Материалы и элементы электронной техники и твердотельная электроника
Капилевич Р.М.
Кафедра ФЭ
Томск-2007

№ 1
Принцип Паули гласит:
• на одном энергетическом уровне может находиться не более двух электронов.

№ 2
В чем отличие энергетических диаграмм зонной теории твердого тела для проводников от энергетических диаграмм для диэлектриков?
• Отсутствует запрещенная зона.

№ 3
Материал, имеющий при комнатной температуре удельное сопротивление более 10⁷ Ом*м относится к классу:
• диэлектриков.

№ 4
Материал, имеющий при комнатной температуре удельное сопротивление более 10^-7 Ом*м относится к классу:
• проводников.

№ 5
При увеличении температуры концентрация электронов в чистых металлах:
• не зависит от температуры.

№ 6
Удельное сопротивление металла в основном зависит от:
• длины свободного пробега электронов.

№ 7
Сопротивление сплавов по сравнению с сопротивлением чистых металлов:
• всегда выше.

№ 8
Самое малое удельное сопротивление имеет:
• серебро.

№ 9
Общее сопротивление проводника при увеличении частоты приложенного напряжения с 50 Гц до 50 КГц:
• увеличивается.

№ 10
При температуре близкой к абсолютному нулю удельное сопротивление металлов:
• в зависимости от состава и структуры стремится к нулю или к некоторому постоянному значению.

№ 11
Материал для изготовления прецизионного резистора.
• Манганин.

№ 12
Материал для изготовления нагревательного элемента для обогрева помещения.
• Нихром.

№ 13
Материалы для изготовления термопары.
• Алюмель - хромель.

№ 14
Материал для изготовления высокоомного резистора.
• Кермет.

№ 15
Удельное сопротивление металлов увеличивается с ростом температуры,:
• так как уменьшается длина свободного пробега электронов.

№ 16
Резистор предназначен:
• для создания в электрической цепи заданной величины активного сопротивления.

№ 17
Номинальная мощность рассеивания резистора - это: • максимально допустимая мощность, которую резистор может рассеивать при непрерывной работе в заданных условиях эксплуатации без изменения параметров R и δR.

№ 18
Физический смысл температурного коэффициента сопротивления (ТКС) - это: • относительное изменение сопротивления при изменении температуры на один градуc.

№ 19
Электрический ток в диэлектриках обеспечивается:
• электронами и ионами.

№ 20
Электропроводность диэлектриков при увеличении температуры:
• экспоненциально возрастает.

№ 21
При постоянном напряжении в диэлектрике:
• преобладает ток сквозной проводимости.

№ 22
Какой состав неорганического стекла характеризуется максимальным значением удельного объемного сопротивления?
• 100% SiO₂.

№ 23
Выберите диэлектрик, имеющий низкие потери на высоких частотах.
• Неполярный.

№ 24
Какой вид электрического пробоя преобладает в конденсаторных диэлектриках?
• Вид пробоя определяется конкретными условиями пробоя.

№ 25
Мощность диэлектрических потерь на электропроводность при увеличении частоты приложенного напряжения:
• не зависит от частоты.

№ 26
Окись индия:
• является проводящим окислом и используется как прозрачный электрод.

№ 27
В качестве материала для подложки, на которой формируется гибридная микросхема широко используется:
• ситалл.

№ 28
Выберите керамический материал, имеющий наиболее высокую диэлектрическую проницаемость.
• Сегнетокерамика.

№ 29
Наиболее температуростойким полимером является:
• фторопласт-4.

№ 30
В неполярном диэлектрике есть потери:
• на электропроводность.

№ 31
В полярном диэлектрике есть потери:
• на электропроводность + релаксационные.

№ 32
Что такое угол диэлектрических потерь?
• Угол, дополняющий угол сдвига между током и напряжением в реальном диэлектрике до 90 градусов.

№ 33
Диэлектрическая проницаемость показывает:
• способность диэлектрика поляризоваться.

№ 34
tg δ неполярных диэлектриков с ростом температуры:
• растет по экспоненте.

№ 35
Конденсатор предназначен:
• для накопления электрической энергии.

№ 36
Номинальная емкость конденсатора - это:
• значение емкости, которое должно обеспечиваться при оговоренных в ТУ условиях эксплуатации.

№ 37
Физический смысл температурного коэффициента емкости (ТКЕ):
• относительное изменение емкости при изменении температуры на один градуc.

№ 38
Номинальное напряжение - это:
• максимальное напряжение, при котором конденсатор может работать в заданном диапазоне температур в течение гарантированного срока службы.

№ 39
Что такое “допуск”?
• Это предельно допустимая величина относительного отклонения емкости от номинального значения в нормальных условиях.

№ 40
Постоянная времени саморазряда конденсатора:
• время, за которое напряжение на конденсаторе после отключения его от источника постоянного тока уменьшается в e раз.

№ 41
По каким характеристикам диэлектрика определяется постоянная времени саморазряда конденсатора?
• По удельному сопротивлению и диэлектрической проницаемости.

№ 42
Какие конденсаторы нормируются по ТКЕ?
• Слюдяные, керамические, стеклянные.

№ 43
Диамагнетики слабо намагничиваются, так как магнитные моменты атомов:
• равны нулю.

№ 44
Парамагнетики слабо намагничиваются, так как магнитные моменты атомов:
• направлены хаотически.

№ 45
Антиферромагнетики слабо намагничиваются, так как магнитные моменты атомов:
• направлены в противоположные стороны.

№ 46
Намагниченность ферромагнетиков:
• много больше, чем напряженность магнитного поля.

№ 47
Магнитная проницаемость вещества при увеличении напряженности магнитного поля:
• возрастает, затем уменьшается.

№ 48
При увеличении частоты перемагничивающего поля мощность потерь на вихревые токи:
• возрастает.

№ 49
Потери на вихревые токи:
• в ферромагнитных материалах больше, чем в ферримагнитных.

№ 50
Потери на гистерезис:
• в магнитотвердых больше, чем в магнитомягких.

№ 51
Материал для сердечника трансформатора, работающего на частоте 3 КГц.
• Феррит.

№ 52
Удельное сопротивление чистой меди при температурах T₁ и T₂ равно соответственно ρ₁ и ρ₂.

T1, °C	20
T2, °C	100
ρ1, мкОм*м	0.017
ρ2, мкОм*м	0.023
T3, °C	0

Определить удельное сопротивление ρ₃ при T₃.
• 0.015 мкОм*м

№ 53
Удельное сопротивление чистой меди при температурах T₁ и T₂ равно соответственно ρ₁ и ρ₂.

T1, °C	20
T2, °C	100
ρ1, мкОм*м	0.017
ρ2, мкОм*м	0.023
T3, °C	200

Определить удельное сопротивление ρ₃ при T₃.
• 0.03 мкОм*м

№ 54
Один спай термопары помещен в печь с температурой T₁, другой находится при температуре T₂. Вольтметр показывает при этом термоЭДС - U_T. Чему будет равна термоЭДС, если температура в печи изменится до T₃?

T1, °C	120
T2, °C	20
UT, мВ	3
T3, °C	200

• 5.4 мВ

№ 55
Один спай термопары помещен в печь с температурой T₁, другой находится при температуре T₂. Вольтметр показывает при этом термоЭДС - U_T. Чему будет равна термоЭДС, если температура в печи изменится до T₃?

T1, °C	340
T2, °C	100
UT, мВ	5,2
T3, °C	220

• 2.6 мВ

№ 56
Вычислите падение напряжения на полностью включенном реостате, изготовленном из константановой проволоки длиной 10 м при плотности тока 5 А/м². Удельное сопротивление константана 0.5 мкОм*м.
• 25 В.

№ 57
Электрическая лампочка с вольфрамовой нитью рассчитана на 220 В и потребляет мощность 40 Вт. Определите длину нити этой лампочки, если диаметр нити d=0.01 мм. Температура нити при горении лампы 2700К. Удельное сопротивление вольфрама при 0°С равно 5*10^-8 Ом*м, ТК ρ=5*10^-3 К^-1.
• 14.46 см

№ 58
Удельное сопротивление Al при #math 20°С равно ρ=0.027 мкОм*м, ТК ρ=4.1*10^-3 К^-1.
Определить длину этого провода при 100°С, если при этой температуре сопротивление равно 1.2 Ом. Сечение провода 6 мм².
• 200.8 м

№ 60
Диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε. Частота приложенного напряжения f. Тангенс угла диэлектрических потерь tg δ. Определить удельное сопротивление диэлектрика, если известно, что потери энергии обусловлены его электропроводностью.

ε	2.5
f, кГц	1
tg δ	5*1010

• 1.4*10¹⁰ Ом*м.

№ 61
Диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε. Частота приложенного напряжения f. Тангенс угла диэлектрических потерь tg δ. Определить удельное сопротивление диэлектрика, если известно, что потери энергии обусловлены его электропроводностью.

ε	3
f, кГц	1
tg δ	10-3

• 6*10⁹ Ом*м.

№ 62
Диэлектрическая проницаемость диэлектрика ε. Частота приложенного напряжения f. Тангенс угла диэлектрических потерь #math tg$delta. Определить удельное сопротивление диэлектрика, если известно, что потери энергии обусловлены его электропроводностью.

ε	2,2
f, кГц	2
tg δ	10-4

• 4.1*10¹⁰ Ом*м.

№ 63
Определить толщину диэлектрика в конденсаторе (в метрах), рабочее напряжение которого U_раб. Электрическая прочность диэлектрика Е_пр. Коэффициент запаса по электрической прочности К.

Uраб, B	450
E, B/м	107
K	2

• 9*10^-5 м.

№ 64
Определить толщину диэлектрика в конденсаторе (в метрах), рабочее напряжение которого U_раб. Электрическая прочность диэлектрика Е_пр. Коэффициент запаса по электрической прочности К.

Uраб, B	600
E, B/м	107
K	4

• 2.4*10^-4 м.

№ 65
На поверхности диэлектрика параллельно друг другу на расстоянии l=12 мм расположены два узких электрода длиной b=20 мм. Определить удельное поверхностное сопротивление диэлектрика ρ_S, если сопротивление между электродами R = 5 МОм.
• 8.3 MOм

№ 66
У конденсатора емкость 0.18 мкФ, постоянная времени саморазрядки равна τ=72 минуты. Определите сопротивление изоляции.
• R=2.4*10¹⁰ Ом.

№ 67
Определить тангенс угла диэлектрических потерь в неполярном диэлектрике на частоте 1.5 кГц, если удельное сопротивление материала равно 3*10¹⁴ Ом*м, а диэлектрическая проницаемость ε=2.4.
• tg δ=1.66*10^-8.

№ 68
Постоянная времени саморазрядки слюдяного конденсатора равна 177 минут. Диэлектрическая проницаемость слюды ε=6. Найти удельное объемное сопротивление слюды.
• ρ=2*10⁴ Ом*м.

№ 69
В плоском конденсаторе емкостью С=39 пФ используется неорганическое стекло, имеющее диэлектрическую проницаемость ε=6 и пробивную напряженность Е_пр=100 МВ/м. Какими следует выбрать толщину диэлектрика d и площадь обкладок S, если конденсатор должен работать при напряжении 16 кВ при четырехкратном запасе по электрической прочности? Возможность поверхностного пробоя при расчете не учитывать.
• d=6.4*10^-4, S=4.69*10^-4 м².

№ 70
Электрическая прочность диэлектрика составляет 3*10⁷ В/м, ε=12.4. Определить толщину диэлектрика d в конденсаторе с параметрами: С=150 пФ, рабочее напряжение 150 В. Запас по электрической прочности равен 3.
• d=1.5*10^-5 м.

№ 71
На цилиндрическом образце диаметром 10 мм, длиной 15.7 мм на всю поверхность торцов нанесены электроды. Если напряжение U=1000 В, а ρ=5*10¹² Ом, чему равен ток утечки по поверхности цилиндра?
• I=4*10^-10 A.

№ 72
Цилиндрический стержень диаметром D=20 мм и длиной h=50 мм из фенопласта с ρ_V=10¹¹ Ом*м, и ρ_S=5*10¹² Ом, зажат между двумя металлическими электродами, между которыми приложено напряжение 100 В постоянного тока. Определите ток через стержень.
• I=3*10^-10 A.

№ 73
При напряженности магнитного поля H=10⁴ A/м магнитная индукция в материале B=1.26 Тл. Определить магнитную проницаемость материала.
• (100)

№ 74
При напряженности магнитного поля H=2*10³ A/м магнитная индукция в материале B=2.52 Тл. Определить магнитную проницаемость материала.
• (1000)

№ 75
Определить, сколько витков необходимо намотать на магнитный сердечник длиной l и диаметром d, чтобы получить индуктивность L. Магнитная проницаемость сердечника μ.

l, мм	60
d, мм	5
L, мГн	25
μ	8000

• (87)

№ 76
Определить, сколько витков необходимо намотать на магнитный сердечник длиной l и диаметром d, чтобы получить индуктивность L. Магнитная проницаемость сердечника μ.

l, мм	200
d, мм	30
L, мГн	40
μ	6000

• (39)

№ 77
Что такое полупроводник?
• Bещество, являющееся по своей удельной проводимости промежуточным между проводником и диэлектриком.

№ 78
Какой полупроводник называется собственным?
• Полупроводник, не содержащий донорных и акцепторных примесей.

№ 79
Собственные полупроводники отличаются от примесных:
• отсутствием в кристаллической решетке атомов другой валентности.

№ 80
Где располагается уровень Ферми в собственном полупроводнике?
• Bблизи середины запрещенной зоны.

№ 81
Введение примесей в электронный полупроводник:
• сдвигает уровень Ферми относительно середины запрещенной зоны вверх.

№ 82
От чего зависит проводимость примесных полупроводников при постоянной температуре?
• Oт концентрации примесей.

№ 83
Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников p-типа?
• C валентностью меньшей, чем у исходного материала.

№ 84
Где располагается уровень Ферми у примесных полупроводников n- типа?
• Bблизи зоны проводимости.

№ 85
Ток диффузии обусловлен:
• направленным движением электронов и дырок за счет градиента концентрации.

№ 86
Дрейфовый ток обусловлен:
• направленным движением электронов и дырок за счет сил электрического поля.

№ 87
Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике р-типа?
• Дырки.

№ 88
Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике n-типа?
• Электроны.

№ 89
Что такое p-n переход?
• Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n- типа, а другая p-типа.

№ 90
Чем объясняется наличие потенциального барьера в переходном слое между двумя областями полупроводника с разной структурой?
• Наличием двойного электрического слоя, образующегося за счет диффузии носителей и появления нескомпенсированного объемного заряда в переходе.

№ 91
Какими процессами определяется наличие барьерной емкости p-n перехода?
• Изменением объемного заряда в p-n переходе при изменении напряжения.

№ 92
Какими процессами определяется наличие диффузионной емкости у p-n структуры?
• Перераспределением зарядов в областях, прилегающих к p-n переходу за счет инжекции и экстракции подвижных носителей.

№ 93
Что называется пробоем p-n перехода?
• Резкое увеличение дифференциальной проводимости при увеличении (по абсолютной величине) обратного напряжения.

№ 94
Какой пробой p-n перехода называется лавинным?
• Пробой, вызванный образованием лавины носителей под действием сильного электрического поля.

№ 95
Какой пробой p-n перехода называется туннельным?
• Пробой, вызванный туннельным эффектом.

№ 96
Какой пробой p-n перехода называется тепловым?
• Пробой, возникающий вследствие нарушения равновесия между рассеиваемым теплом и теплом, выделяемым в p-n переходе.

№ 97
Что такое выпрямляющий контакт?
• Контакт, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.

№ 98
Что такое невыпрямляющий контакт?
• Контакт, электрическое сопротивление которого не зависит от направления и величины тока.

№ 99
Какие причины приводят к резкому возрастанию обратного тока при большом обратном напряжении на диоде?
• Возникновение пробоя перехода.

№ 100
Полупроводниковый диод - это:
• полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий два вывода.

№ 101
Является ли наличие выпрямляющего перехода обязательным в полупроводниковом диоде?
• Наличие одного выпрямляющего перехода обязательно.

№ 102
Что такое выпрямительный диод?
• Диод, предназначенный для использования в устройствах преобразования переменного тока в постоянный.

№ 103
Какой вид электрического пробоя типичен для германиевых диодов?
• Тепловой пробой.

№ 104
Какой вид электрического пробоя типичен для кремниевых диодов?
• Лавинный пробой.

№ 105
Какие диоды (германиевые или кремниевые) могут работать при высоких температурах?
• Кремниевые.

№ 106
Что такое варикап?
• Диод, в котором используется зависимость барьерной емкости перехода от значения обратного напряжения.

№ 107
Что называется эмиттером?
• Область транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей.

№ 108
Что называется коллектором?
• Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей.

№ 109
Напряжение насыщения в полевом транзисторе - это напряжение:
• при котором канал у стока полностью перекрывается.

№ 110
Ширина запрещенной зоны - это:
• энергетический зазор между дном зоны проводимости Е_с и потолком валентной зоны E_v.

№ 111
Удельное сопротивление примесного полупроводника:
• ниже, чем у собственного.

№ 112
При повышении температуры подвижность носителей в примесном полупроводнике:
• снижается.

№ 113
В собственном полупроводнике:
• концентрация электронов равна концентрации дырок.

№ 114
В донорном полупроводнике примесные уровни расположены в запрещенной зоне:
• вблизи дна зоны проводимости.

№ 115
Концентрация электронов в начальный момент времени в полупроводнике составляет 10¹⁷ см^-3. За время 10^-4 с эта концентрация уменьшилась до 10¹⁵ см^-3. Определить время жизни носителей в таком полупроводнике.
• τ_n=2*10^-5 c.

№ 116
Определить скорость дрейфа электронов V_{др n} и дырок V_{др p} в собственном германии при температуре Т = 300К, если полупроводник находится в электрическом поле с напряженностью Е=1000 В/см.
• V_{др p}=1.9*10⁶ см/c, V_{др n}=3.9*10⁶ см/c.

№ 117
Определить ширину запрещенной зоны германия (Ge) при температуре Т = 300 К, если при Т = 0 К ширина запрещенной зоны 0.73 эВ.
• 0.658 эВ

№ 118
Удельное сопротивление собственного германия равно 0.43 Ом*м. Определить собственную концентрацию носителей Ge при Т = 300К.
• n_i=2.5*10¹³ см^-3.

№ 119
В кремний введены донорные и акцепторные примеси. Концентрации доноров и акцепторов соответственно равны N_д=5*10¹⁷ см^-3, Na=10¹⁷ см^-3. Определить удельное сопротивление ρ.
• 0.011 Ом*см

№ 120
Рассчитать собственную концентрацию носителей n_i в германии и кремнии при Т= 300К, полагая в германии и кремнии 0.5m_p^*=m_n^*=m₀.
• n_i (Si)=1.57*¹⁶ м^-3, n_i (Ge)=9.64*¹⁹ м^-3.

№ 121
Под действием света при Т=300 К на поверхности n-кремния генерируются носители заряда. На расстоянии 50 мкм их концентрация уменьшается в е раз. Чему равно время жизни электронов (τ_n).
• τ_n=6.92*10^-7 c.

№ 122
Концентрация носителей за время t=10^-5 с уменьшается с 5*10¹⁵ см^-3 до 10¹⁵ см^-3. Определить время жизни носителей.
• τ=1.6*10^-6 c.

№ 123
Длина диффузионного смещения электронов L_n=10^-2 см. Концентрация носителей на поверхности полупроводника 10¹⁷ см^-3. Определить плотность диффузионного тока в таком полупроводнике.
• 36.4 A/см²

№ 124
Плотность дрейфового тока в n-Si j_n^др=2*10² A/см² при напряженности поля E=10⁴ B/см. Оценить подвижность электронов ( mi_n) в полупроводнике, если концентрация неосновных носителей заряда в нем равна 10⁶ см^-3.
• 1250 см²/(B*c)

№ 125
Найти уровень Ферми в собственном полупроводнике относительно середины запрещенной зоны Е_i при температуре Т = 300 К, если m_p^*=2m_n^*.
• E_F=E_i+0.013 эВ.

№ 126
Определить положение уровня Ферми Е_F в кремнии n- и p-типа, относительно середины запрещенной зоны E_i, если концентрации доноров и акцепторов равны N_д=N_а=10¹⁶ см^-3, а собственная концентрация n_i=10¹⁰ cм^-3.
• B n-типе E_F=E_i+0.356 эВ, в p-типе E_F=E_i-0.356 эВ.

№ 127
Определить положение уровня Ферми Е_F в германии относительно потолка валентной зоны Е_V при Т = 300 К, если концентрация акцепторов N_а=10¹⁵ см^-3, ширина запрещенной зоны в германии 0.67 эВ.
• E_F=E_v+0.24 эВ.

№ 128
Определить концентрацию свободных электронов в зоне проводимости, если уровень Ферми Е_F лежит ниже дна зоны проводимости Е_с на 0.2 эВ и m_n^*=0.5m₀.
• n=3.8*10¹⁵ см^-3.

№ 129
Рассчитать собственную концентрацию n_i в полупроводнике при Т=300 К, если он легирован донорной примесью с концентрацией N_д=10¹⁶16 см^-3. Уровень Ферми Е_F лежит выше середины запрещенной зоны Е_i на 0.1 эВ.
• n_i=2.07*10¹⁴ см^-3.

№ 130
Имеется сплавной германиевый p-n переход с концентрацией атомов донорной примеси N_д=10³N_а, причем на каждые 10⁸ атомов германия приходится 1 атом акцепторной примеси. Концентрация атомов в германии N_Ge=4.4*10²⁸ м^-3. Определить контактную разность потенциалов θ_k⁰ при температуре Т= 300 К.
• 0.33 эВ

№ 131
Концентрация легирующих примесей в p-области в два раза больше, чем в n-области p-n перехода из кремния. Определить контактную разность потенциалов θ_k⁰ при Т = 300 К, если концентрация электронов в p-области 10⁶ см^-3.
• 0.457 эВ

№ 132
Определить ток, текущий через p-n переход при прямом напряжении U = 0.3 В, если токи насыщения равны I_S1=10^-5 А и I_S2=10^-8 А.
• I₁=1.12 А; I₂=1.12 мА.

№ 133
Германиевый n-p-n транзистор имеет толщину базы W = 10 мкм. Полагая τ_n=τ_p=10^-5 с, а концентрацию примесей в эмиттере N_э=10¹⁶ см^-3, и в базе N_б=10¹⁴ см^-3. Определить коэффициент передачи тока эмиттера α, эффективность эмиттера γ и коэффициент переноса носителей через базу α_n.
• α=0.980; γ=0.999; α_n=0.998.

№ 134
Оценить и сравнить коэффициент передачи тока эмиттера α и коэффициент передачи тока базы β для кремниевого p-n-p и n-p-n транзисторов, полагая время жизни электронов и дырок τ_n=τ_p=10^-5 с. Толщина базы W = 20 мкм, эффективность эмиттера γ=1.
• α_n=0.984(при p-n-p); α_n=0.994(при n-p-n); β₁=165; β₂=49

№ 135
p-n-p кремниевый транзистор имеет концентрацию примесей в эмиттере N_э=10²⁴ м^-3 и в базе N_б=10²² м^-3, длину диффузионного смещения в эмиттере L_э=10^-3 см, толщину базы W=5*10^-4 см. Определить отношение электронной компоненты тока эмиттера к дырочной I_эn/I_эp=?
• 0.014

№ 136
Определить эффективность эмиттера γ, если электронная компонента тока в p-n-p БТ в 10³ раз меньше дырочной.
• 0.999

№ 137
Определить сопротивление R_к в цепи коллектора при Е_к=20 В, если коэффициент передачи тока базы β=40, ток базы I_б=3 мА, и степень насыщения γ_n=2.
• 333 Ом

№ 138
В каком режиме работает транзистор, если ток коллектора в режиме насыщения I_{к нас.}=80 мА, ток базы I_б=1 мА, коэффициент передачи тока базы базы β=20.
• режим активной работы

№ 139
Транзистор находится в режиме насыщения. Во сколько раз возрастет степень насыщения транзистора γ_n, если Е_к возрастет в 2 раза, а ток базы останется неизменным?
• в 2 раза

№ 140
Если ток эмиттера I_э=6 мА, а ток коллектора I_к=5.75 мА, то чему равен ток базы и коэффициент передачи тока базы β?
• I_б=0.25 мА; β=23

№ 141
Ток коллектора I_к=100 мА, ток базы I_б=0.5 мА. Определить коэффициент передачи тока базы β и коэффициент передачи тока эмиттера α.
• α=200; β=0.99

№ 142
Коэффициент передачи тока базы β=150. Если ток коллектора I_к=45 мА, то чему равен ток базы I_б?
• 30 мА.

№ 143
Коэффициент передачи тока базы β=400. Чему равен ток базы, если ток коллектора I_к=50 мА?
• 0.125 эВ

№ 144
В биполярном транзисторе обратный ток коллекторного перехода I_кб0=10^-6 А, нормальный коэффициент передачи тока α_n=0.98; инверсный коэффициент передачи тока a_I=0.36. Определить обратный ток эмиттерного перехода I_ЭБ0.
• I_ЭБ0=6.1*10^-6 A.

№ 145
Германиевый p-n-p транзистор имеет обратный ток коллекторного перехода I_КБ0=10^-7 А. Kонцентрация примеси в эмиттере N_Э=10¹⁷ см^-3, концентрация примеси в базе N_б=10¹⁵ см^-3, и в коллекторе N_К=5*10¹⁵ см^-3, толщина базы W=4*10^-4 см, длина диффузионного смещения в эмиттере L_Э=10^-4 см, длина диффузионного смещения в базе L_б=10^-3 см и в коллекторе L_к=5*10^-4 см. Определить обратный ток коллекторного перехода I_КБ0.
• I_KБ0=1.415*10^-7 A.

№ 146
Биполярный транзистор с коэффициентом передачи тока эмиттера α=0.95 включен в схему со свободной базой. Определить ток коллектора I_к, если обратный ток коллекторного перехода I_кб0=10^-6 А.
• 20 мкА.

№ 147
У сплавного транзистора p-n-p из кремния толщина базы W = 1 мкм, удельное сопротивление базы ρ_б=0.5 Ом*см. Определить напряжение прокола базы U_прок.б.
• 6.7 В.

№ 148
Германиевый n-p-n транзистор имеет напряжение прокола базы U_прок.б=30 В, концентрацию примеси в базе N_б=10²¹ м^-3. Полагая коэффициент передачи тока базы β=30, эффективность эмиттера γ=1, найти время жизни носителей в базе τ_б.
• τ_б=8*10^-8 c.

№ 149
Выразить С и D через h-параметры.
• D=1/h₂₁; C=-h₂₂*1/h₂₁.

№ 150
Определить входное сопротивление транзистора в схеме с общей базой и общим эмиттером h_{11 Б}, h_{11 Э}, если коэффициент передачи тока эмиттера α=0.98, дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода R_Э=12 Ом, сопротивление базы R_Б=500 Ом.
• h_{11 Б}=22 Ом; h_{11 Э}=1100 Ом.

№ 151
Определить дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода R_Э при Т = 300К, если ток эмиттера I_Э=100 мА.
• 0.258 Ом.

№ 152
Определить выходную проводимость в схеме с общим эмиттером h_{22 Э}, если коэффициент передачи тока эмиттера α=0.95, дифференциальное сопротивление коллекторного перехода R_KБ=100 кОм.
• 200 мкСм.

№ 153
Определить ток эмиттера I_Э в биполярном транзисторе при Т=300 К, если дифференциальное сопротивление эмиттера R_Э=25 Ом.
• 1 мA.

№ 154
Определить коэффициент передачи тока эмиттера α при токе эмиттера I_Э=2 мА, если в схеме с общей базой входное сопротивление при коротком замыкании (КЗ) на выходе составляет 150 Ом, а сопротивление базы R_Б=220 Ом.
• 0.99

№ 155
При Т=300 К ток эмиттера I_Э=10 мА. f_β/f_α=0.05. Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общей базой при коротком замыкании на выходе, если эффективность эмиттера γ=1.
• 25.8 Ом.

№ 156
Определить коэффициент передачи тока базы β в биполярном транзисторе при условии, что входное сопротивление с общим эмиттером при коротком замыкании на выходе равно 500 Ом; R_Э=150 Ом, эффективность эмиттера γ=1.
• 21.2.

№ 157
Найти диффузионную емкость эмиттерного перехода С_ЭД в германиевом p-n-p биполярном транзисторе, если обратный ток эмиттерного перехода I_{ЭБ 0}=10^-7 А, U_ЭБ=0.2 В, концентрация примеси в базе N_Б=10¹⁵ см^-3, напряжение прокола базы U_прок.б=30 В.
• 48.9 пФ.

№ 158
Биполярный транзистор из германия имеет дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода R_Э=15 Ом, толщина базы равна W=10^-3 см при U_кБ=9 В и время жизни дырок τ_p=10^-5 с. Полагая эффективность эмиттера γ=1, рассчитать дифференциальное сопротивление коллекторного перехода R_КБ p-n-p транзистора, если концентрация примеси в базе N_Б=10¹⁵ см^-3.
• 12.9 МОм.

№ 159
Даны следующие параметры транзистора: R_Э=30 Ом, R_Б=500 Ом, R_КБ=0.25 Мом, коэффициент передачи тока эмиттера α=0.95. Определить Z-параметры в схеме с общим эмиттером.
• Z_{11 Э}=530 Ом; Z_{12 Э}=30 Ом; Z_{21 Э}=4.75 МОм; Z_{22 Э}=250 кОм.