дипломы,диссертации,курсовые,контрольные,рефераты,отчеты на заказ

Технология тонкопленочных ИМС
Кафедра ФЭ
Данилина Т.И.
Томск-2006

Фотолитография.
дипломы,курсовые,рефераты,контрольные,диссертации,отчеты на заказ

№ 1
Негативный ФР под действием света:
• полимеризуется.

№ 2
Позитивный ФР под действием света:
• разлагается.

№ 3
Растворимость негативного ФР под облучением УФ - светом:
• уменьшается.

№ 4
Скорость проявления позитивного ФР после облучения УФ - светом:
• возрастает.

№ 5
Разрешающая способность ФР с увеличением толщины ФР:
• уменьшается.

№ 6
Что происходит на операции совмещения и экспонирования?
• Засветка ФР.

№ 7
Что происходит на операции проявления негативного ФР?
• Удаление неэкспонированных участков.

№ 8
Что происходит на операции проявления позитивного ФР?
• Удаление экспонированных участков.

№ 9
Как изменится время проявления ФР с увеличением времени экспонирования?
• Уменьшается.

№ 10
Время проявления с увеличением толщины ФР при постоянном времени экспонирования:
• увеличится.

Фотошаблоны.

№ 11
Фотошаблоны выполняются на подложках из:
• стекла.

№ 12
Оригинал представляет собой:
• рисунок одиночных элементов для технологически однородного слоя, выполненный с большим увеличением.

№ 13
Масштаб оригинала выбирается, исходя из:
• компромисса между требуемой точностью и размерами рабочего стола.

№ 14
Промежуточный ФШ представляет собой:
• ФШ с одиночным изображением рисунка технологического слоя в M 10:1 в эмульсионном слое.

№ 15
Эталонный ФШ представляет собой:
• групповой ФШ с размерами элементов в M 1:1 в эмульсионном слое.

№ 16
Масштаб эталонного ФШ:
• 1:1.

№ 17
Масштаб промежуточного ФШ:
• 10:1.

№ 18
Почему нельзя использовать эталонный ФШ в качестве рабочего?
• Он быстро повреждается (малый срок службы).

№ 19
Какой масштаб оригинала можно выбрать, если имеется оборудование: координатограф с полем 700х700 мм и редукционная установка. Необходимо получить ФШ для пленочной схемы с размерами 8х12 мм?
• 50.

№ 20
Какое оборудование необходимо выбрать для получения эталонного ФШ, если уже имеется оригинал, выполненный в масштабе М 20:1?
• Редукционная установка с мультиплицированием.

Разрешающая способность.

№ 21
Как установить ФШ при контактной ФЛ?
• Без зазора.

№ 22
Как установить ФШ в проекционной ФЛ?
• Перед проекционным объективом.

№ 23
Какой способ экспонирования следует выбрать для обеспечения высокой разрешающей способности ФЛ и большого срока службы ФШ?
• Проекционная ФЛ.

№ 24
Разрешающая способность бесконтактной фотолитографии с увеличением зазора:
• уменьшается.

№ 25
Минимальный разрешаемый размер bmin в проекционной ФЛ:
• уменьшается с уменьшением λ.

№ 26
В проекционной ФЛ числовую апертуру объектива следует выбирать, исходя из:
• компромисса между bmin и Δf.

№ 27
Влияние дифракции на разрешающую способность ФЛ можно уменьшать за счет:
• уменьшения длины волны излучения λ.

№ 28
Улучшить разрешающую способность контактной ФЛ при наличии зазора h можно за счет:
• уменьшения угла расходимости пучка излучения α в системе экспонирования.

№ 29
Перераспределение интенсивности излучения при контактной ФЛ при наличии зазора за счет дифракции приводит:
• к появлению колебаний как в области непрозрачных участков так и в области прозрачных участков.

№ 30
Чему равна величина подтравливания при жидкостном химическом травлении в технологическом слое толщиной d?
• 2d.

Получение рисунка ИМС.

№ 31
Какой масштаб оригинала можно выбрать для получения резистора шириной 50 мкм сточностью 1% для полупроводниковой ИМС на подложке 3x2 мм? Использовать ручной координатограф.
• 200.

№ 32
- для получения наименьшего зазора 10 мкм в полупроводниковой ИМС с точностью 1%? Размер подложки 2x2 мм. Использовать автоматизированный координатограф.
• 500.

№ 33
Какое оборудование необходимо выбрать для получения эталонного ФШ, если уже имеется оригинал, выполненный в масштабе М500:1?
• Редукционная установка без мультиплицирования и фотоповторитель.

№ 34
- промежуточного ФШ с увеличением М10:1, если нет оригинала?
• Генератор изображений.

№ 35
В методе последовательной ФЛ (прямые маски) первой операцией является:
• нанесение пленки рабочего материала на подложку.

№ 36
В методе обратной ФЛ первой операцией является:
• нанесение слоя ФР на подложку.

№ 37
Чему равна ошибка изготовления рабочего ФШ, если ошибка изготовления эталонного ФШ составляет 1 мкм? Ошибка на операции совмещения и экспонирования - 0,5 мкм. Толщина слоя ФР составляет - 1 мкм, а пленки хрома - 0,5 мкм.
• 2,5 мкм.

№ 38
- ошибка изготовления эталонного ФШ, если ошибка изготовления промежуточного ФШ составляет 1 мкм? Ошибка фотоповторителя - 0,25 мкм. Толщина эмульсионного слоя - 0,5 мкм.
• 1,5 мкм.

№ 39
Минимальный размер линии, который можно получить при контактной ФЛ в пленке толщиной 0,5 мкм через маску с размером 4 мкм?
• 3 мкм.

№ 40
Размер окна, вытравленного в рабочем слое толщиной 0,5 мкм через окно 3 мкм?
• 4 мкм.

 

№ 41-50
Рассчитать скорость термического испарения материалов в вакууме при условной температуре испарения: Wu*10-3,кг/(м2*c).
Материал Ag Al Cu Mo Au Pt Ti W Cr Ta
скорость 1.6 0.8 1.1 1 1.9 1.6 0.9 1.3 1 1.3

 

№ 51-60
Рассчитать давление насыщенных паров сплавов, состоящих из двух компонентов, приняв коэффициенты активности равными 1.
Состав сплава Ni 50%, Cr 50% Ni 85%, Fe 15 Fe 75%, Cr 25% Au 90%, Ge 10% Ag 70%, Al 30% Ni 20%, Cr 80% Cu 56%, Ni 44% Cu 60%, Ni 40% Ni 85%, Al 15% Ag 80%, Cu 20%
Температура испарения, К 1700 1900 1720 1738 1400 1600 1700 1600 1780 1530
р, Па 23.6 7.1 15.9 3.7 3.9 8.5 7 1.8 33 30

 

№ 61-70
Рассчитать время напыления пленок в центре подложки.
Материал Vисп,10-3
кг/(м2*с)
Толщина пленки,
мкм
Тип испарителя Площадь испарителя,
см2
Расстояние h,
см
время напыления,
сек
Ag 2.8 0.4 поверх. 1 8 301
Al 15 0.5 точечн. 0.5 10 226
Cu 5 1 поверх. 1 8 360
Mo 4 0.1 точечн. 0.5 10 320
Au 7 0.2 поверх. 0.5 10 347
Pt 7 0.1 точечн. 0.7 8 353
Ti 4.2 0.2 точечн. 1 11 327
W 7 0.1 поверх. 0.3 9 234
Cr 3.2 0.1 поверх. 0.3 12 339
Ta 7.5 0.1 точечн. 0.5 8 356

 

№ 71-80
Определить в процентах насколько отличается толщина пленки на краю стандартной подложки от толщины в центре подложки.
Тип испарителя поверх. точечн. поверх. точечн. поверх. точечн. поверх. точечн. поверх. точечн.
х, мм 30 30 30 30 30 30 30 0 30 30
у, мм 24 24 0 0 24 24 0 24 24 24
h, мм 100 100 100 100 140 130 80 110 120 90
% 24 19 16 12 13 12 23 7 18 22

 

№ 81-90
Выбрать материал диэлектрической пленки для получения тонкопленочных конденсаторов.
С, пФ 50 88.5 26.5 147.5 35.4 177 50 354 100 35.4
S, мм² 0.5 0.5 0.15 0.5 0.1 0.5 0.17 0.5 0.14 0.5
d, мкм 0.5 0.5 0.5 0.3 0.5 0.5 0.3 0.5 0.5 0.5
материал SiO SiO SiO Al2O3 ZrO2 ZrO2 Al2O3 TiO2 TiO2 SiO2 *
* боросиликитное стекло

 

№ 91-100
Рассчитать скорость распыления материалов ионами Ar+.
Материал Au Ti Ni Mo Ag Pt Al Ta Cu Si
S, ат/ион 2.25 1.83 2 1.68 2.72 1.81 1.35 1.18 3.2 1
j, А/м² 1 5 5 10 5 8 10 10 1 10
Vрасп, нм/с 0.3 1 0.7 1.6 1.5 1.4 1.4 1.3 0.2 1.2


на главную база по специальностям база по дисциплинам статьи