дипломы,диссертации,курсовые,контрольные,рефераты,отчеты на заказ

Моделирование систем - 2
для специальности 220300
Черкашин М.В.
Кафедра КСУП
Томск-2002

Заказать контрольную или курсовую работу по теме:
Моделирование систем.

Принципы и задачи проектирования.

№ 1
Основные принципы проектирования сложных технических объектов:
• Декомпозиция и иерархичность описаний объектов;
• Типизация и унификация проектных решений и средств проектирования;
• Многоэтапность и итерационность процесса проектирования.

№ 2
Функциональные узлы радиоэлектронной системы (устройства) описываются :
• Принципиальной электрической схемой.

№ 3
Отдельные блоки радиоэлектронной системы (устройства) описываются :
• функциональной схемой.

№ 4
Радиоэлектронная система (устройство) описывается:
• Структурной схемой.

№ 5
Анализ технического задания, обоснование методов и принципов проектирования радиоэлектронного устройства производится на этапе:
• Системного проектирования.

№ 6
Разбиение радиоэлектронного устройства на отдельные блоки, назначение требований к выходным параметрам блоков производится на этапе:
• Структурного проектирования.

№ 7
Разработка принципиальной электрической схемы отдельных блоков и самой радиоэлектронной системы производится на этапе:
• Схемотехнического проектирования.

№ 8
Техническое проектирование узлов и блоков радиоэлектронного устройства производится на этапе:
• конструкторского проектирования.

№ 9
Описание средств и методов изготовления радиоэлектронного устройства производится на этапе:
• технологического проектирования.

№ 10
Определение принципов построения и выбор структуры радиоэлектронного устройства производится на этапе:
• Системного проектирования;
• Структурного проектирования.

Математическое моделирование технических объектов.

№ 11
Минимальный по размерности вектор фазовых переменных, полностью характеризующий работу объекта проектирования, называют:
• Базисным вектором.

№ 12
Определение структуры объекта по заданным техническим требованиям к выходным характеристикам называют:
• Структурный синтез.

№ 13
Определение рабочих характеристик объекта при известной структуре и параметрах составляющих элементов называют:
• Анализ.

№ 14
Определение значений параметров элементов при известной структуре и условиях работоспособности объекта называют :
• Параметрический синтез.

№ 15
Наиболее часто в процессе проектирования технических объектов выполняется процедура:
• Анализа.

Зависимость точности расчета ε выходных характеристик ММ от некоторого внешнего параметра Р приведена на графике.

№ 16
Указать предельную погрешность ММ, для области адекватности ОА(Р)=[–3, 1]
• 50%.

№ 17
Указать предельную погрешность ММ, для области адекватности ОА(Р)=[–1, 1]
• 30%.

№ 18
Указать предельную погрешность ММ, для области адекватности ОА(Р)=[1, 5]
• 80%.

№ 19
Указать области адекватности параметра ММ Р, соответствующей предельной погрешности ММ в 70 %
• 7.

Топологические основы формирования модели РЭС.

На рисунке показана электрическая схема цепи и ее направленный граф, на котором выделены главные сечения и контура.

Определить матрицу

№ 20
инциденций данной цепи.
• 1.

№ 21
сечений данной цепи.
• 2.

№ 22
главных контуров данной цепи.
• 3.

Определить матрицу

№ 23
инциденций данной цепи.
• 3.

№ 24
главных сечений данной цепи.
• 1.

№ 25
главных контуров данной цепи.
• 2.

Операторный метод анализа электрических цепей.

Определить операторное сопротивление Z(p) данной цепи.

№ 26

№ 27

№ 28

№ 29

Определить операторную проводимость Y(p) данной цепи.

№ 30

№ 31

№ 32

№ 33

№ 34
Источник напряжения управляемый током описывается следующей матричной системой уравнений

№ 35
Источник напряжения управляемый напряжением описывается следующей матричной системой уравнений

№ 36
Источник тока управляемый током описывается следующей матричной системой уравнений

№ 37
Источник тока управляемый напряжением описывается следующей матричной системой уравнений

№ 38
При отрицательном напряжении на полупроводниковом переходе емкость перехода определяется в основном:
• Барьерной емкостью перехода.

№ 39
При положительном напряжении на полупроводниковом переходе емкость перехода определяется в основном:
• Диффузионной емкостью перехода.

Моделирование РЭС в частотной области.

№ 40
При формировании матрицы узловых проводимостей электрической цепи можно использовать следующие элементы:
• резисторы;
• конденсаторы;
• катушки индуктивности;
• независимые источники тока;
• управляемые источники тока.

№ 41
При формировании матрицы узловых проводимостей электрической цепи нельзя использовать следующие элементы:
• независимые источники напряжения;
• управляемые источники напряжения.

Моделирование РЭС в частотной области.

Записать Y-матрицу электрической цепи. Указать максимальный по модулю элемент главной диагонали полученной Y-матрицы.

№ 42

• (10).