Технология тонкопленочных ИМС
Кафедра ФЭ
Данилина Т.И.
Томск-2006

№ 1
Негативный ФР под действием света:
• полимеризуется.

№ 2
Позитивный ФР под действием света:
• разлагается.

№ 3
Растворимость негативного ФР под облучением УФ - светом:
• уменьшается.

№ 4
Скорость проявления позитивного ФР после облучения УФ - светом:
• возрастает.

№ 5
Разрешающая способность ФР с увеличением толщины ФР:
• уменьшается.

№ 6
Что происходит на операции совмещения и экспонирования?
• Засветка ФР.

№ 7
Что происходит на операции проявления негативного ФР?
• Удаление неэкспонированных участков.

№ 8
Что происходит на операции проявления позитивного ФР?
• Удаление экспонированных участков.

№ 9
Как изменится время проявления ФР с увеличением времени экспонирования?
• Уменьшается.

№ 10
Время проявления с увеличением толщины ФР при постоянном времени экспонирования:
• увеличится.

№ 11
Фотошаблоны выполняются на подложках из:
• стекла.

№ 12
Оригинал представляет собой:
• рисунок одиночных элементов для технологически однородного слоя, выполненный с большим увеличением.

№ 13
Масштаб оригинала выбирается, исходя из:
• компромисса между требуемой точностью и размерами рабочего стола.

№ 14
Промежуточный ФШ представляет собой:
• ФШ с одиночным изображением рисунка технологического слоя в M 10:1 в эмульсионном слое.

№ 15
Эталонный ФШ представляет собой:
• групповой ФШ с размерами элементов в M 1:1 в эмульсионном слое.

№ 16
Масштаб эталонного ФШ:
• 1:1.

№ 17
Масштаб промежуточного ФШ:
• 10:1.

№ 18
Почему нельзя использовать эталонный ФШ в качестве рабочего?
• Он быстро повреждается (малый срок службы).

№ 19
Какой масштаб оригинала можно выбрать, если имеется оборудование: координатограф с полем 700х700 мм и редукционная установка. Необходимо получить ФШ для пленочной схемы с размерами 8х12 мм?
• 50.

№ 20
Какое оборудование необходимо выбрать для получения эталонного ФШ, если уже имеется оригинал, выполненный в масштабе М 20:1?
• Редукционная установка с мультиплицированием.

№ 21
Как установить ФШ при контактной ФЛ?
• Без зазора.

№ 22
Как установить ФШ в проекционной ФЛ?
• Перед проекционным объективом.

№ 23
Какой способ экспонирования следует выбрать для обеспечения высокой разрешающей способности ФЛ и большого срока службы ФШ?
• Проекционная ФЛ.

№ 24
Разрешающая способность бесконтактной фотолитографии с увеличением зазора:
• уменьшается.

№ 25
Минимальный разрешаемый размер b_min в проекционной ФЛ:
• уменьшается с уменьшением λ.

№ 26
В проекционной ФЛ числовую апертуру объектива следует выбирать, исходя из:
• компромисса между b_min и Δf.

№ 27
Влияние дифракции на разрешающую способность ФЛ можно уменьшать за счет:
• уменьшения длины волны излучения λ.

№ 28
Улучшить разрешающую способность контактной ФЛ при наличии зазора h можно за счет:
• уменьшения угла расходимости пучка излучения α в системе экспонирования.

№ 29
Перераспределение интенсивности излучения при контактной ФЛ при наличии зазора за счет дифракции приводит:
• к появлению колебаний как в области непрозрачных участков так и в области прозрачных участков.

№ 30
Чему равна величина подтравливания при жидкостном химическом травлении в технологическом слое толщиной d?
• 2d.

№ 31
Какой масштаб оригинала можно выбрать для получения резистора шириной 50 мкм сточностью 1% для полупроводниковой ИМС на подложке 3x2 мм? Использовать ручной координатограф.
• 200.

№ 32
- для получения наименьшего зазора 10 мкм в полупроводниковой ИМС с точностью 1%? Размер подложки 2x2 мм. Использовать автоматизированный координатограф.
• 500.

№ 33
Какое оборудование необходимо выбрать для получения эталонного ФШ, если уже имеется оригинал, выполненный в масштабе М500:1?
• Редукционная установка без мультиплицирования и фотоповторитель.

№ 34
- промежуточного ФШ с увеличением М10:1, если нет оригинала?
• Генератор изображений.

№ 35
В методе последовательной ФЛ (прямые маски) первой операцией является:
• нанесение пленки рабочего материала на подложку.

№ 36
В методе обратной ФЛ первой операцией является:
• нанесение слоя ФР на подложку.

№ 37
Чему равна ошибка изготовления рабочего ФШ, если ошибка изготовления эталонного ФШ составляет 1 мкм? Ошибка на операции совмещения и экспонирования - 0,5 мкм. Толщина слоя ФР составляет - 1 мкм, а пленки хрома - 0,5 мкм.
• 2,5 мкм.

№ 38
- ошибка изготовления эталонного ФШ, если ошибка изготовления промежуточного ФШ составляет 1 мкм? Ошибка фотоповторителя - 0,25 мкм. Толщина эмульсионного слоя - 0,5 мкм.
• 1,5 мкм.

№ 39
Минимальный размер линии, который можно получить при контактной ФЛ в пленке толщиной 0,5 мкм через маску с размером 4 мкм?
• 3 мкм.

№ 40
Размер окна, вытравленного в рабочем слое толщиной 0,5 мкм через окно 3 мкм?
• 4 мкм.

№ 41-50
Рассчитать скорость термического испарения материалов в вакууме при условной температуре испарения: W_u*10^-3,кг/(м²*c).

Материал	Ag	Al	Cu	Mo	Au	Pt	Ti	W	Cr	Ta
скорость	1.6	0.8	1.1	1	1.9	1.6	0.9	1.3	1	1.3

№ 51-60
Рассчитать давление насыщенных паров сплавов, состоящих из двух компонентов, приняв коэффициенты активности равными 1.

Состав сплава	Ni 50%, Cr 50%	Ni 85%, Fe 15	Fe 75%, Cr 25%	Au 90%, Ge 10%	Ag 70%, Al 30%	Ni 20%, Cr 80%	Cu 56%, Ni 44%	Cu 60%, Ni 40%	Ni 85%, Al 15%	Ag 80%, Cu 20%
Температура испарения, К	1700	1900	1720	1738	1400	1600	1700	1600	1780	1530
р, Па	23.6	7.1	15.9	3.7	3.9	8.5	7	1.8	33	30

№ 61-70
Рассчитать время напыления пленок в центре подложки.

Материал	Vисп,10-3 кг/(м2*с)	Толщина пленки, мкм	Тип испарителя	Площадь испарителя, см2	Расстояние h, см	время напыления, сек
Ag	2.8	0.4	поверх.	1	8	301
Al	15	0.5	точечн.	0.5	10	226
Cu	5	1	поверх.	1	8	360
Mo	4	0.1	точечн.	0.5	10	320
Au	7	0.2	поверх.	0.5	10	347
Pt	7	0.1	точечн.	0.7	8	353
Ti	4.2	0.2	точечн.	1	11	327
W	7	0.1	поверх.	0.3	9	234
Cr	3.2	0.1	поверх.	0.3	12	339
Ta	7.5	0.1	точечн.	0.5	8	356

№ 71-80
Определить в процентах насколько отличается толщина пленки на краю стандартной подложки от толщины в центре подложки.

Тип испарителя	поверх.	точечн.	поверх.	точечн.	поверх.	точечн.	поверх.	точечн.	поверх.	точечн.
х, мм	30	30	30	30	30	30	30	0	30	30
у, мм	24	24	0	0	24	24	0	24	24	24
h, мм	100	100	100	100	140	130	80	110	120	90
%	24	19	16	12	13	12	23	7	18	22

№ 81-90
Выбрать материал диэлектрической пленки для получения тонкопленочных конденсаторов.

С, пФ	50	88.5	26.5	147.5	35.4	177	50	354	100	35.4
S, мм²	0.5	0.5	0.15	0.5	0.1	0.5	0.17	0.5	0.14	0.5
d, мкм	0.5	0.5	0.5	0.3	0.5	0.5	0.3	0.5	0.5	0.5
материал	SiO	SiO	SiO	Al2O3	ZrO2	ZrO2	Al2O3	TiO2	TiO2	SiO2 *

* боросиликитное стекло

№ 91-100
Рассчитать скорость распыления материалов ионами Ar⁺.

Материал	Au	Ti	Ni	Mo	Ag	Pt	Al	Ta	Cu	Si
S, ат/ион	2.25	1.83	2	1.68	2.72	1.81	1.35	1.18	3.2	1
j, А/м²	1	5	5	10	5	8	10	10	1	10
Vрасп, нм/с	0.3	1	0.7	1.6	1.5	1.4	1.4	1.3	0.2	1.2