Перспективные технологические процессы в производстве CБИС (ГОС 1995)
Технологии СБИС (ГОС 2000)
для специальности 200100
Кафедра ФЭ
Данилина Т.И.
Томск-2001

№ 1
Чему будет равна энергия ионов бора в ионизированной молекуле фторида бора BF₂⁺, ускоренной потенциалом 50 кэВ?
• 11 кэВ.

№ 2
Чему будет равна энергия двухкратнозаряженного иона азота N⁺⁺, ускоренного потенциалом 50 кэВ?
• 100 кэВ.

№ 3
Чему будет равна доза облучения Q с размерностью [ион/см²], если она для однократнозаряженных ионов составляет D=100 мкКл/см²?
• 6,25*10¹⁴.

№ 4
Что представляет собой проецированный пробег ионов в твердом теле?
• проекция полного пути на направление первоначального движения иона (направление x).

№ 5
Зависимость ядерных потерь от ε^(1/2) может быть представлена в виде:
• кривой с максимумом.

№ 6
Зависимость электронных потерь от ε^(1/2) может быть представлена в виде:
• прямой.

№ 7
Распределение внедренной примеси при ионной имплантации описывается гауссианой, максимум которой лежит:
• на глубине R_p.

№ 8, 9
Глубина залегания p-n перехода с увеличением дозы облучения или энергии ионов:
• возрастает.

№ 10
Глубина залегания p-n перехода с увеличением исходной концентрации в полупроводнике:
• уменьшается.

№ 11
Пробег ионов в монокристаллических мишенях по сравнению с аморфными:
• увеличивается.

№ 12
Глубина залегания p-n перехода в монокристаллической мишени по сравнению с аморфной:
• увеличивается.

№ 13, 14
Концентрация радиационных дефектов в слое внедрения при увеличении дозы облучения или потерь на ядерное торможение:
• увеличивается.

№ 15
Какой процесс оказывает основное влияние на рост количества радиационных дефектов?
• увеличение ядерных потерь.

№ 16
Явление аморфизации монокристаллического полупроводника возникает, когда количество смещенных атомов (дефектов):
• соизмеримо с плотностью атомов в полупроводнике.

№ 17
При низкотемпературном отжиге радиационных дефектов глубина залегания p-n перехода:
• не изменяется.

№ 18
При высокотемпературном отжиге радиационных дефектов глубина залегания p-n перехода:
• увеличивается.

№ 19
Положение максимума концентрации внедренной примеси при ионной имплантации при увеличении температуры отжига:
• не изменяется.

№ 20
Глубина залегания p-n перехода с увеличением температуры отжига:
• увеличивается.

№ 1
При внедрении ионов сурьмы с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,045 мкм, ΔR_p=0,013 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹² ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,1 мкм.

№ 2
При внедрении ионов аргона с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,1 мкм, ΔR_p=0,039 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,3 мкм.

№ 3
При внедрении ионов мышьяка с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,063 мкм, ΔR_p=0,021 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹² ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,15 мкм.

№ 4
При внедрении ионов бора с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,3 мкм, ΔR_p=0,077 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹³ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,6 мкм.

№ 5
При внедрении ионов золота с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,042 мкм, ΔR_p=0,01 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 9,09 мкм.

№ 6
При внедрении ионов неона с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,274 мкм, ΔR_p=0,152 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 1 мкм.

№ 7
При внедрении ионов фосфора с энергией 100 кэВ в кремний проецированный пробег R_p составляет 0,124 мкм, ΔR_p=0,05 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁵ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,4 мкм.

№ 8
При внедрении ионов алюминия с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,085 мкм, ΔR_p=0,054 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,34 мкм.

№ 9
При внедрении ионов мышьяка с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,036 мкм, ΔR_p=0,02 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁵ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,14 мкм.

№ 10
При внедрении ионов бора с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,253 мкм, ΔR_p=0,122 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,8 мкм.

№ 11
При внедрении ионов бериллия с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,32 мкм, ΔR_p=0,14 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁶ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,79 мкм.

№ 12
При внедрении ионов кадмия с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,033 мкм, ΔR_p=0,014 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁶ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,08 мкм.

№ 13
При внедрении ионов магния с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,09 мкм, ΔR_p=0,06 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁶ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,3 мкм.

№ 14
При внедрении ионов фосфора с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,07 мкм, ΔR_p=0,05 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁶ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,25 мкм.

№ 15
При внедрении ионов кислорода с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,15 мкм, ΔR_p=0,084 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,3 мкм.

№ 16
При внедрении ионов серы с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,067 мкм, ΔR_p=0,044 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,28 мкм.

№ 17
При внедрении ионов селена с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,035 мкм, ΔR_p=0,02 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,84 мкм.

№ 18
При внедрении ионов теллура с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,0284 мкм, ΔR_p=0,012 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,1 мкм.

№ 19
При внедрении ионов водорода с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,87 мкм, ΔR_p=0,18 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 16,8 мкм.

№ 20
При внедрении ионов цинка с энергией 100 кэВ в германий проецированный пробег R_p составляет 0,038 мкм, ΔR_p=0,02 мкм. Рассчитать глубину залегания p-n перехода при дозе облучения 10¹⁴ ион/см² и исходной концентрации в полупроводнике 10¹⁴ см^-3:
• 0,14 мкм.

№ 1
Гауссовский диаметр электронного луча с увеличением тока луча:
• увеличивается.

№ 2
Гауссовский диаметр электронного луча с увеличением яркости электронной пушки:
• уменьшается.

№ 3
Какой выбрать тип катода для уменьшения гауссовского диаметра электронного луча:
• полевой эмиттер.

№ 4
Сферическая аберрация обусловлена:
• действием фокусирующего поля линзы.

№ 5
Хроматическая аберрация обусловлена:
• разбросом скоростей электронов.

№ 6
Увеличение угла схождения лучей α сферическую и хроматическую аберрации:
• увеличивает.

№ 7
Какая аберрация будет расти быстрее всего с увеличением α:
• сферическая.

№ 8
Рассчитать чувствительность электронного резиста при следующих условиях: j=10 А/м², t=100 мкс.
• 10^-7 Кл/см².

№ 9
Рассчитать чувствительность электронного резиста при следующих условиях: j=100 А/м², t=10 мкс.
• 10^-7 Кл/см².

№ 10
Рассчитать чувствительность электронного резиста при следующих условиях: j=1 А/м², t=100 мкс.
• 10^-5 Кл/см².

№ 11
На какой глубине эффективные энергетические потери будут равны нулю:
• x=R_B-T.

№ 12
Максимум эффективных энергетических потерь находится при:
• x=d₀.

№ 13
Чему равны эффективные энергетические потери при x=0:
• E_o/R_B-T.

№ 14
Проекционный пробег электронов с увеличением энергии электронов E_o:
• увеличивается пропорционально E_o².

№ 15
Рассеяние электронов в резисте приводит к изменению размера электронного луча:
• увеличивает.

№ 16
Уширение электронного луча за счет упругого рассеяния с увеличением толщины резиста h возрастает:
• h^3/2.

№ 17
Уширение электронного луча за счет упругого рассеяния с увеличением энергии электронов Е_o:
• уменьшается.

№ 18
Минимальная ширина разрешаемой линии (b_min) в электронно-лучевой литографии с увеличением чувствительности резиста:
• уменьшается.

№ 19
Гауссовский диаметр электронного луча с увеличением температуры катода:
• увеличивается.

№ 20
Диаметр электронного луча с увеличением яркости электронной пушки:
• уменьшается.

№ 1
Рассчитать диаметр электронного луча, обусловленный сферической аберрацией, при следующих исходных данных: C_s=20 см, α=10^-2 рад.
• 0,1 мкм.

№ 2
C_s=40 см, α=10^-2 рад.
• 0,2 мкм.

№ 3
C_s=20 см, α=5*10^-2 рад.
• 12,5 мкм.

№ 4
C_s=40 см, α=10^-4 рад.
• 0,025 мкм.

№ 5
C_s=40 см, α=10^-2 рад.
• 0,2 мкм.

№ 6
C_s=10 см, α=10^-1 рад.
• 50 мкм.

№ 7
C_s=40 см, α=5*10^-2 рад.
• 0,0025 мкм.

№ 8
C_s=20 см, α=10^-2 рад.
• 0,1 мкм.

№ 9
Рассчитать диаметр электронного луча, обусловленный хроматической аберрацией, при следующих исходных данных: C_c=10 см, α=10^-2 рад, U=20 кВ, ΔU=5 В.
• 0,25 мкм.

№ 10
C_c=20 см, α=10^-2 рад, U=10 кВ, ΔU=2 В.
• 0,4 мкм.

№ 11
C_c=20 см, α=10^-1 рад, U=10 кВ, ΔU=7 В.
• 14 мкм.

№ 12
C_c=10 см, α=10^-2 рад, U=30 кВ, ΔU=5 В.
• 0,17 мкм.

№ 13
C_c=10 см, α=10^-3 рад, U=30 кВ, ΔU=3 В.
• 0,01 мкм.

№ 14
C_c=20 см, α=10^-2 рад, U=10 кВ, ΔU=4 В.
• 0,8 мкм.

№ 15
C_c=20 см, α=10^-4 рад, U=20 кВ, ΔU=2 В.
• 0,002 мкм.

№ 16
C_c=10 см, α=10^-3 рад, U=30 кВ, ΔU=4 В.
• 0,01 мкм.

№ 17
Рассчитать диаметр электронного луча, обусловленный дифракцией луча на ограничивающей диафрагме, при следующих условиях: α=10^-2 рад, U=10 кВ.
• 0,7 нм.

№ 18
α=10^-3 рад, U=10 кВ.
• 7 нм.

№ 19
α=10^-2 рад, U=20 кВ.
• 0,5 нм.

№ 20
α=10^-3 рад, U=30 кВ.
• 0,4 нм.

№ 1
Рассчитать минимальный диаметр электронного луча на мишени при следующих условиях: I₀=10^-8 А, B=1*10⁵ А/(см²*ср), C_s=20 см.
• 0,22 мкм.

№ 2
I₀=10^-7 А, B=5*10⁴ А/(см²*ср), C_s=20 см.
• 0,7 мкм.

№ 3
I₀=10^-9 А, B=1*10⁵ А/(см²*ср), C_s=20 см.
• 0,1 мкм.

№ 4
I₀=10^-10 А, B=5*10⁴ А /(см²*ср), C_s=10 см.
• 0,04 мкм.

№ 5
I₀=10^-7 А, B=10⁶ А /(см²*ср), C_s=30 см.
• 0,25 мкм.

№ 6
I₀=10^-9 А, B=5*10⁵ А/(см²*ср), C_s=10 см.
• 0,04 мкм.

№ 7
I₀=10^-8 А, B=10⁶ А/(см²*ср), C_s=10 см.
• 0,08 мкм.

№ 8
I₀=10^-7 А, B=10⁵ А/(см²*ср), C_s=20 см.
• 0,5 мкм.

№ 9
I₀=10^-10 А, B=10⁶ А/(см²*ср), C_s=10 см.
• 0,01 мкм.

№ 10
I₀=10^-9 А, B=10⁶ А/(см²*ср), C_s=20 см.
• 0,04 мкм.

№ 11
Рассчитать оптимальное время экспонирования в электронно-лучевой литографии при следующих условиях: S₀=10^-5 Кл /см², C_s=20 см, d_min=0,1 мкм, B=5*10⁴ А /(см²ср).
• 1,63 мкc.

№ 12
S₀=10^-5 Кл /см², C_s=15 см, d_min=0,2 мкм, B=5*10⁵ А /(см²ср).
• 84 нc.

№ 13
S₀=10^-6 Кл /см², C_s=10 см, d_min=0,5 мкм, B=1*10⁴ А /(см²ср).
• 176 нc.

№ 14
S₀=10^-5 Кл /см², C_s=20 см, d_min=1 мкм, B=10⁵ А /(см²ср).
• 176 нc.

№ 15
S₀=10^-5 Кл /см², C_s=40 см, d_min=0,1 мкм, B=5*10⁵ А /(см²ср).
• 0,26 мкc.

№ 16
S₀=10^-6 Кл /см², C_s=20 см, d_min=0,01 мкм, B=5*10⁴ А /(см²ср).
• 0,8 мкc.

№ 17
S₀=10^-5 Кл /см², C_s=10 см, d_min=0,5 мкм, B=10⁴ А /(см²ср).
• 2,8 мкc.

№ 18
S₀=5*10^-6 Кл /см², C_s=40 см, d_min=0,03 мкм, B=5*10⁴ А /(см²ср).
• 3 мкc.

№ 19
S₀=10^-4 Кл /см², C_s=20 см, d_min=1 мкм, B=1*10⁶ А /(см²ср).
• 1,8 мкc.

№ 20
S₀=10^-5 Кл /см², C_s=10 см, d_min=0,4 мкм, B=1*10⁵ А /(см²ср).
• 0,2 мкc.

№ 1
Для анизотропного травления показатель анизотропии:
• больше 1.

№ 2
Для идеального изотропного травления показатель анизотропии:
• равен 1.

№ 3
Какой можно получить минимальный размер b_min при травлении через маску шириной b_М=0,5 мкм и толщине травимого слоя d=0,5 мкм при коэффициенте анизотропии А=10:
• 0,7 мкм.

№ 4
Какой можно получить минимальный размер b_min при травлении через маску шириной b_М=0,3 мкм и толщине травимого слоя d=0,5 мкм при коэффициенте анизотропии А=20:
• 0,35 мкм.

№ 5
Какой можно получить минимальный размер b_min при травлении через маску шириной b_М=1 мкм и толщине травимого слоя d=0,5 мкм при коэффициенте анизотропии А=100:
• 1 мкм.

№ 6
Ионное травление является процессом:
• физического распыления.

№ 7, 8
Скорость ионного травления с увеличением коэффициента распыления или плотности ионного тока:
• увеличивается.

№ 9
Боковой уход размеров вытравливаемого ионно-лучевым травлением профиля в подложке δ с увеличением коэффициента распыления маски:
• увеличивается.

№ 10
- с увеличением коэффициента распыления подложки:
• уменьшается.

№ 11
Плазмохимическое травление является процессом:
• химического взаимодействия между ХАЧ и травимым материалом.

№ 12
Селективностью травления подложки относительно маски S_ПМ является отношение скоростей травления подложки V_ТР.П(0) и маски V_ТР.М(0) в нормальном (угол α=0°) и в тангенциальном V_ТР.П(90) и V_ТР.М(90) (боковом α=90°) направлениях:
• V_ТР.П(0) /V_ТР.М(0).

№ 13
Анизотропией травления подложки является отношение скоростей травления подложки V_ТР.П(0) и маски V_ТР.М(0) в нормальном (угол α=0°) и в тангенциальном V_ТР.П(90) и V_ТР.М(90) (боковом α=90°) направлениях:
• V_ТР.П(0)/V_ТР.П(90).

№ 14
Анизотропией травления маски является отношение скоростей травления подложки V_ТР.П(0) и маски V_ТР.М(0) в нормальном (угол α=0°) и в тангенциальном V_ТР.П(90) и V_ТР.М(90) (боковом α=90°) направлениях:
• V_ТР.М(0) /V_ТР.М(90).

№ 15
На какую глубину можно протравить подложку d_П через маску толщиной d_М=1 мкм, если коэффициент распыления подложки в два раза больше коэффициента распыления маски:
• 2 мкм.

№ 16
Какую надо выбрать толщину маски d_М, чтобы протравить подложку на глубину d_П=1 мкм, при равных коэффициентах распыления подложки и маски:
• 1 мкм.

№ 17
Какую надо выбрать толщину маски d_М, чтобы протравить подложку d_П=1 мкм при условии, что коэффициент распыления маски в два раза меньше коэффициента распыления подложки:
• 0,5 мкм.

№ 18
На какую глубину можно протравить подложку d_П через маску толщиной d_М=1 мкм, если коэффициент распыления подложки в два раза меньше коэффициента распыления маски:
• 0,5 мкм.

№ 19
Зависимость скорости плазмохимического травления от расхода рабочего газа имеет вид:
• кривой с максимумом.

№ 20
Для плазмохимического травления материалов необходимо, чтобы выполнялось условие:
• Т_ПР>>Т_ИСП; где Т_ПР, Т_ИСП соответственно температура процесса и температура испарения образующихся продуктов реакции.