концентрация электронов в начальный момент времени в полупроводнике составляет 1017 см-3. За время 10-4 с эта концентрация уменьшилась до 1015 см-3. Определить время жизни носителей в таком полупроводнике.
• τn=2*10-5 c.

№ 116
Определить скорость дрейфа электронов Vдр n и дырок Vдр p в собственном германии при температуре Т = 300К, если полупроводник находится в электрическом поле с напряженностью Е=1000 В/см.
• Vдр p=1.9*106 см/c, Vдр n=3.9*106 см/c.

№ 117
Определить ширину запрещенной зоны германия (Ge) при температуре Т = 300 К, если при Т = 0 К ширина запрещенной зоны 0.73 эВ.
• 0.658 эВ

№ 118
Удельное сопротивление собственного германия равно 0.43 Ом*м. Определить собственную концентрацию носителей Ge при Т = 300К.
• ni=2.5*1013 см-3.

№ 119
В кремний введены донорные и акцепторные примеси. Концентрации доноров и акцепторов соответственно равны Nд=5*1017 см-3, Na=1017 см-3. Определить удельное сопротивление ρ.
• 0.011 Ом*см

№ 120
Рассчитать собственную концентрацию носителей ni в германии и кремнии при Т= 300К, полагая в германии и кремнии 0.5mp*=mn*=m0.
• ni (Si)=1.57*16 м-3, ni (Ge)=9.64*19 м-3.

№ 121
Под действием света при Т=300 К на поверхности n-кремния генерируются носители заряда. На расстоянии 50 мкм их концентрация уменьшается в е раз. Чему равно время жизни электронов (τn).
• τn=6.92*10-7 c.

№ 122
Концентрация носителей за время t=10-5 с уменьшается с 5*1015 см-3 до 1015 см-3. Определить время жизни носителей.
• τ=1.6*10-6 c.

№ 123
Длина диффузионного смещения электронов Ln=10-2 см. Концентрация носителей на поверхности полупроводника 1017 см-3. Определить плотность диффузионного тока в таком полупроводнике.
• 36.4 A/см²

№ 124
Плотность дрейфового тока в n-Si jnдр=2*102 A/см2 при напряженности поля E=104 B/см. Оценить подвижность электронов ( min) в полупроводнике, если концентрация неосновных носителей заряда в нем равна 106 см-3.
• 1250 см2/(B*c)

№ 125
Найти уровень Ферми в собственном полупроводнике относительно середины запрещенной зоны Еi при температуре Т = 300 К, если mp*=2mn*.
• EF=Ei+0.013 эВ.

№ 126
Определить положение уровня Ферми ЕF в кремнии n- и p-типа, относительно середины запрещенной зоны Ei, если концентрации доноров и акцепторов равны Nд=Nа=1016 см-3, а собственная концентрация ni=1010-3.
• B n-типе EF=Ei+0.356 эВ, в p-типе EF=Ei-0.356 эВ.

№ 127
Определить положение уровня Ферми ЕF в германии относительно потолка валентной зоны ЕV при Т = 300 К, если концентрация акцепторов Nа=1015 см-3, ширина запрещенной зоны в германии 0.67 эВ.
• EF=Ev+0.24 эВ.

№ 128
Определить концентрацию свободных электронов в зоне проводимости, если уровень Ферми ЕF лежит ниже дна зоны проводимости Ес на 0.2 эВ и mn*=0.5m0.
• n=3.8*1015 см-3.

№ 129
Рассчитать собственную концентрацию ni в полупроводнике при Т=300 К, если он легирован донорной примесью с концентрацией Nд=101616 см-3. Уровень Ферми ЕF лежит выше середины запрещенной зоны Еi на 0.1 эВ.
• ni=2.07*1014 см-3.

№ 130
Имеется сплавной германиевый p-n переход с концентрацией атомов донорной примеси Nд=103Nа, причем на каждые 108 атомов германия приходится 1 атом акцепторной примеси. Концентрация атомов в германии NGe=4.4*1028 м-3. Определить контактную разность потенциалов θk0 при температуре Т= 300 К.
• 0.33 эВ

№ 131
Концентрация легирующих примесей в p-области в два раза больше, чем в n-области p-n перехода из кремния. Определить контактную разность потенциалов θk0 при Т = 300 К, если концентрация электронов в p-области 106 см-3.
• 0.457 эВ

№ 132
Определить ток, текущий через p-n переход при прямом напряжении U = 0.3 В, если токи насыщения равны IS1=10-5 А и IS2=10-8 А.
• I1=1.12 А; I2=1.12 мА.

№ 133
Германиевый n-p-n транзистор имеет толщину базы W = 10 мкм. Полагая τnp=10-5 с, а концентрацию примесей в эмиттере Nэ=1016 см-3, и в базе Nб=1014 см-3. Определить коэффициент передачи тока эмиттера α, эффективность эмиттера γ и коэффициент переноса носителей через базу αn.
• α=0.980; γ=0.999; αn=0.998.

№ 134
Оценить и сравнить коэффициент передачи тока эмиттера α и коэффициент передачи тока базы β для кремниевого p-n-p и n-p-n транзисторов, полагая время жизни электронов и дырок τnp=10-5 с. Толщина базы W = 20 мкм, эффективность эмиттера γ=1.
• αn=0.984(при p-n-p); αn=0.994(при n-p-n); β1=165; β2=49

№ 135
p-n-p кремниевый транзистор имеет концентрацию примесей в эмиттере Nэ=1024 м-3 и в базе Nб=1022 м-3, длину диффузионного смещения в эмиттере Lэ=10-3 см, толщину базы W=5*10-4 см. Определить отношение электронной компоненты тока эмиттера к дырочной Iэn/Iэp=?
• 0.014

№ 136
Определить эффективность эмиттера γ, если электронная компонента тока в p-n-p БТ в 103 раз меньше дырочной.
• 0.999

№ 137
Определить сопротивление Rк в цепи коллектора при Ек=20 В, если коэффициент передачи тока базы β=40, ток базы Iб=3 мА, и степень насыщения γn=2.
• 333 Ом

№ 138
В каком режиме работает транзистор, если ток коллектора в режиме насыщения Iк нас.=80 мА, ток базы Iб=1 мА, коэффициент передачи тока базы базы β=20.
• режим активной работы

№ 139
Транзистор находится в режиме насыщения. Во сколько раз возрастет степень насыщения транзистора γn, если Ек возрастет в 2 раза, а ток базы останется неизменным?
• в 2 раза

№ 140
Если ток эмиттера Iэ=6 мА, а ток коллектора Iк=5.75 мА, то чему равен ток базы и коэффициент передачи тока базы β?
• Iб=0.25 мА; β=23

№ 141
Ток коллектора Iк=100 мА, ток базы Iб=0.5 мА. Определить коэффициент передачи тока базы β и коэффициент передачи тока эмиттера α.
• α=200; β=0.99

№ 142
Коэффициент передачи тока базы β=150. Если ток коллектора Iк=45 мА, то чему равен ток базы Iб?
• 30 мА.

№ 143
Коэффициент передачи тока базы β=400. Чему равен ток базы, если ток коллектора Iк=50 мА?
• 0.125 эВ

№ 144
В биполярном транзисторе обратный ток коллекторного перехода Iкб0=10-6 А, нормальный коэффициент передачи тока αn=0.98; инверсный коэффициент передачи тока aI=0.36. Определить обратный ток эмиттерного перехода IЭБ0.
• IЭБ0=6.1*10-6 A.

№ 145
Германиевый p-n-p транзистор имеет обратный ток коллекторного перехода IКБ0=10-7 А. Kонцентрация примеси в эмиттере NЭ=1017 см-3, концентрация примеси в базе Nб=1015 см-3, и в коллекторе NК=5*1015 см-3, толщина базы W=4*10-4 см, длина диффузионного смещения в эмиттере LЭ=10-4 см, длина диффузионного смещения в базе Lб=10-3 см и в коллекторе Lк=5*10-4 см. Определить обратный ток коллекторного перехода IКБ0.
• IKБ0=1.415*10-7 A.

№ 146
Биполярный транзистор с коэффициентом передачи тока эмиттера α=0.95 включен в схему со свободной базой. Определить ток коллектора Iк, если обратный ток коллекторного перехода Iкб0=10-6 А.
• 20 мкА.

№ 147
У сплавного транзистора p-n-p из кремния толщина базы W = 1 мкм, удельное сопротивление базы ρб=0.5 Ом*см. Определить напряжение прокола базы Uпрок.б.
• 6.7 В.

№ 148
Германиевый n-p-n транзистор имеет напряжение прокола базы Uпрок.б=30 В, концентрацию примеси в базе Nб=1021 м-3. Полагая коэффициент передачи тока базы β=30, эффективность эмиттера γ=1, найти время жизни носителей в базе τб.
• τб=8*10-8 c.

№ 149
Выразить С и D через h-параметры.
• D=1/h21; C=-h22*1/h21.

№ 150
Определить входное сопротивление транзистора в схеме с общей базой и общим эмиттером h11 Б, h11 Э, если коэффициент передачи тока эмиттера α=0.98, дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода RЭ=12 Ом, сопротивление базы RБ=500 Ом.
• h11 Б=22 Ом; h11 Э=1100 Ом.

№ 151
Определить дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода RЭ при Т = 300К, если ток эмиттера IЭ=100 мА.
• 0.258 Ом.

№ 152
Определить выходную проводимость в схеме с общим эмиттером h22 Э, если коэффициент передачи тока эмиттера α=0.95, дифференциальное сопротивление коллекторного перехода R=100 кОм.
• 200 мкСм.

№ 153
Определить ток эмиттера IЭ в биполярном транзисторе при Т=300 К, если дифференциальное сопротивление эмиттера RЭ=25 Ом.
• 1 мA.

№ 154
Определить коэффициент передачи тока эмиттера α при токе эмиттера IЭ=2 мА, если в схеме с общей базой входное сопротивление при коротком замыкании (КЗ) на выходе составляет 150 Ом, а сопротивление базы RБ=220 Ом.
• 0.99

№ 155
При Т=300 К ток эмиттера IЭ=10 мА. fβ/fα=0.05. Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общей базой при коротком замыкании на выходе, если эффективность эмиттера γ=1.
• 25.8 Ом.

№ 156
Определить коэффициент передачи тока базы β в биполярном транзисторе при условии, что входное сопротивление с общим эмиттером при коротком замыкании на выходе равно 500 Ом; RЭ=150 Ом, эффективность эмиттера γ=1.
• 21.2.

№ 157
Найти диффузионную емкость эмиттерного перехода СЭД в германиевом p-n-p биполярном транзисторе, если обратный ток эмиттерного перехода IЭБ 0=10-7 А, UЭБ=0.2 В, концентрация примеси в базе NБ=1015 см-3, напряжение прокола базы Uпрок.б=30 В.
• 48.9 пФ.

№ 158
Биполярный транзистор из германия имеет дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода RЭ=15 Ом, толщина базы равна W=10-3 см при UкБ=9 В и время жизни дырок τp=10-5 с. Полагая эффективность эмиттера γ=1, рассчитать дифференциальное сопротивление коллекторного перехода RКБ p-n-p транзистора, если концентрация примеси в базе NБ=1015 см-3.
• 12.9 МОм.

№ 159
Даны следующие параметры транзистора: RЭ=30 Ом, RБ=500 Ом, RКБ=0.25 Мом, коэффициент передачи тока эмиттера α=0.95. Определить Z-параметры в схеме с общим эмиттером.
• Z11 Э=530 Ом; Z12 Э=30 Ом; Z21 Э=4.75 МОм; Z22 Э=250 кОм.


на главную база по специальностям база по дисциплинам статьи