Устройства формирования сигналов
для специальностей 200700, 201100, 201400, 201500, 230200, 075300
Кафедра РЗИ
Бордус А.Д., Ильин А.Г.
Томск-2002

№ 1
Транзисторный усилитель мощности в критическом режиме работает с углом отсечки ϑ= 120°, напряжение коллекторного питания Е_к = 20 В, импульс коллекторного тока I_кmax = 2 A, коэффициент использования коллекторного напряжения ζ_кр = 0,8. Мощность, рассеиваемая на коллекторе P_к (коэффициенты Берга α₀(120°) = 0,406; α₁(120°) = 0,536 ):
• 7,664 Вт.

№ 2
В критическом режиме усиления мощности импульс коллекторного тока I_кmax = 20 A, полезная мощность P₁ = 100 Вт, сопротивление насыщения транзистора r_нас = 0,1 Ом, угол отсечки коллекторного тока ϑ = 90° (α₀(90°) = 0,318; α₁(90°) = 0,500).
• Напряжение коллекторного питания Е_к = 22 В; электронный КПД η_э = 0,715.

№ 3
Коэффициент включения контура в коллекторную цепь транзистора р = 0,5, коэффициент полезного действия контура η_к = 0,8, выходная мощность P_вых = 1 Вт, сопротивление нагрузки R_н = 50 Ом.

Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки:
• 10 Ом.

№ 4
В транзисторном усилителе мощности Е_к = 28 В, I_кmax = 2 А, r_нас = 1 Ом, ϑ = 180° режим - критический. Полезная мощность и мощность, рассеиваемая на коллекторе:
• P₁ = 13 Вт, P_k = 15 Вт.

№ 5
Ламповый усилитель мощности.
Дано: резонансное сопротивление контура R_рез = 2000 Ом, амплитуда первой гармоники анодного тока I_а1 = 2 А, амплитуда напряжения на аноде U_mа = 1000 В.

Коэффициент включения контура в анодную цепь p:
• 0,5.

№ 6
В критическом режиме ϑ = 90°, I_кmax = 0,5 A, e_кmin = 2 В, R_н = 2 Ом, амплитуда выходного напряжения U_вых = 2 В, коэффициент полезного действия контура η_к = 0,8.

Эквивалентное сопротивление нагрузки в цепи коллектора R_к:
• 40 Ом.

№ 7
В усилителе мощности при C₂ = C₃, ρ =100 Ом, R_н = 100 Ом, Q_хх = 100, X_св = wМ_св = 20 Ом, U_mк = 25 В.

выходная мощность:
• 0,5 Вт.

№ 8
Дано: E_к = 30 В, ϑ = 90°, ζ = 0,8, r_нас = 2 Ом, режим - критический. α₀(90°) = 0,318; α₁(90°) = 0,500.
Полезная и потребляемая мощности:
• Р₁=18 Вт; Р₀=28,62 Вт.

№ 9
Усилитель мощности.
С₂ = С₃, L₁ = L₂, выходная мощность P_вых = 100 Вт, сопротивление нагрузки R_н = 50 Ом, коэффициент полезного действия контура η_к = 0,8.

Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки R_к:
• 40 Ом.

№ 10
Ламповый усилитель мощности.
Характеристическое сопротивление контура ρ = 100 Ом, резонансное сопротивление R_рез = 2 кОм, амплитуда первой гармоники анодного тока I_a1 = 1 А.

Амплитуда контурного тока:
• 20 А.

----------------------------

X_св=ωM_св

№ 11
Зависимость амплитуды первой гармоники коллекторного тока от величины сопротивления связи контура с нагрузкой I_k1 = f(X_св).

• (2).

№ 12
Зависимость выходной мощности от сопротивления связи контура с нагрузкой.

• (3).

№ 13
Зависимость амплитуды напряжения на коллекторе от величины сопротивления связи контура с нагрузкой. U_тк = f(X_св).

• (2).

№ 14
Показания амперметра в коллекторной цепи транзистора при изменении ёмкости контурного конденсатора С_к.

• (4).

№ 15
e_кmin - минимальное мгновенное напряжение на коллекторе; С_к - ёмкость контурного конденсатора.

• (4).

№ 16
Показания амперметра в коллекторной цепи транзистора при изменении сопротивления нагрузки R_н.

• (3).

№ 17
Углы отсечки анодного тока соответствующие смещениям.

• а=90°; б<90°; в>90°.

№ 18,19,20
Ламповый усилитель мощности.
Напряжение анодного питания Е_а = 2000 В, коэффициент использования анодного напряжения в критическом режиме ζ_кр = 0,9, угол отсечки анодного тока ϑ = 90°, импульс анодного тока I_аmax = 1 А. (α₀(90°) = 0,318; α₁(90°) = 0,500).

• мощность, рассеиваемая на аноде P_а = 186 Вт.
• мощность, потребляемая от источника анодного питания P₀ = 636 Вт.
• выходная мощность P_вых = 360 Вт (коэффициент полезного действия контура 0,8).

№ 21
Динамические характеристики

приведены для угла отсечки
• 90°.

№ 22
Динамические характеристики а, б, в

соответствуют углам отсечки
• а=180°; б<90°; в=90°.

№ 23

Наибольшая полезная мощность соответствует следующей динамической характеристике:
• (2).

№ 24,25

Углу отсечки 90° соответствует:
• 3 динамическая характеристика.
Режимы:
• 1 - недонапряжённый, 2 - критический, 3 - перенапряжённый.

№ 26
Усилитель мощности.

Эпюра коллекторного напряжения:
•.

№ 27
Удвоитель частоты.

Эпюра переменной составляющей коллекторного тока:
•.

№ 28,29
Двухтактный удвоитель частоты.

Форма коллекторного тока:
•.

Форма тока:
•.

№ 30
Эпюры анодного тока i_а и напряжения на аноде e_а в перенапряжённом режиме усилителя мощности:
• .

№ 31
Постоянная составляющая коллекторного тока

протекает по пути
• 3.

№ 32
Постоянная составляющая базового тока:

• по пути 2.

№ 33
Переменная составляющая базового тока

по пути
• 2.

№ 34
Переменная составляющая коллекторного тока

• 3.

№ 35

• Путь постоянной составляющей 2 тока показан неверно.

№ 36
Квадратурный мост - сумматор.

Балластный резистор:
• R₂.

№ 37
Синфазный мост - сумматор.

• балластный - R₁.

№ 38
В нормальном режиме суммарная мощность двух транзисторов равна P_∑.

Величина балластного сопротивления и максимальная мощность, рассеиваемая на нём в аварийном режиме:
• R_б2=2R_н; P_б=0,25P_∑.

№ 39
Квадратурный усилитель мощности.

• балластные: R₁; R₂.

№ 40

Разность фаз между U₁ и U₂:
90°.

№ 41
Автогенератор. Эквивалентная схема.
• .

№ 42,43,44
Автогенератор. Коэффициент обратной связи:

• k_ос = L₁ / L₂.

• k_ос = C₁ / C₂.

• k_ос = C₂ / C₁.

№ 45,46
Двухконтурный автогенератор. Эквивалентная схема.
•.
•.

№ 47,48
Автогенератор. Эквивалентное сопротивление нагрузки в коллекторной цепи. (Q - добротность, ρ- характеристическое сопротивление контура).

• R_к = Qρ C₂² / (C₁ + C₂)².

• R_к = Qρ L₂² / (L₁ + L₂)².

№ 49
Кварцевый автогенератор. Эквивалентная схема при f_ген = f_кв:
• .

№ 50
Предыдущий кварцевый автогенератор возбуждается на частоте 3f_кв при условии:
• L_бл1 ≈ 1 / (16π²f_кв²C₁).

№ 1
Характер изменения напряжения на аноде при анодно-экранной модуляции.
•.

№ 2
Статическая модуляционная характеристика при модуляции на управляющую сетку.

• кривая 1.

№ 3
- при анодно-экранной модуляции:
•.

№ 4
Ошибки в схеме модуляции.

• в точках 1, 2, 4.

№ 5
Сеточная модуляция.
•.

№ 6
При анодно-экранной модуляции, если модулируемая ступень переведена из недонапряженного режима в перенапряженный, коэффициент модуляции:
• Увеличится.

№ 7,11
На графике две статические модуляционные характеристики при модуляции смещением.

Вторая СМХ относится к нагрузке R_oc:
• R_oe<R_{oe kp}.

Верхняя СМХ относится:
• R_oe>R_{oe kp}.

№ 8
Зависимость тока в антенне J_A при анодной модуляции.
•.

№ 9
Чтобы уменьшить искажения модулированного сигнала в схеме с модуляцией смещением

• нужно уменьшить U_mg.

№ 10
КПД анодно-экранной модуляции при переходе от режима молчания к максимальному:
• не изменится.

№ 12
Путь протекания составляющей анодного тока звуковой частоты J_aΩ:
.

№ 13
Характер изменения напряжения при анодной модуляции:
•.

№ 14
В схеме с модуляцией смещением применено автоматическое смещение. Искажения сигнала:
•.

№ 16
СМХ каскада с коллекторной модуляцией.

Мощность модулятора при m = 1:
• 300 Вт.

№ 17
Реактивный транзистор, эквивалентный емкости С_э и векторная диаграмма:.
•.

№ 18
Сигнал на выходе однополосного модулятора (ОМ).
•.

№ 19
Эпюра U_выx
•.

№ 20
Чтобы уменьшить нелинейные искажения огибающей АМ сигнала:

• Необходимо уменьшить R_l.

№ 21
Ошибка в схеме ЧМ автогенератора.

• Поменять местами элементы C и R.

№ 22
Не может выполнить функции балансного модулятора, схема
• .

№ 23
Искажение огибающей (U₀) АМ-сигнала (U_АМ) при отключении R_н.
•.

№ 24

• 1/(2πC_ΩF_н) >> 0,05U_Ω/I_Ω;
• 2πL_ΩF_н >> 20U_Ω/I_Ω.

№ 25

1. Изображена схема кварцевого автогенератора с ЧМ;
2. АГ сводится к индуктивной трехточке;
3. Должно выполнятся соотношение R₁C₁ >> 1/F_H.

№ 26
Эпюра:
•.

№ 27

• U₁=E_б+U_ΩcosΩt+U_мбcos(ωt);
• U₂=E_k+U_кн(1+mcosΩt)cos(ωt);
• U₃=E_к;
• U₄=U_м(1+cosΩt)cosωt.

№ 28
СМХ.

Пиковая мощность каскада при m = 1, ξ = 0,9:
• P_1max = 36 Вт; P_1max = 9 Вт.

№ 29
Структурная схема ЧМ-возбудителя.

Частота задающего генератора:
• f₃₂ = 25 МГц.

№ 30

Смещение Е_б для получения m = 1 на выходе УМК:
• Е_б = Е_б′-U_бн(1-m).

№ 31
Статическая модуляционная характеристика при сеточной модуляции смещением:
• I_α1=f (E_q).

№ 32
Динамическая модуляционная характеристика:
• m=f (U_Ω).

№ 33
Режим несущей волны при амплитудной модуляции:
• p_1н = (1/2) I_н² R_oe.

№ 34
Коэффициент модуляции при сеточной модуляции смещением:
• m = (I_α1max-I_α1min) / (I_α1max+I_α1min).

№ 35,40
Колебательная мощность в максимальном режиме при сеточной модуляции смещением:
• 1.
- при анодной модуляции:
• p_1max = p_1m(1+m)².

№ 36
Если установить угол отсечки коллекторного тока Θ_k=<90°, коэффициент модуляции на выходе усилителя модулированных колебаний:
• увеличится.

№ 37
Коэффициент модуляции при подаче модулированного напряжения на анод выходного каскада:
• m = U_αΩ / E_αн.

№ 38
КПД при коллекторной модуляции при переходе из максимального режима в режим несущей волны:
• не изменится.

№ 39
Каскад с анодной модуляцией должен работать:
• в критическом по напряженности режиме.

№ 41
Мощность модулятора при коллекторной модуляции, по сравнению с базовой модуляцией, требуется:
• больше.

№ 42
Индекс частотной модуляции:
• m_f = Δω / Ω.

№ 43
При индексе частотной модуляции mf > 2 полоса частот, по сравнению с амплитудной модуляцией, будет:
• шире.

№ 44
Мощность выходного каскада при частотной модуляции:
• зависит от амплитуды U_mg.

№ 45
Дальность связи при переходе от амплитудной модуляции к однополосной модуляции:
• увеличится.

№ 46
При формировании однополосного сигнала применяют:
• балансный тип модулятора.

№ 47
Полоса частот, занимаемых импульсным передатчиком, по сравнению с ЧМ, будет:
• шире.

№ 48
КПД при переходе от “мягкого” коммутатора к “жесткому” в импульсном передатчике:
• уменьшится.

№ 49
Полоса частот, занимаемых телевизионным сигналом изображения, по сравнению с сигналом звукового сопровождения, требуется:
• шире.

№ 50
При передаче сигнала изображения в телевизионных передатчиках применяется:
• амплитудная модуляция.