Технология и автоматизация производства электронных приборов и устройств - 2
Кафедра ЭП
Орликов Л.Н.
Томск-2001

Технологичность и проектирование технологий.

№ 1
Процент стандартизации изделия, если число стандартных изделий подобного типа, число покупных деталей и число стандартных изделий без крепежа равны друг другу:
• 2.

№ 2
Коэффициент повторяемости изделий, если число оригинальных деталей в изделии N=4, а суммарное число проекций этих изделий в чертежах равно 8. К= : 1-0,5; 2-2; 3-32.
• 0.5.

№ 3
Коэффициент параллельности работы напылительной установки, если за время всего процесса (4 часа) нагрев подложки и обезгаживание испарителя проводились одновременно в течение 1 часа.
• 0.25.

№ 4
Коэффициент стабильности процесса, если дисперсия мгновенного распределения контролируемого параметра бм=0,1, а среднеквадратичное отклонение всех параметров б=0,2.
• 2.

№ 5
При освоении новой продукции энергозатраты машинного труда увеличилась в 2 раза, а энергозатраты ручного труда сократилась в 2 раза.
• Эрготический показатель автоматизации процесса уменьшится.

№ 6
В документе указана последовательность технологических операций. Это
• маршрутная карта.

№ 7
Основной показатель технологичности при изготовлении детали:
• трудоемкость.

№ 8
Качественный критерий оценки технологичности:
• патентный анализ.

№ 9
Вариант изготовления детали по прогрессивной технологии -
• изготовление по однократной технологии.

№ 10
Критерий оценки сложности изготовления конструкции:
• большое число проекций одной детали.

Вакуумная технология.

№ 11
Серийные форвакуумные одноступенчатые насосы обеспечивают предельный вакуум:
• 0,05 мм.

№ 12
По мере уменьшения давления в вакуумной системе, можно измерять давление датчиком ПМИ-2 начиная с вакуума:
• 0,001 мм рт ст.

№ 13
Механический форвакуумный насос обеспечивает максимальную производительность на минимальном давлении:
• 1 мм рт ст.

№ 14
Назначение регулятора напряжения нагревателя диффузионного насоса в гелиевом течеискателе:
• для повышения чувствительности.

№ 15
Назначение газобалластного устройства:
• для улучшения откачки конденсирующихся газов.

№ 16
Предельное минимальное давление диффузионного вакуумнасоса обусловлено:
• испарением паров рабочей жидкости.

№ 17
Проводимость вакуумной коммуникации с изменением температуры газа:
• возрастает.

№ 18
Вакуум считается безмасляным, если
• в спектре остаточных газов отсутствуют углеводороды.

№ 19
При неоднократном поиске течи предельно достигаемое давление в системе составляет 10 Па и уменьшается на 1 Па после каждого испытания. Состояние системы:
• имеется погрешность в системе измерения давления.

№ 20
Марка установки вакуумного напыления:
• УВН.

Подготовка изделий к технологическим операциям.

№ 21
При прогреве изделия основное обезгаживание прошло за несколько минут. Основной механизм сорбции газа:
• адсорбция.

№ 22
Высоковакуумные коммуникации не выполняют из резины, т.к.:
• резина боится паров масел.

№ 23
3 категории разделения помещений по условиям вакуумной гигиены.

№ 24
При травлении кристалла скорость травления вглубь в 5 раз превышает скорость травления вдоль поверхности. Показатель анизотропии:
• 1.

№ 25
Деионизованная вода для очистки изделий –
• продукт обработки воды ионообменными смолами.

№ 26
Газовое травление кремниевых структур это:
• травление при высокой температуре в среде активного газа.

№ 27
Начало процесса ионного травления оценивается:
• с момента изменения вольт-амперной характеристики.

№ 28
На скорость ионного травления в большей мере влияет:
• ионный ток.

№ 29
3 основных механизма ионного травления.

№ 30
Проницаемость материалов при повышении температуры:
• увеличивается.

Пленочная технология, эпитаксия.

№ 31
Типы пленок:
• аморфные, кристаллические, мелкозернистые, крупнозернистые.

№ 32
Температура материала принята за температуру испарения при давлении паров:
• 2.

№ 33
Адгезия пленок при электродуговом испарении пленок в вакууме больше, чем при термическом.

№ 34
При подаче смещающего потенциала до 200 В на подложку при ионно-плазменном напылении материалов преобладает фактор:
• уменьшение количества газа в пленке.

№ 35
Предпочтительнее измерить толщину полупрозрачной металлической пленки:
• по пропусканию света.

№ 36
Напыление с подслоем проводится:
• для повышения адгезии.

№ 37
Рассчитать абсолютные величины изобарного потенциала при термовакуумном напылении пленки от температуры испарения 1000 К от 1 Па до 2 Па с шагом 0,2 Па. Принять R=8,3; lnPi=Pi.
• 1 - 8300; 1.2 - 9960; 1.4 - 11620; 1.6 - 13280; 1.8 - 14940; 2 - 16600.

№ 38
Предельный угол между одноименными гранями кристаллической пленки, более которого пленка считается не эпитаксиальной:
• 20.

№ 39
Скорость осаждения пленки на подложку, если давление в вакуумной камере повысится от 0,01 до 1 Па:
• уменьшится.

№ 40
Единица измерения сопротивления пленок:
• Ом/квадрат.

Технология интегральных микросхем, интегральная оптика, литография, термические процессы.

№ 41
Наиболее прогрессивен путь повышения радиационной стойкости ИМС:
• напыление высокоомной оксидной изоляции.

№ 42
Лучшую разрешающую возможность имеет:
• ионолитография.

№ 43
Мультипликация – это
• размножение фрагментов микросхемы.

№ 44
Косвенное отношение к элементам интегральной оптики имеет:
• стойкость к рентгеновскому излучению.

№ 45
Наибольшую точность имеет метод совмещения фрагментов микросхем:
• с контролируемым зазором.

№ 46
Выше разрешающая способность у резиста:
• ФП333.

№ 47
К электрофизическим методам обработки тяготеют:
• позитивные резисты.

№ 48
Наибольший срок службы в химически активной газовой среде имеет термопара:
• Pt-Ro.

№ 49
В настоящее время наибольшее распространение получили:
• 4 механизма обьемной диффузии.

№ 50
К поверхностной относится механизм диффузии:
• перекати поле.

Технология электровакуумных приборов.

№ 51
L-катод - это:
• оксидный катод.

№ 52
Наращивание диэлектрического слоя на изделие, находящееся в электролите под положительным потенциалом называется
• анафорез.

№ 53
Наиболее технологично изготавливают ячеистые аноды способом:
• травление.

№ 54
Наиболее часто применяются в СВЧ лампах:
• дисковые и стержневые сетки.

№ 55
Газовыделение нераспыляемых геттеров обусловлено:
• перегревом и нарушением константы равновесия.

№ 56
В керамику вводится стеклофаза:
• для улучшения герметичности пайки.

№ 57
Существует 3 конструкции основных типов спаев для СВЧ радиоламп.

№ 58
Отжиг экранов кинескопов проводится:
• для снятия внутренних напряжений в стекле.

№ 59
Операция флокирования экрана это:
• нанесение слоя люминофора в электростатическом поле.

№ 60
Аллюминирование экранов кинескопов предназначено:
• для защиты люминофора от ионной бомбардировки.

Лучевые технологии (электронно-лучевая, лазерная).

№ 61
Для размерной микрообработки изделий в глубоком вакууме предпочтительнее тип электронной пушки:
• с термокатодом.

№ 62
Электроны при электронно-лучевой сварке металлических пластин толщиной 10 мм в условиях кинжального проплавления проникают на глубину:
• единицы микрон.

№ 63
При толщине пластин 10 мм ширина шва электронно-лучевой сварки равна 3 мм. Глубина проплавления в режиме мягкого режима сварки должна быть:
• 3 мм.

№ 64
Вариант вакуумной плавки титана в тигле -
• с помощью пушки на основе высоковольтного тлеющего разряда.

№ 65
Наиболее предпочтительна для ионной имплантации атомов фосфора в кремний, энергия ионов:
• более 30 кэВ.

№ 66
Катод пушки на основе высоковольтного тлеющего разряда:
• холодный.

№ 67
Наиболее эффективна:
• электростатическая система отклонения ионного пучка.

№ 68
Больше концентрация мощности:
• в лазерном луче.

№ 69
Выбрать мощность лазера можно:
• исходя из плотности мощности для испарения материала.

№ 70
Преимущества лазерного сверления отверстий диаметром более 1 мм перед другими методами нет.

Высокие технологии (упрочняющая, плазменная, порошковая).

№ 71
Повысить твердость упрочняемого материала можно:
• в 2-3 раза.

№ 72
Твердость при вдавливании твердосплавного конуса измеряется:
• по Роквеллу.

№ 73
Скорость плазмы составляет 10Е7 см/с. Деталь не упрочняется.

№ 74
При ионной имплантации при упрочнении материалов необходим набор дозы:
• 10E17.

№ 75
Плазменная сварка применяется гораздо реже плазменной резки вследствие
• большого отношение ширины шва к глубине.

№ 76
В качестве катода плазмотрона, работающего на рабочем газе - воздухе, может быть использован металл:
• лантан.

№ 77
Золь-гель-процесс это
• легирование и округление частиц порошка.

№ 78
Порошки, имеющие вид деревьев при рассмотрении под микроскопом, получены:
• химическим методом.

№ 79
Роль смазки при прессовании порошков выполняет материал:
• парафин.

№ 80
Чаще получают ультрадисперсные порошки:
• распылением материалов электронным лучом.

Автоматизация технологических процессов.

№ 81
3 закона регулирования применяется в системах управления параметрами технологических процессов.

№ 82
4 команды положено в основу построения языка релейно-контактных символов.

№ 83
4 команды положено в основу языка КАУТ.

№ 84
4 типа групповых измерительных преобразователей.

№ 85
При срабатывании аварийной блокировки выполняется:
• 1 номер уровня детентрализованного управления.

№ 86
4 способа соединения приборов с ЭВМ.

№ 87
Активный пневмоэлемент:
• пневмоиндуктивный.

№ 88
При суммировании давлений реализуется:
• линейная передаточная функция пневмоэлемента.

№ 89
На мембранном пневмоэлементе реализуется закон управления газовым питанием:
• ПИД.

№ 90
Пневмоэлемент типа «да-нет» это
• релейный.

Числовое программное управление.

№ 91
Возможные варианты кодировки операции шлифовки (код 500) с полировкой для станка с ЧПУ.
• 501,502,503,504,505,506,507,508,509.

№ 92
В качестве датчика отсчета координат в системах ЧПУ может применяться:
• термопара.

№ 93
Для станков с ЧПУ не рекомендуются длинномерные консольные изделия по причине
• возможной погрешности в системах отсчета.

№ 94
Программа робота, если движение его руки выполняется по формуле Х=0,25*30, реализована:
• на линейном интерполяторе.

№ 95
Вычислить общую длину вектора, если значение общего параметра (времени) равно 10, при шаге координаты Х=2. Приращение координаты руки робота задается оценочной функцией: σ_z=x²+4:
• 80.

№ 96
Перемещение резца выполняется по программе Х1=10*10, Х2=20*10, Х3=30*10. Цена дискреты, если тактовая частота равна 10 Гц:
• 1.

№ 97
На станке с ЧПУ изготавливаются детали диаметром 40 мм длиной 500 мм. После координаты Х=500 производится отрезка под углом 45 градусов. Координата перебазировки “X” ,когда деталь полностью отрежется, равна
• 540.

№ 98
Поправка коррекции программы, если погрешность настройки инструмента б1=0,02 мм, погрешность перебазировки координат б2=0,01 мм, погрешность обработки б3=0,04 мм:
• 4,58E-2.

№ 99
Точка прихода руки робота станка с ЧПУ выполнена по программе линейного интерполятора на цифровом дифференциальном анализаторе (ЦДА) и реализует зависимости типа: Х=бх t; У=бу t. При координате Х=25 приращение бх=0,5 мм. Считая интерполятор двухкоординатным, определить координату “У”,если ее приращение бу=0,1:
• 10.

№ 100
Если при изменении температуры печи окисления функционально изменяется программа подачи водяного пара, то тип управляющей системы устройства:
• адаптивная.